LM74610-SQEVM

反极性保护智能二极管控制器评估模块

LM74610-SQEVM

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概述

LM74610-SQEVM 评估模块展示了可用于取代肖特基二极管和 P 通道 MOSFET 的反极性保护解决方案。在此反极性保护解决方案中,LM74610 智能二极管控制器用于为 40V (VDS) 外部 N 通道 MOSFET 提供栅极驱动。LM74610-SQEVM 与电源串联时模拟理想的二极管属性。在输入中感应到负电压时,LM74610 拉下 MOSFET 栅极并将连接的负载与电源隔离。TVS 电压钳位二极管 D1_1 和 D1_2 负责保护 LM74610-SQEVM 的安全以便进行 ISO7637 瞬态脉冲测试。

特性
  • 最高输入电压为 MOSFET 的漏源极电压:40V
  • 快速响应动态电流反向:<10μs
  • 最高输入电压为 MOSFET 的漏源极电压:40V
  • 最大负载电流为漏电流 (Id):75A
  • 零 Iq 和低反向漏电流
  • 符合汽车 ISO7637 和 CISPR25 要求

  • LM74610-SQEVM Reverse Polarity Protection Smart Diode Controller Evaluation Module

理想二极管/ ORing控制器
LM74610-Q1 0.48V 至 42V、零 IQ 汽车理想二极管控制器

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评估板

LM74610-SQEVM – Reverse Polarity Protection Smart Diode Controller Evaluation Module

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 用户指南 LM74610-SQ EVM User’s Guide 2015年 10月 10日
更多文献资料 LM74610-SQEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2019年 1月 2日
用户指南 LM74610-DQEVM User’s Guide 2015年 10月 12日

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