TIDA-010984

TIDA-010984

设计文件

概述

TIDA-010984 提供完整的航天级电机控制平台。该设计支持单两相和三相步进电机或双三相电机配置,采用梯形或磁场定向控制 (FOC),并通过引脚兼容的元件在不同的耐辐射等级之间进行扩展。基于 MATLAB®/Simulink® 模型的设计加速了软件开发,而 GaN 技术和高度器件集成则最大限度地缩小了板面积,降低了热开销。

特性
  • 电源电压,直流链路电压:22-36V,可选范围:15V 至 150V
  • 六个独立的、具有直通保护功能的 10A GaN 半桥功率级,用于支持:
    • 2 个 BLDC/PMSM
    • 两相步进
    • 三相步进
  • 每个半桥功率级均可选用高侧电流检测或同相电流检测
  • 对每个半桥功率级单独进行温度监控
  • 展示所需的电路板面积小于 60cm2(单侧安装)
  • 连接至运行 Matlab Simulink 无传感器 FOC 示例的航天级 MCU F28377D-SEP
  • 耐辐射和抗辐射安装选项
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

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TIDUFK3.PDF (2926 KB)

参考设计概述和经过验证的性能测试数据

TIDMEB6.PDF (996 KB)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDMEB8.PDF (178 KB)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDMEB7.ZIP (4795 KB)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCGY9.ZIP (1503 KB)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDMEB5.PDF (7001 KB)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

TIDMEB4.PDF (1082 KB)

设计布局和元件的详细原理图

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

交流/直流控制器

TPS7H5020-SEP — 用于驱动 MOSFET 或 GaN FET 的耐辐射 100% 占空比 PWM 控制器

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交流/直流控制器

TPS7H5020-SP — 用于驱动 MOSFET 或 GaN FET 的耐辐射 QML-P 100% 占空比 PWM 控制器

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模拟电流检测放大器

INA901-SP — 耐辐射、QML-V、-15V 至 65V、分离级电流检测放大器

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数字温度传感器

TMP9R00-SP — 耐辐射、QML-V、9 通道(8 个远程和 1 个本地)高精确度温度传感器

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氮化镓 (GaN) 功率级

TPS7H6101-SEP — 具有集成驱动器的耐辐射 200V 10A GaN 功率级

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线性和低压降 (LDO) 稳压器

TPS7A4501-SP — 耐辐射、QML-V、1.5V 至 20V 输入、1.5A 低压降 (LDO) 稳压器

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线性和低压降 (LDO) 稳压器

TPS7H1121-SEP — 耐辐射、2.25V 至 14V 输入、2A 低压降 (LDO) 稳压器

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线性和低压降 (LDO) 稳压器

TPS7H1121-SP — 耐辐射、QML-V、2.25V 至 14V 输入、2A 低压降 (LDO) 稳压器

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实时电机控制和自动化 MCU

F28377D-SEP — 具有 800MIP 以及双路 C28 和 CLA 内核、1MB 闪存的耐辐射 32 位 MCU

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并联电压基准

TL1431-SP — 耐辐射、QML-V、2.4V 至 36V 可调并联电压基准

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电压转换器

SN54SLC8T245-SEP — 抗辐射、8 位 0.65V 至 3.3V 方向控制电平转换器

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技术文档

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* 设计指南 Space-Grade, SWaP-Optimized, 10A, 150V, BLDC and Stepper Motor Control Platform Reference Design PDF | HTML 2026-9-18

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