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UCC5390

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具有 UVLO（以 GND 为基准）或分离输出的 3kVrms/5kVrms、±10A 单通道隔离式栅极驱动器

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UCC5390

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产品详情

Number of channels 1 Isolation rating Basic, Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990, 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7000 Peak output current (A) 17 Peak output current (source) (typ) (A) 17 Peak output current (sink) (typ) (A) 17 Features Active miller clamp, Emitter-referenced UVLO, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 13.2 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 15 Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Basic, Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990, 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7000 Peak output current (A) 17 Peak output current (source) (typ) (A) 17 Peak output current (sink) (typ) (A) 17 Features Active miller clamp, Emitter-referenced UVLO, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 13.2 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 15 Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (DWV) 8 67.275 mm² 5.85 x 11.5
  • 特性选项
    • 分离输出 (UCC53x0S)
    • 以 GND2 为基准的 UVLO (UCC53x0E)
    • 米勒钳位选项 (UCC53x0M)
  • 8 引脚 D（4mm 爬电）和 DWV（8.5mm 爬电）封装
  • 60ns（典型值）传播延迟
  • 100kV/µs 最小 CMTI
  • 隔离栅寿命 > 40 年
  • 3V 至 15V 输入电源电压
  • 驱动器电源电压高达 33V
    • 8V 和 12V UVLO 选项
  • 输入引脚具有负 5V 电压处理能力
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 7000VPK 隔离 DWV（计划）和 4242VPK 隔离 D
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000VRMS DWV 和 3000VRMS D 隔离等级
    • 符合 GB4943.1-2011 D 和 DWV 标准的 CQC 认证（计划）
  • CMOS 输入
  • 工作温度：-40°C 至 +125°C
  • 特性选项
    • 分离输出 (UCC53x0S)
    • 以 GND2 为基准的 UVLO (UCC53x0E)
    • 米勒钳位选项 (UCC53x0M)
  • 8 引脚 D（4mm 爬电）和 DWV（8.5mm 爬电）封装
  • 60ns（典型值）传播延迟
  • 100kV/µs 最小 CMTI
  • 隔离栅寿命 > 40 年
  • 3V 至 15V 输入电源电压
  • 驱动器电源电压高达 33V
    • 8V 和 12V UVLO 选项
  • 输入引脚具有负 5V 电压处理能力
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 7000VPK 隔离 DWV（计划）和 4242VPK 隔离 D
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000VRMS DWV 和 3000VRMS D 隔离等级
    • 符合 GB4943.1-2011 D 和 DWV 标准的 CQC 认证（计划）
  • CMOS 输入
  • 工作温度：-40°C 至 +125°C

UCC53x0 是单通道隔离式栅极驱动器系列，旨在驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。UCC53x0S 提供分离输出，可分别控制上升和下降时间。UCC53x0M 将晶体管的栅极连接到内部钳位，以防止米勒电流造成假接通。UCC53x0E 的 UVLO2 以 GND2 为基准，以获取真实的 UVLO 读数。

UCC53x0 采用 4mm SOIC-8 (D) 或 8.5mm SOIC-8 (DWV) 封装，可分别支持高达 3kVRMS 和 5kVRMS 的隔离电压。凭借这些各种不同的选项，UCC53x0 系列成为电机驱动器和工业电源的理想之选。

与光耦合器相比，UCC53x0 系列的器件间偏移更低，传播延迟更小，工作温度更高，并且 CMTI 更高。

UCC53x0 是单通道隔离式栅极驱动器系列，旨在驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。UCC53x0S 提供分离输出，可分别控制上升和下降时间。UCC53x0M 将晶体管的栅极连接到内部钳位，以防止米勒电流造成假接通。UCC53x0E 的 UVLO2 以 GND2 为基准，以获取真实的 UVLO 读数。

UCC53x0 采用 4mm SOIC-8 (D) 或 8.5mm SOIC-8 (DWV) 封装，可分别支持高达 3kVRMS 和 5kVRMS 的隔离电压。凭借这些各种不同的选项，UCC53x0 系列成为电机驱动器和工业电源的理想之选。

与光耦合器相比，UCC53x0 系列的器件间偏移更低，传播延迟更小，工作温度更高，并且 CMTI 更高。
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技术文档

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* 数据表 UCC53x0 单通道隔离式栅极驱动器 数据表 (Rev. I) PDF | HTML 最新英语版本 (Rev.J) PDF | HTML 2024年 3月 27日
证书 UL Certification E181974 Vol 4. Sec 7 (Rev. D) 2025年 9月 8日
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用户指南 UCC53x0xD Evaluation Module 2017年 6月 21日
模拟设计期刊 适用于隔离栅极驱动器的共模瞬态抗扰度 英语版 2015年 11月 16日
白皮书 High-voltage reinforced isolation: Definitions and test methodologies 2014年 10月 16日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

