安全隔离式初级 SiC MOSFET 驱动器参考设计
PMP21553
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描述

此参考设计为汽车电池充电系统提供了一个集成式高侧和低侧隔离式初级栅极驱动器解决方案,采用了两个推挽 SN6505B 变压器驱动器和一个隔离式双通道栅极驱动器 UCC21521C。

特性
  • 双电源 +15V/-4V 输出
  • 4V 负输出,可实现快速 FET 关断
  • 1.500" x 1.750" 的小巧电路板
  • 最高 120mA 的高 FET 驱动电流,可降低开关损耗

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参数
 PMP21553.1
(Output Voltage 1)
Vin (Min) (V)4.85
Vin (Max) (V)5.15
Vout (Nom) (V)19
Iout (Max) (A).12
Output Power (W)2.28
隔离/非隔离Isolated
输入类型DC
拓扑Forward- Push Pull

符号和封装

型号 封装 | 引脚 CAD File (.bxl) STEP Model (.stp)
SN6505B 下载 下载
UCC21530-Q1 下载

Texas Instruments and Accelerated Designs, Inc. have collaborated together to provide TI customers with schematic symbols and PCB layout footprints for TI products.

步骤 1: 下载并安装 读取器软件 免费下载.

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技术文档

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用户指南 (1)
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新英文版本
PDF 1265 2019年 4月 25日
设计文件 (6)
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新英文版本
PDF 154 2019年 4月 25日
ZIP 592 2019年 4月 25日
PDF 94 2019年 2月 25日
ZIP 1804 2018年 11月 19日
PDF 475 2018年 11月 19日
PDF 110 2018年 11月 19日

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