10 修订历史记录

All Revision History Changes Intro HTMLMay 1, 2024 to December 19, 2025 (from RevisionG (MAY 2024)to RevisionH (DECEMBER 2025))

通篇：删除了“信号说明”部分中的所有 IOSET 表，因其已包含在时序和开关特性部分中Go
（特性）：更新了安全功能以阐明支持的内容Go
（封装信息）：更新了表以与新的内容标准一致Go
（功能方框图）：更新了 PRU-ICSS 模块以包含该器件支持的所有功能Go
（器件比较）：改正了 JTAG 用户 ID 寄存器的名称和注释 (2)Go
（器件比较）：将 GPMC 支持的存储器从 1GB 更新为 128MB，并从 GPMC 实例中删除了 ELM 引用Go
（器件比较）：删除了“独立注释”，该注释引用了“器件命名约定”部分以了解有关器件特性代码的更多信息，并对表注 3、5、7 和 8 应用了类似的引用Go
（相关产品）：更新了内容并添加了指向其他产品的链接，以完成设计Go
（ALV FCBGA-N441 引脚图）：将引脚图从底视图更改为了顶视图Go
（ALX FCBGA-N293 引脚图）：将引脚图从底视图更改为了顶视图Go
（引脚属性 - 复位期间的焊球状态（RX/TX/拉动）：添加了“高：输出缓冲器已启用，并驱动 V_OH 至 TX（输出缓冲器）说明，以考虑 MMC0_CMD 引脚复位情况。Go
（引脚属性 - ALV 引脚 A18 和 B18/ALX 引脚 B16 和 B15）：在“类型”列中将值从“IO”更改为“IOD”，以表明该信号功能只能作为开漏 IO 运行Go
（引脚属性- ALV 引脚 J16 和 J15）：在“IO 工作电压”、“电源”和“缓冲器类型”列中添加了值Go
（引脚属性 - ALV 引脚 AA20、AA19、U16、U17，以及 T14 / ALX 引脚 AA17、AA16、Y17、W17 和 V18）：从“电源”列中删除了 VDDA_0P85_USB0 内核电源轨，因为 USB0 IO 工作电压与该内核电源轨无关Go
（引脚属性 ALV 引脚 N21/ALX 引脚 M21）：在“复位之后的焊球状态（RX/TX/拉动）”列中，将 OSPI0_LBCLKO 引脚的 RX 值从“打开”更改为“关闭”，以指示复位后输入缓冲器的正确默认状态Go
（引脚属性 - ALV 引脚 J21、G19、K20、J20、J18、J17、H17、H19、H18 和 G17）：从“DSIS”列中删除了相关值，因为该信息仅适用于多路复用信号功能Go
（引脚属性 - ALV 引脚 J21）：在“复位期间的焊球状态（RX/TX/拉动）”列中，将 MMC0_CMD 引脚的 TX 值从“关闭”更改为“高”，以指示复位期间输出缓冲器的正确默认状态Go
（引脚属性 - ALV 引脚 T13、W16、W17、Y15、Y16、AA16 和 AA17）：从“电源”列中删除了 VDDA_0P85_SERDES0 和 VDDA_0P85_SERDES0_C 内核电源轨，因为 SERDES0 IO 工作电压与这些内核电源轨无关Go
（引脚属性 - ALV 引脚 F18、G18、J21、G19、K20、J20、J18、J17、H17、H19、H18 和 G17）：从“电源”列中删除了 VDD_MMC0 和 VDD_DLL_MMC0 内核电源轨，因为 MMC0 IO 工作电压与这些内核电源轨无关Go
（AM243x_ALX 封装 - 不支持的外设接口和信号表）：更新了几个外设实例的名称，以匹配信号说明表名称，并更新了其他信号的列表Go
(ADC)：添加了注释，突出显示了 ADC 中的 GPI 信号功能支持Go
（信号说明 - ADC0）：为 ADC_EXT_TRIGGER0 和 ADC_EXT_TRIGGER1 信号添加了注释，以表明它们具有去抖功能Go
（信号说明 - ADC0）：更新了与 ADC0_REFN、ADC0_REFP 及 ADC0_AIN[7:0] 信号相关的表注Go
（信号说明 - EPWM0）：改正了 EHRPWM0_SYNCO 信号说明Go
（信号说明 - EPWM3）：更新了 EHRPWM3_SYNCO 信号说明Go
（信号说明 - EPWM6）：更正了 EHRPWM6_SYNCO 信号说明Go
（GPIO0 信号说明）：为 GPIO0_43 信号添加了注释，以表明其具有去抖功能Go
