ZHCUA19A January   2004  – March 2022 TPS5124

 

  1.   商标
  2. 1引言
  3. 2特性
  4. 3原理图
  5. 4设计流程
    1. 4.1 频率设置
    2. 4.2 电感值
    3. 4.3 输出电容器
    4. 4.4 输入电容器
      1. 4.4.1 情形一：D1、D2 < 0.5
      2. 4.4.2 情形二：D2 < 0.5 < D1
    5. 4.5 补偿设计
    6. 4.6 电流限制
    7. 4.7 计时器锁存器
      1. 4.7.1 欠压保护
      2. 4.7.2 短路保护
      3. 4.7.3 过压保护
      4. 4.7.4 禁用保护功能
        1. 4.7.4.1 禁用过流保护
        2. 4.7.4.2 禁用过压保护或欠压保护
  6. 5测试结果
    1. 5.1 效率曲线
    2. 5.2 典型工作波形
    3. 5.3 启动波形
    4. 5.4 输出波纹电压和负载瞬态
  7. 6布局指南
    1. 6.1 低侧 MOSFET
    2. 6.2 连接
    3. 6.3 旁路电容器
    4. 6.4 自举电容器
    5. 6.5 输出电压
  8. 7PCB 布局
  9. 8物料清单
  10. 9修订历史记录

6.3 旁路电容器

  • VCC 的旁路电容器应靠近 TPS5124 放置。
  • VCC 上的大容量存储电容器应靠近功率 MOSFET 放置。高频旁路电容器应与大容量电容器并联放置，并靠近高侧 MOSFET 的漏极和低侧 MOSFET 的源极连接。
  • 为降低噪声，应将 0.1μF 电容器 CTRIP 与跳闸电阻器 RCL 并联放置。