ZHCSU01 December   2023 BQ25960H

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 说明（续）
  6. 5 器件比较表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 时序要求
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  充电系统
      2. 8.3.2  电池充电曲线
      3. 8.3.3  器件加电
      4. 8.3.4  器件高阻态状态
      5. 8.3.5  双输入双向电源路径管理
        1. 8.3.5.1 ACDRV 开启条件
        2. 8.3.5.2 不具有 ACFET-RBFET 的从 VAC 到 VBUS 的单输入
        3. 8.3.5.3 具有 ACFET1 的单输入
        4. 8.3.5.4 具有 ACFET1-RBFET1 的双输入
        5. 8.3.5.5 具有 ACFET1-RBFET1 和 ACFET2-RBFET2 的双输入
        6. 8.3.5.6 OTG 和反向 TX 模式运行
      6. 8.3.6  旁路模式运行
      7. 8.3.7  充电启动
      8. 8.3.8  移除适配器
      9. 8.3.9  用于监控和智能适配器反馈的集成 16 位 ADC
      10. 8.3.10 器件模式和保护状态
        1. 8.3.10.1 输入过压、过流、欠流、反向电流和短路保护
        2. 8.3.10.2 电池过压和过流保护
        3. 8.3.10.3 IC 内部热关断、TSBUS 和 TSBAT 温度监控
      11. 8.3.11 INT 引脚、STAT、FLAG 和 MASK 寄存器
      12. 8.3.12 使用主要模式和辅助模式的双充电器运行
      13. 8.3.13 CDRVH 和 CDRVL_ADDRMS 函数
    4. 8.4 编程
      1. 8.4.1 F/S 模式协议
    5. 8.5 寄存器映射
      1. 8.5.1 I2C 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 独立应用信息（用于主充电器）
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
        3. 9.2.1.3 应用曲线
  11. 10电源相关建议
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 第三方产品免责声明
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 支持资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  14. 13修订历史记录
  15. 14机械、封装和可订购信息
    1. 14.1 封装选项附录
    2. 14.2 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.3.10.1 输入过压、过流、欠流、反向电流和短路保护

通过外部单个或背对背 N 沟道 FET 实现输入过压保护：该器件集成了输入过压保护器的功能。通过外部单个或背对背 N 沟道 FET，该器件可阻止超过 VACOVP 阈值（VAC1OVP 或 VAC2OVP）的高输入电压。这样就不需要使用单独的 OVP 器件来保护整个系统。集成 VACOVP 功能的响应时间为 tVACOVP（关闭外部 FET 的实际时间会更长，具体取决于 FET 栅极电容）。可在 VAC 控制寄存器中调整 VAC1OVP 和 VAC2OVP 设置。该器件允许用户拥有不同的 VAC1OVP 和 VAC2OVP 设置。始终对 VAC1 提供高 VACOVP 阈值输入。

当 VAC1OVP 或 VAC2OVP 被触发时，相应的 ACDRV 被关闭，VAC1OVP_STAT 或 VAC2OVP_STAT 和 VAC1OVP_FLAG 或 VAC2OVP_FLAG 设置为“1”，并且 INT 置为低电平有效，用于向主机发出警报（除非被 VAC1OVP_MASK 或 VAC2OVP_MASK 屏蔽）。当 VAC2OVP 被触发时，如果故障仍然存在，器件会发送多个中断。除非同时需要 VAC1 和 VAC2，否则将 VAC1 用作输入。

输入过压保护 (BUSOVP)：可在 BUSOVP 寄存器中调整 BUSOVP 阈值。当 BUSOVP 被触发时，开关电容模式或旁路模式被禁用，并且 CHG_EN 设置为“0”。BUSOVP_STAT 和 BUSOVP_FLAG 设置为“1”，并且 INT 置为低电平有效，用于向主机发出警报（除非被 BUSOVP_MASK 屏蔽）。必须遵循启动序列才能恢复充电。

输入过流保护 (BUSOCP)：输入过流保护可监测流入 VBUS 的电流。可在 BUSOCP 寄存器中调节过流保护阈值。当 BUSOCP 被触发时，开关电容模式或旁路模式被禁用，并且 CHG_EN 设置为“0”。BUSOCP_STAT 和 BUSOCP_FLAG 设置为“1”，并且 INT 置为低电平有效，用于向主机发出警报（除非被 BUSOCP_MASK 屏蔽）。必须遵循启动序列才能恢复充电。

输入欠流保护 (BUSUCP)：实施总线欠流保护 (UCP) 以检测适配器拔出。在启用充电之前设置 BUSUCP =1 (REG05[6])。启用 BUSUCP 时 (BUSUCP_DIS=0)，如果软启动计时器（可在 SS_TIMEOUT[2:0] 中编程）到期后电流低于 BUSUCP，则禁用开关电容模式或旁路模式，并且 CHG_EN 设置为“0”。BUSUCP_STAT 和 BUSUCP_FLAG 设置为“1”，并且 INT 置为低电平有效，用于向主机发出警报（除非被 BUSUCP_MASK 屏蔽）。必须遵循启动序列才能恢复充电。可在 IBUSUCP_FALL_DG_SET[1:0] 寄存器中对 BUSUCP 的抗尖峰脉冲时间进行编程。请注意，需要将 BUSUCP 抗尖峰脉冲时间设置为短于软启动计时器时间 BUSUCP 才能生效。

禁用 BUSUCP 时 (BUSUCP_DIS=1)，如果软启动计时器过期后电流低于 BUSUCP，则 CHG_EN 不设置为“0”，BUSUCP_STAT 和 BUSUCP_FLAG 设置为“1”，并且 INT 置为低电平以向主机发出警报（除非被 BUSUCP_MASK 屏蔽）。主机可以确定在这种情况下是否需要停止充电。

输入反向电流保护 (BUSRCP)：该器件可监测从 VBUS 到 VBAT 的电流，以确保没有反向电流（从 VBAT 到 VBUS 的电流）。如果在 BUSRCP_DIS 设置为“0”时检测到反向电流，则开关电容或旁路将被禁用，并且 CHG_EN 将设置为“0”。必须遵循启动序列才能恢复充电。要禁用 BUSRCP，请将 REG05[1:0] 设置为“00”，然后设置 BUSRCP_DIS=1。

当转换器开关且 BUSRCP_DIS 设置为“0”时，RCP 始终处于活动状态。当 RCP 被触发时，BUSRCP_STAT 和 BUSRCP_FLAG 设置为“1”，并且 INT 置为低电平有效，用于向主机发出警报（除非被 BUSRCP_MASK 屏蔽）。

输入过压和过流保护警报（BUSOVP_ALM 和 BUSOCP_ALM）：除了输入过压和过流保护之外，器件还集成了警报功能 BUSOVP_ALM 和 BUSOCP_ALM。当触发警报时，相应的 STAT 和 FLAG 位被设置为“1”，并且 INT 置为低电平有效，用于向主机发出警报（除非被 MASK 位屏蔽）。但是，CHG_EN 不会被清零，并且主机可以减小输入电压或输入电流，用于防止 VBUS 达到 VBUSOVP 阈值或 IBUS 达到 IBUSOCP 阈值。

VBUS_ERRHI：该器件会监控 VBUS 与 VOUT 的电压比。VBUS/VOUT 大于 VBUS_ERRHI_RISING 阈值时，转换器不会开关，但 CHG_EN 仍为“1”。当 VBUS/VOUT 降至 VBUS_ERRHI_FALLING 阈值以下时，转换器自动开始开关。