（信号说明 - 电源）：更新了与 CAP_VDDSx 引脚相关的表注，以阐明电容降额的必要性并介绍其他连接选项Go
（信号说明 - 电源）：更新了多个电源轨的说明，以阐明其功能并将 VDDA_TEMP1 的信号类型从“A”更改为“PWR”Go
(PRU_ICSSG)：添加了一条注释，突出显示了 PRU_ICSSG 中实现的第二层信号多路复用Go
（信号说明 - 电源）：更新了 EXT_REFCLK1 信号功能的说明Go
（信号说明 - MCU 系统）：更新了 MCU_PORz 信号功能的说明Go
（信号说明 - VMON）：将 VMON_3P3_SOC 信号类型从“PWR”更改为“A”Go
（引脚连接要求）：更新了 I2C0 和 MCU_I2C0 焊球的连接要求说明，以便在选择 GPIO 信号功能时连接外部下拉电阻器Go
（引脚连接要求）：更新了 VMON_1P8_MCU、VMON_1P8_SOC、VMON_3P3_MCU 和 VMON_3P3_SOC 焊球的连接要求说明Go
（绝对最大额定值）：更新了几个电源轨的说明以阐明其功能Go
（建议运行条件）：将 VPP 参数值替换为一条注释，该注释指向了“建议的 OTP 电子保险丝编程操作条件”表。Go
（建议运行条件）：更新了几个电源轨的说明以阐明其功能Go
（建议运行条件）：在 Tj 参数旁新增一行，标签为“125°C 工业级”，其数值范围为 -40°C 至 125°C，并将“扩展工业级”的最高温度值从 125°C 修改为 105°CGo
（建议运行条件）：从注释 (2) 中删除了“当不使用 MMC0 时”语句，因为该器件不支持 0.75V 工作电压。Go
（I2C 开漏和失效防护电气特性）：向“输入漏电流”参数添加了表注Go
（I2C 开漏和失效防护电气特性）：将输入漏电流测试条件拆分为两行Go
（失效防护复位电气特性）：向“输入漏电流”参数添加了表注Go
（失效防护复位电气特性）：将输入漏电流测试条件分为两行Go
（高频振荡器电气特性）：向“输入漏电流”参数添加了表注Go
（高频振荡器电气特性）：将输入漏电流测试条件分为两行Go
（eMMCPHY 电气特性）向“输入漏电流”参数添加了一个表注Go
（eMMCPHY 电气特性）将“输入漏电流测试条件”分成了两行Go
（SDIO 电气特性）：向“输入漏电流”参数添加了表注Go
（SDIO 电气特性）：将输入漏电流测试条件分为两行Go
（LVCMOS 电气特性）：向“输入漏电流”参数添加了表注Go
（LVCMOS 电气特性）：将输入漏电流测试条件分为两行Go
（ADC12B 电气特性）向“通用输入漏电流”参数添加了一个表注Go
（ADC12B 电气特性）将“输入漏电流测试条件”分成了两行Go
（建议的 OTP 电子保险丝编程操作条件）：删除了 VDD_CORE 参数说明中的 OPP NOM (BOOT) 引用，并更改了 VPP 压摆率说明以阐明它仅适用于上电Go
（对硬件保修的影响）：更新/更改了段落中的“因此，TI 将没有…”句子Go
（热阻特性）：添加的注释Go
（温度传感器特性）：添加了新的一节来定义电压和温度模块 (VTM) 片上温度传感器特性Go
（时序和开关特性）：删除了有关器件表征结果的注释。更新了一条注释，说明必须使用默认的 PADCONFIG 转换率和驱动强度设置，来确保本节中给出的时序值有效。Go
（上电时序）：添加了注释以阐明电源轨必须在启动新的上电序列之前衰减至 300mv 以下Go
（上电时序）：添加了“上电时序 – 电源/信号分配”表以及波形引用和注释。注释 3 和注释 5 不再提及 VDDSHV5，因为注释 7 中介绍了该电源轨。添加了新的注释 8，以定义不同用例中的 VDDA3P3_SDIO 选项，并更新了注释 7，以阐明不依赖于其他电源轨的上电和断电。更新了注释 10，以包含 VDDA_0P85_USB0、VDDA_0P85_SERDES0、VDDA_0P85_SERDES0_C、VDD_MMC0 和 VDDA_DLL_MMC0 电源轨。更新了上电时序图，将电源轨名称替换为新表中定义的波形参考字母Go
（下电时序）：添加了注释以阐明电源轨必须在启动新的上电序列之前衰减至 300mv 以下Go
