UCC5390-Q1
- 5kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 温度等级 1
- HBM ESD 分类等级 H2
- CDM ESD 分类等级 C6
- 功能安全质量管理型
- 以 GND2 为基准的 12V UVLO
- 8 引脚 DWV（8.5mm 爬电）封装
- 60ns（典型值）传播延迟
- 较小的器件间传播延迟偏移
- 100V/ns 最小 CMTI
- 10A 最小峰值电流
- 3V 至 15V 输入电源电压
- 驱动器电源电压高达 33V
- 输入引脚具有负 5V 电压处理能力
- 安全相关认证：
- 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 7000VPK 隔离 (DWV)（计划）
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000VRMS (DWV) 隔离等级
- 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
- CMOS 输入
- 工作结温：-40°C 至 +150°C
UCC5390-Q1 是一款单通道隔离式栅极驱动器，具有 10A 最小峰值拉电流和 10A 最小峰值灌电流，专为驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 而设计。UCC5390-Q1 的 UVLO2 以 GND2 为基准，有利于使用双极电源并优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性。
UCC5390-Q1 采用 8.5mm SOIC-8 (DWV) 封装，可支持高达 5kVRMS 的隔离电压。输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，隔离栅寿命超过 40 年。凭借高驱动强度和真正的 UVLO 检测，该器件非常适用于在车载充电器和牵引逆变器等应用中驱动 IGBT 和 SiC MOSFET。
与光耦合器相比，UCC5390-Q1 的器件间偏移更低，传播延迟更小，工作温度更高，并且 CMTI 更高。
技术文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 6
| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | UCC5390-Q1 适用于 SiC/IGBT 和汽车应用的 单通道隔离式栅极驱动器 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2024-2-22 |
| 证书 | VDE Certificate for Basic Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AA) | 2026-6-11 | ||||
| 证书 | UL Certification E181974 Vol 4. Sec 7 (Rev. D) | 2025-9-8 | ||||
| 证书 | UCC5310 CQC Certificate of Product Certification | PDF | HTML | 2023-8-16 | |||
| 应用简报 | 栅极驱动电路中铁氧体磁珠的使用和优势 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2022-11-14 | |
| 功能安全信息 | UCC5390-Q1 Functional Safety, FIT Rate, Failure Mode Distribution and Pin FMA | PDF | HTML | 2022-3-16 |
设计与开发
如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。
评估板
UCC5390ECDWVEVM — UCC5390ECDWV 10A、10A 5kVRM 隔离式单通道栅极驱动器评估模块
UCC5390ECDWVEVM 适用于评估 UCC53xxDWV 系列，该系列是一种具备 10A 拉电流和 10A 峰值灌电流能力的 5.0-kVRMS 隔离式单通道栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。该 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
用户指南:
PDF
计算工具
SLURAY7 — UCC53x0 Gate Resistor and Thermal Calculator Tool
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (DWV) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。