ZHCUA19A January   2004  – March 2022 TPS5124

 

  1.   商标
  2. 1引言
  3. 2特性
  4. 3原理图
  5. 4设计流程
    1. 4.1 频率设置
    2. 4.2 电感值
    3. 4.3 输出电容器
    4. 4.4 输入电容器
      1. 4.4.1 情形一：D1、D2 < 0.5
      2. 4.4.2 情形二：D2 < 0.5 < D1
    5. 4.5 补偿设计
    6. 4.6 电流限制
    7. 4.7 计时器锁存器
      1. 4.7.1 欠压保护
      2. 4.7.2 短路保护
      3. 4.7.3 过压保护
      4. 4.7.4 禁用保护功能
        1. 4.7.4.1 禁用过流保护
        2. 4.7.4.2 禁用过压保护或欠压保护
  6. 5测试结果
    1. 5.1 效率曲线
    2. 5.2 典型工作波形
    3. 5.3 启动波形
    4. 5.4 输出波纹电压和负载瞬态
  7. 6布局指南
    1. 6.1 低侧 MOSFET
    2. 6.2 连接
    3. 6.3 旁路电容器
    4. 6.4 自举电容器
    5. 6.5 输出电压
  8. 7PCB 布局
  9. 8物料清单
  10. 9修订历史记录

6.2 连接

  • 从驱动器到功率 MOSFET 栅极的连接应尽可能短且宽，以减少杂散电感。如果不使用外部栅极电阻器，这将变得更为关键。此外，用于高侧 FET 的外部栅极电阻器将显著降低 LL 节点的噪声并改善限流功能的性能。
  • 从 LL 到功率 MOSFET 的连接应尽可能短且宽。