PMP21561

安全隔离式次级 SiC MOSFET 驱动器参考设计

PMP21561

设计文件

概述

此参考设计为汽车电池充电系统提供了一个集成式高侧和低侧隔离式次级栅极驱动器解决方案,采用了两个推挽 SN6505B 变压器驱动器和一个隔离式双通道栅极驱动器 UCC21521C。

特性
  • 双电源 +15V/-4V 输出
  • 4V 负输出,可实现快速 FET 关断
  • 1.500" x 1.750" 的小巧电路板
  • 最高 120mA 的高 FET 驱动电流,可降低开关损耗
输出电压选项 PMP21561.1
Vin (Min) (V) 4.85
Vin (Max) (V) 5.15
Vout (Nom) (V) 19
Iout (Max) (A) .12
Output Power (W) 2.28
Isolated/Non-Isolated Isolated
Input Type DC
Topology Forward- Push Pull
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDT040A.PDF (1203 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDRXR7A.PDF (150 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRXR8A.PDF (94 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRXR9.PDF (110 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRXS1A.ZIP (592 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCF14.ZIP (1795 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRXS0.PDF (472 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

变压器驱动器

SN6505B适用于隔离电源的低噪声、1A、420kHz 变压器驱动器

数据表: PDF | HTML
隔离式栅极驱动器

UCC21530-Q1具有用于 IGBT/SiC 的 EN 和 DT 引脚的汽车类 4A/6A、5.7kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器

数据表: PDF | HTML

技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 测试报告 Safety Isolated Secondary SiC MOSFET Driver Reference Design (Rev. A) 2019年 4月 25日

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