ZHCUA19A January   2004  – March 2022 TPS5124

 

  1.   商标
  2. 1引言
  3. 2特性
  4. 3原理图
  5. 4设计流程
    1. 4.1 频率设置
    2. 4.2 电感值
    3. 4.3 输出电容器
    4. 4.4 输入电容器
      1. 4.4.1 情形一：D1、D2 < 0.5
      2. 4.4.2 情形二：D2 < 0.5 < D1
    5. 4.5 补偿设计
    6. 4.6 电流限制
    7. 4.7 计时器锁存器
      1. 4.7.1 欠压保护
      2. 4.7.2 短路保护
      3. 4.7.3 过压保护
      4. 4.7.4 禁用保护功能
        1. 4.7.4.1 禁用过流保护
        2. 4.7.4.2 禁用过压保护或欠压保护
  6. 5测试结果
    1. 5.1 效率曲线
    2. 5.2 典型工作波形
    3. 5.3 启动波形
    4. 5.4 输出波纹电压和负载瞬态
  7. 6布局指南
    1. 6.1 低侧 MOSFET
    2. 6.2 连接
    3. 6.3 旁路电容器
    4. 6.4 自举电容器
    5. 6.5 输出电压
  8. 7PCB 布局
  9. 8物料清单
  10. 9修订历史记录

4.6 电流限制

TPS5124 中的电流限制使用内部电流源和外部电阻器（R13 和 R14）进行设置。电流限制保护电路将高侧和低侧驱动器的漏源电压与设定点电压进行比较。如果在高侧导通期间电压超过限制，电流限制电路会终止高侧驱动器脉冲。 如果在低侧导通期间超过设定点电压，则低侧脉冲将延长到下一个周期。同时，这个操作具有降低输出电压的效果，直至激活欠压保护电路并设置故障锁存，并且高侧和低侧 MOSFET 驱动器均已关断。应该使用Equation16 计算电流保护设定点的外部电阻值。

Equation16. R C L =   1.3   ×   R D S ( o n ）   × ( I L I M +   I R I P P L E 2 ) I T R I P

其中

  • RCL 是外部限流电阻器（R13 和 R14）。
  • RDS(on) 是低侧 MOSFET（Q2 和 Q4）的导通电阻。
  • 1.3 是 RDS(on) 的温度系数。
  • ILIM 是所需电流限制。
  • ITRIP 是内部电流源，在 25°C 时的典型值为 13μA。