（下电时序）：添加了“下电时序 – 电源/信号分配”表以及波形引用和注释。注释 1 和注释 2 不再提及 VDDSHV5，因为注释 3 中介绍了该电源轨。添加了新的注释 4，以定义不同用例中的 VDDA3P3_SDIO 选项，并更新了注释 3，以阐明不依赖于其他电源轨的上电和断电。添加了新的注释 5，以阐明连接预期。更新了注释 6，以包含 VDDA_0P85_USB0、VDDA_0P85_SERDES0、VDDA_0P85_SERDES0_C、VDD_MMC0 和 VDDA_DLL_MMC0 电源轨。更新了断电时序图，以说明系统电源可以在器件电源管理解决方案关闭时保持开启，以及在电源开始按顺序关闭之前 MCU_PORz 可以被置为有效。更新了断电时序图，以将电源轨名称替换为新表中定义的波形参考字母Go
（BOOTMODE 时序要求）：更新了参数 RST23 和 RST24 的说明Go
（MCU_OSC0 开关特性 - 晶体模式）：添加了 ALX 封装的电容值Go
（MCU_OSC0 LVCMOS 数字时钟源）：更新了本节，以包含其他注释和“MCU_OSC0 LVCMOS 数字时钟源要求”表Go
(PLL)：更新了 PLL 名称，以便包含其在 TRM 中使用的编号参考Go
（CPSW3G RMII 时序条件）：更改了两个工作电压的最大输入压摆率Go
（CPSW3G RGMII 时序条件）：向“输入压摆率”参数添加了工作电压条件以便在 1.8V 下运行时实现宽松的压摆率Go
（ECAP – 时序要求和开关特性）：更新了表注 1 中引用的时钟源Go
（EPWM – 时序要求和开关特性）：更新了表注 1 中引用的时钟源Go
（EQEP – 时序要求）：更新了表注 1 中引用的时钟源Go
（GPIO 时序条件）：更新了“输入压摆率”参数以包含具有宽松最小值的工作电压，并更正了在 3.3V 下运行的 I2C OD FS 缓冲器类型的最大值印刷错误。先前 0.8V/ns 的最大值应为 0.08V/ns，以便其等于“电气特性”表中为 I2C OD FS 缓冲器定义的最大值 8E+7Go
（GPIO 时序要求）：删除了工作电压条件并更新了脉宽参数的最小值，以将“GPIO 时序条件”表中定义的宽松最小输入转换率考虑在内Go
（I2C 时序）：改正了一个印刷错误，即说明中的值 0.8 应为 0.08，相当于“电气特性”表中为 I2C OD FS 缓冲器定义的 8E+7 值Go
（I2C 时序）：添加了一条注释，说明了与 I2C2 信号功能的引脚多路复用相关的 IOSETGo
（MCSPI 开关特性 - 控制器模式）：将表注 2、3、4 和 5 中出现的所有 MSPI 更改为 MCSPIGo
（所有时序模式的 MMC0 DLL 延迟映射）：更改了寄存器名称，为 ENDLL 添加了新列，更改了旧 SDR 和高速 SDR 的 OTAPDLYENA、SELDLYTXCLK 和 FRQSEL 值，并更改了高速 DDR 和 HS200 模式的 CLKBUFSEL 值Go
（HS200 模式）：添加了“MMC0 时序要求”Go
（所有时序模式的 MMC1 DLL 延迟映射）：更改了寄存器名称，更改了默认速度和高速模式下的 OTAPDLYENA 和 OTAPDLYSEL 值，并删除了 CLKBUFSEL 列，因为该寄存器位字段不提供任何函数Go
（用于 PHY 数据训练的 OSPI0 DLL 延迟映射）：为“PHY_MASTER_PHASE_DETECT_SELECTOR_FLD”寄存器位字段添加了延迟值Go
（OSPI 开关特性 – PHY 数据训练）：改正了与时序参数 O5 相关的公式Go
（PHY SDR 时序模式的 OSPI0 DLL 延迟映射）：为“PHY_MASTER_PHASE_DETECT_SELECTOR_FLD”寄存器位字段添加了延迟值Go
（OSPI0 开关特性 – PHY SDR 模式）：更正了与时序参数 O10 和 O11 相关的公式Go
（PHY DDR 时序模式的 OSPI0 DLL 延迟映射）：为“PHY_MASTER_PHASE_DETECT_SELECTOR_FLD”寄存器位字段添加了延迟值Go
（OSPI0 开关特性 – PHY DDR 模式）：更正了与时序参数 O4 和 O5 相关的公式Go
（PRU_ICSSG PRU 时序要求 - Σ-Δ 模式）：更新了参数 PRSD4 的说明Go
（电源设计）：更新以反映最新的电源设计指南Go
（器件命名约定）：在器件命名规则表中添加了标题Go
（器件命名约定）：更新了特性代码“E”的说明，以阐明对某些以太网协议所需的硬件自动转发功能的支持Go
（器件命名约定）：已将标签为“工业级”（-40°C 至 105°C）的行更改为“扩展工业级”，并将标签为“扩展工业级”（-40°C 至 125°C）的行更改为“125°C 工业级”Go
（工具与软件）：添加了有关 SysConfig 功能的说明Go