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LM5163

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具有超低 IQ 的 100V 输入、0.5A 同步降压直流/直流转换器

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LM5163

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Vin (Min) (V) 6 Vin (Max) (V) 100 Vout (Min) (V) 1.2 Vout (Max) (V) 90 Iout (Max) (A) 0.5 Iq (Typ) (uA) 10.5 Switching frequency (Min) (kHz) 75 Switching frequency (Max) (kHz) 1000 Features Enable, Light Load Efficiency, Over Current Protection, Power Good, Soft Start Fixed, Synchronous Rectification Rating Catalog Regulated outputs (#) 1 Control mode Constant on-time (COT) Duty cycle (Max) (%) 99
Vin (Min) (V) 6 Vin (Max) (V) 100 Vout (Min) (V) 1.2 Vout (Max) (V) 90 Iout (Max) (A) 0.5 Iq (Typ) (uA) 10.5 Switching frequency (Min) (kHz) 75 Switching frequency (Max) (kHz) 1000 Features Enable, Light Load Efficiency, Over Current Protection, Power Good, Soft Start Fixed, Synchronous Rectification Rating Catalog Regulated outputs (#) 1 Control mode Constant on-time (COT) Duty cycle (Max) (%) 99
HSOIC (DDA) 8 19 mm² 4.9 x 3.9
  • 专为可靠耐用的应用 设计
    • 6V 至 100V 的宽输入电压范围
    • 结温范围：–40°C 至 +150°C
    • 固定 3ms 内部软启动计时器
    • 峰值和谷值电流限制保护
    • 输入 UVLO 和热关断保护
  • 适用于可扩展的工业电源和电池组
    • 最短导通时间和关闭时间低：50ns
    • 高达 1MHz 的可调节开关频率
    • 可实现高轻负载效率的二极管仿真
    • 10.5µA 空载输入静态电流
    • 3µA 关断静态电流
  • 超低 EMI 辐射
    • 针对 CISPR 25 5 类 标准进行了优化
  • 通过集成技术减小解决方案尺寸，降低成本
    • COT 模式控制架构
    • 集成式 0.725Ω NFET 降压开关
    • 集成式 0.34Ω NFET 同步整流器省去了外部肖特基二极管
    • 1.2V 内部电压基准
    • 无环路补偿组件
    • 内部 VCC 偏置稳压器和自举二极管
    • 漏极开路电源正常指示器
    • 带 PowerPAD™ 的 8 引脚 SOIC 封装
  • 使用 WEBENCH® 电源设计器创建定制稳压器设计
  • 专为可靠耐用的应用 设计
    • 6V 至 100V 的宽输入电压范围
    • 结温范围：–40°C 至 +150°C
    • 固定 3ms 内部软启动计时器
    • 峰值和谷值电流限制保护
    • 输入 UVLO 和热关断保护
  • 适用于可扩展的工业电源和电池组
    • 最短导通时间和关闭时间低：50ns
    • 高达 1MHz 的可调节开关频率
    • 可实现高轻负载效率的二极管仿真
    • 10.5µA 空载输入静态电流
    • 3µA 关断静态电流
  • 超低 EMI 辐射
    • 针对 CISPR 25 5 类 标准进行了优化
  • 通过集成技术减小解决方案尺寸，降低成本
    • COT 模式控制架构
    • 集成式 0.725Ω NFET 降压开关
    • 集成式 0.34Ω NFET 同步整流器省去了外部肖特基二极管
    • 1.2V 内部电压基准
    • 无环路补偿组件
    • 内部 VCC 偏置稳压器和自举二极管
    • 漏极开路电源正常指示器
    • 带 PowerPAD™ 的 8 引脚 SOIC 封装
  • 使用 WEBENCH® 电源设计器创建定制稳压器设计

LM5163 同步降压转换器用于在宽输入电压范围内进行调节，从而最大限度地减少对外部浪涌抑制组件的需求。50ns 的最短可控导通时间有助于实现较大的降压比，支持从 48V 标称输入到低电压轨的直接降压转换，从而降低系统的复杂性并减少解决方案成本。LM5163 在输入电压突降至 6V 时能够根据需要以接近 100% 的占空比继续工作，使其成为宽输入电源范围工业和高电池节数电池组 应用的理想选择。

