LM74610-SQEVM
反极性保护智能二极管控制器评估模块
LM74610-SQEVM
概述
LM74610-SQEVM 评估模块展示了反极性保护，可作为肖特基二极管和 P 沟道 MOSFET 的替代产品。在这种反极性保护解决方案中，使用 LM74610 智能二极管控制器提供 40V (VDS) 外部 N 沟道 MOSFET 的栅极驱动器。LM74610-SQEVM 与电源串联时，可仿真理想二极管的特性。当在输入端检测到负电压后，LM74610 会下拉 MOSFET 栅极并将连接的负载与电源隔离。TVS 电压钳位二极管 D1_1 和 D1_2 使 LM74610-SQEVM 可安全地进行 ISO7637 瞬态脉冲测试。
特性
- 最大输入电压为 MOSFET 的漏源电压：40V
- 动态电流反向快速响应 < 10μs
- 最大输入电压为 MOSFET 的漏源电压：40V
- 最大负载电流为漏极电流 (Id)：75A
- 零 Iq 和低反向漏电流
- 符合汽车 ISO7637 和 CISPR25 要求
- LM74610-SQEVM 反极性保护智能二极管控制器评估模块
理想二极管 ORing 控制器
技术文档
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | EVM 用户指南 | LM74610-DQEVM User’s Guide | 2015-10-12 | |||
| * | EVM 用户指南 | LM74610-SQ EVM User’s Guide | 2015-10-10 | |||
| 证书 | LM74610-SQEVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2019-1-2 |