CSD19538Q3A

正在供货

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 61 VGSTH typ (typ) (V) 3.2 QG (typ) (nC) 4.3 QGD (typ) (nC) 0.8 QGS (typ) (nC) 1.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 13.7 ID - package limited (A) 15 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 61 VGSTH typ (typ) (V) 3.2 QG (typ) (nC) 4.3 QGD (typ) (nC) 0.8 QGS (typ) (nC) 1.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 13.7 ID - package limited (A) 15 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSONP (DNH) 8 10.89 mm² (3.3 mm × 3.3 mm)
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 具有雪崩能力
  • 无铅
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 具有雪崩能力
  • 无铅
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

这款 100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最小化导通损耗并减少 PoE 应用中的板面占用空间。

这款 100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最小化导通损耗并减少 PoE 应用中的板面占用空间。

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设计与开发

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SLPM184A.ZIP (5 KB) - PSpice 模型
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VSONP (DNH) 8 Ultra Librarian

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