ZHCSU01 December   2023 BQ25960H

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 说明（续）
  6. 5 器件比较表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 时序要求
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  充电系统
      2. 8.3.2  电池充电曲线
      3. 8.3.3  器件加电
      4. 8.3.4  器件高阻态状态
      5. 8.3.5  双输入双向电源路径管理
        1. 8.3.5.1 ACDRV 开启条件
        2. 8.3.5.2 不具有 ACFET-RBFET 的从 VAC 到 VBUS 的单输入
        3. 8.3.5.3 具有 ACFET1 的单输入
        4. 8.3.5.4 具有 ACFET1-RBFET1 的双输入
        5. 8.3.5.5 具有 ACFET1-RBFET1 和 ACFET2-RBFET2 的双输入
        6. 8.3.5.6 OTG 和反向 TX 模式运行
      6. 8.3.6  旁路模式运行
      7. 8.3.7  充电启动
      8. 8.3.8  移除适配器
      9. 8.3.9  用于监控和智能适配器反馈的集成 16 位 ADC
      10. 8.3.10 器件模式和保护状态
        1. 8.3.10.1 输入过压、过流、欠流、反向电流和短路保护
        2. 8.3.10.2 电池过压和过流保护
        3. 8.3.10.3 IC 内部热关断、TSBUS 和 TSBAT 温度监控
      11. 8.3.11 INT 引脚、STAT、FLAG 和 MASK 寄存器
      12. 8.3.12 使用主要模式和辅助模式的双充电器运行
      13. 8.3.13 CDRVH 和 CDRVL_ADDRMS 函数
    4. 8.4 编程
      1. 8.4.1 F/S 模式协议
    5. 8.5 寄存器映射
      1. 8.5.1 I2C 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 独立应用信息（用于主充电器）
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
        3. 9.2.1.3 应用曲线
  11. 10电源相关建议
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 第三方产品免责声明
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 支持资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  14. 13修订历史记录
  15. 14机械、封装和可订购信息
    1. 14.1 封装选项附录
    2. 14.2 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.2.1.2 详细设计过程

第一步是确定每个设计阶段要放置的 CFLY 电容数量。考虑电容器的额定电流、ESR 和额定电容至关重要。请务必考虑电容的偏置电压降额，因为 CFLY 电容偏置为输入电压的一半，这将影响其有效电容。理想系统是每相有 3 个 22µF 电容器，每个器件总共有 6 个电容器。如果布板空间有限，可以使用较少的电容。使用较少的电容将导致输出端出现较高的电压和电流纹波，并且会降低效率。

功率级的默认开关频率 fSW 为 500kHz。可以使用 FSW_SET 位在寄存器 0x10h 中调整开关频率。如果不使用 IBATADC，建议选择 500kHz；如果使用 IBATADC，建议选择 375kHz。

建议在 VBUS 上使用 1µF 电容，在 PMID 上使用 10µF 电容，在 VOUT 上使用 22µF 电容。