LMG1210EVM-012

LMG1210 半桥开环评估模块

LMG1210EVM-012

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概述

LMG1210EVM-012 旨在用于评估适用于 GaN FET 的 LMG1210 兆赫兹级 200V 半桥驱动器。该 EVM 由两个配置在同一半桥中的氮化镓 FET 组成,这两个 FET 由一个 LMG1210 驱动。评估板上没有控制器。

特性
  • 展示驱动器的高频功能
  • 展示驱动器的高共模瞬态抗扰度 (CMTI)
  • 展示驱动器卓越的传播和匹配能力以及驱动强度
  • 展示死区时间块功能以及对效率的积极影响
  • 这是一个可订购的 PCB(硬件),用于展示可产生用于 D 类音频、包络跟踪和高频直流/直流应用的独特激光的驱动器。
半桥驱动器
LMG1210 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器
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* EVM 用户指南 Using the LMG1210EVM-012 300 V Half-Bridge Driver for GaN 2018年 1月 29日
数据表 具有可调节死区时间的 LMG1210 200V、1.5A、3A 半桥 MOSFET 和 GaN FET 驱动器 (适合 工作频率高达 50MHz 的应用) 数据表 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2019年 5月 20日
证书 LMG1210EVM-012 EU Declaration of Conformity (DoC) 2019年 1月 2日

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