LM5163 具有集成式高侧和低侧功率 MOSFET，可提供高达 0.5A 的输出电流。恒定导通时间 (COT) 控制架构可提供几乎恒定的开关频率，具有出色的负载和线路瞬态响应。其他 特性 LM5163 的其他特性包括超低 IQ 和二极管仿真模式运行（可实现高轻负载效率）、创新的峰值和谷值过流保护、集成式 VCC 偏置电源和自举二极管、精密使能和输入 UVLO 以及具有自动恢复功能的热关断保护。开漏 PGOOD 指示器可提供进行定序、故障报告和输出电压监视功能。

LM5163 采用热增强型 8 引脚 SO PowerPAD™ 封装。其 1.27mm 引脚间距可以为高电压 应用的实施。

LM5163 同步降压转换器用于在宽输入电压范围内进行调节，从而最大限度地减少对外部浪涌抑制组件的需求。50ns 的最短可控导通时间有助于实现较大的降压比，支持从 48V 标称输入到低电压轨的直接降压转换，从而降低系统的复杂性并减少解决方案成本。LM5163 在输入电压突降至 6V 时能够根据需要以接近 100% 的占空比继续工作，使其成为宽输入电源范围工业和高电池节数电池组 应用的理想选择。

LM5163 具有集成式高侧和低侧功率 MOSFET，可提供高达 0.5A 的输出电流。恒定导通时间 (COT) 控制架构可提供几乎恒定的开关频率，具有出色的负载和线路瞬态响应。其他 特性 LM5163 的其他特性包括超低 IQ 和二极管仿真模式运行（可实现高轻负载效率）、创新的峰值和谷值过流保护、集成式 VCC 偏置电源和自举二极管、精密使能和输入 UVLO 以及具有自动恢复功能的热关断保护。开漏 PGOOD 指示器可提供进行定序、故障报告和输出电压监视功能。

LM5163 采用热增强型 8 引脚 SO PowerPAD™ 封装。其 1.27mm 引脚间距可以为高电压 应用的实施。
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Welcome to the LM5163 and LM5164 Quickstart Design Tool. This standalone tool facilitates and assists the power supply engineer with design of a DC/DC buck converter based on the LM5163 and LM5164 low IQ synchronous buck DC/DC regulator. As such, the user can expeditiously arrive at an optimized (...)
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PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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TIDA-010216 — 适用于大容量应用且具有低侧 MOSFET 控制功能的 16 芯串联电池包参考设计

此参考设计是一款待机和运输模式电流消耗低、电芯电压精度高的 16 芯串联锂离子、磷酸铁锂电池包。该设计能够非常精确地监测各个电芯的电压和温度、电池包电流和 MOSFET 温度，并防止锂离子和磷酸铁锂电池包出现电芯过压、欠压、过热、充放电过流以及放电短路现象。五对低侧 N 沟道 MOSFET 架构具有强大的开关能力，使该设计能够承受更大的充放电电流。利用高效的辅助电源策略，此参考设计可实现 100μA 待机功耗和 10μA 运输模式功耗，因此能够节省更多能源并实现更长的运输时间和待机时间。这些特性使得此参考设计适用于电信和服务器、住宅储能系统 (...)
设计指南: PDF
参考设计

TIDA-010208 — 具有精确电池测量和高侧 MOSFET 控制功能的 10 节至 16 节串联电池组参考设计

此参考设计是一款待机和运输模式电流消耗低、电池电压精度高的 10-16 节串联锂离子、磷酸铁锂电池组设计。它能够非常精确地监控每节电池的电压和温度、电池组电流和 MOSFET 温度，并防止锂离子、磷酸铁锂电池组出现电池过压、欠压、过热和充放电过流以及放电短路现象。采用高侧 N 沟道 MOSFET 架构，具有强大的驱动开关能力。利用高效的辅助电源策略，此参考设计可实现 100μA 待机功耗和 10μA 运输模式功耗，因此能够节省更多能源并实现更长的运输时间和空闲时间。借助上述特性，此参考设计非常适用于电动自行车和电动踏板车电池组应用。
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