UCC5320SCEVM-058 — UCC5320SC 隔离式栅极驱动器评估模块

UCC5320SCEVM 是用于评估 UCC53xx 系列器件的评估模块，用户可根据所用的器件灵活地将驱动器配置为分离输出、米勒箝位或 UVLO。此 EVM 具有足够的测试点和跳线选项，支持使用超少的外部元件来评估相应器件。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
评估板

UCC5390ECDWVEVM — UCC5390ECDWV 10A、10A 5kVRM 隔离式单通道栅极驱动器评估模块

UCC5390ECDWVEVM 适用于评估 UCC53xxDWV 系列，该系列是一种具备 10A 拉电流和 10A 峰值灌电流能力的 5.0-kVRMS 隔离式单通道栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。该 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
用户指南: PDF
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评估板

UCC5390SCDEVM-010 — 紧凑型单通道 3kVrms 隔离式 17A 栅极驱动器偏置电源评估模块

UCC5390SCDEVM-010 是完整的单通道隔离式栅极驱动板，包含可重新配置的偏置电源，可提供各种驱动电压。该 EVM 基于采用 SOIC-8 封装的 17A 分离输出基本绝缘 UCC5390SCD 驱动器。该设计还包含基于 SN6505B 的偏置电源，该偏置电源可以针对 11V 至 33V 的单个或分离轨驱动电压进行配置，涵盖各种 Si 和 SiC FET 与 IGBT。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

UCC5390ECD PSpice Transient Model

SLLM366.ZIP (53 KB) - PSpice Model
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仿真模型

UCC5390ECD Unencrypted PSpice Transient Model

SLLM369.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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仿真模型

UCC5390SCD PSpice Transient Model

SLLM370.ZIP (52 KB) - PSpice Model
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仿真模型

UCC5390SCD Unencrypted PSpice Transient Model

SLLM371.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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计算工具

SLURAY7 — UCC53x0 Gate Resistor and Thermal Calculator Tool

支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
隔离式栅极驱动器
  • UCC5310 — 具有米勒钳位、12V UVLO 且采用 D 或 DWV 封装的 3kVrms/5kVrms、2A/1A 单通道隔离式栅极驱动器
  • UCC5320 — 具有 UVLO（以 GND 为基准）或分离输出的 3k/5kVrms、2A/2A 单通道隔离式栅极驱动器
  • UCC5350 — 具有米勒钳位或分离输出以及 8V 或 12V UVLO 的 5A/5A 单通道隔离式栅极驱动器
  • UCC5350-Q1 — 适用于 SiC/IGBT 且具有米勒钳位或分离输出的汽车类 ±5A 单通道隔离式栅极驱动器
  • UCC5390 — 具有 UVLO（以 GND 为基准）或分离输出的 3kVrms/5kVrms、±10A 单通道隔离式栅极驱动器
  • UCC5390-Q1 — 汽车级 17A 5kv RMS 单通道隔离式栅极驱动器
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模拟工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 设计和仿真工具

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。 

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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参考设计

TIDA-00914 — 采用小型 Δ-Σ 调制器的增强型隔离式相位电流检测参考设计

此参考设计采用隔离式 IGBT 栅极驱动器以及隔离式电流/电压传感器，实现了增强型隔离式三相逆变器子系统。此设计使用 AMC1306E25 Δ-Σ 调制器实现精确的基于分流的直列式电机相电流感应。调制器输出采用曼彻斯特编码，简化了 MCU 和调制器之间的时钟和数据信号路由。该调制器具有高 CMTI，有助于抑制逆变器开关噪声瞬变在控制器侧造成数据损坏。小尺寸调制器助力实现紧凑型解决方案。TIDA-00914 提供了一个连接到外部 MCU 或 FPGA 的接口，因此可采用 SINC 数字滤波器解调 AMC1306E25 输出位流。此参考设计采用 F28379D Delfino (...)
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-01420 — 适用于工业驱动器的基本隔离式三相紧凑型功率级参考设计

该用于工业驱动器的三相紧凑型功率级参考设计使用支持基本电容隔离要求的 UCC53xx 栅极驱动器，可通过光耦合器提供更长的使用寿命和更佳的传播延迟匹配，从而最大程度地减小逆变器死区失真和损耗。如有需要，可在控制器之间使用另一级别的基本隔离，以实现系统级增强型隔离。该方法可优化系统的隔离成本并带来额外的紧凑优势。该设计还演示了栅极驱动器的互锁特性，可在击穿期间保护 IGBT。该参考设计使用 F28379 Delfino 控制卡生成 PWM 信号，适用于控制三相逆变器。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
SOIC (DWV) 8 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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