主页 传感器 磁传感器 霍尔效应锁存器和开关
主页
传感器
磁传感器
霍尔效应锁存器和开关

DRV5012

正在供货

低功耗（低至 3.3µA）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器

立即订购
数据表

DRV5012

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

Type Latch Operate point (typ) (mT) 2 Operate point (max) (mT) 3.3 Release point (min) (mT) -3.3 Supply current (µA) 1.3, 142 Bandwidth (kHz) 0.002, 0.02, 2.5 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Output Push-Pull output driver
Type Latch Operate point (typ) (mT) 2 Operate point (max) (mT) 3.3 Release point (min) (mT) -3.3 Supply current (µA) 1.3, 142 Bandwidth (kHz) 0.002, 0.02, 2.5 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Output Push-Pull output driver
X2SON (DMR) 4 1.54 mm² (1.4 mm × 1.1 mm)
  • 行业领先的低功耗特性
  • 可通过引脚选择的采样率：
    • SEL = 低电平：使用 1.3µA (1.8V) 时为 20Hz
    • SEL = 高电平：使用 142µA (1.8V) 时为 2.5kHz
  • VCC 工作电压范围为 1.65V 至 5.5V
  • 高磁性灵敏度：±2mT（典型值）
  • 可靠磁滞：4mT（典型值）
  • 推挽式 CMOS 输出
  • 小型纤薄 X2SON 封装
  • 运行温度范围：–40°C 至 +85°C
  • 行业领先的低功耗特性
  • 可通过引脚选择的采样率：
    • SEL = 低电平：使用 1.3µA (1.8V) 时为 20Hz
    • SEL = 高电平：使用 142µA (1.8V) 时为 2.5kHz
  • VCC 工作电压范围为 1.65V 至 5.5V
  • 高磁性灵敏度：±2mT（典型值）
  • 可靠磁滞：4mT（典型值）
  • 推挽式 CMOS 输出
  • 小型纤薄 X2SON 封装
  • 运行温度范围：–40°C 至 +85°C

DRV5012 器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。 ™

当南磁极靠近封装顶部并且超出 BOP 阈值时，该器件会驱动低电压。输出会保持低电平，直到应用北极并且超出 BRP 阈值，这将使输出驱动高电压。必须交换北极和南极才能切换输出，且集成的磁滞会分开 BOP 和 BRP 以提供可靠切换。

通过使用内部振荡器，DRV5012 器件对磁场进行采样，并根据 SEL 引脚以 20Hz 或 2.5kHz 的速率更新输出。这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变化。

此器件通过 1.65V 至 5.5V 的 VCC 工作，并采用小型 X2SON 封装。

DRV5012 器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。 ™

当南磁极靠近封装顶部并且超出 BOP 阈值时，该器件会驱动低电压。输出会保持低电平，直到应用北极并且超出 BRP 阈值，这将使输出驱动高电压。必须交换北极和南极才能切换输出，且集成的磁滞会分开 BOP 和 BRP 以提供可靠切换。

通过使用内部振荡器，DRV5012 器件对磁场进行采样，并根据 SEL 引脚以 20Hz 或 2.5kHz 的速率更新输出。这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变化。

此器件通过 1.65V 至 5.5V 的 VCC 工作，并采用小型 X2SON 封装。
filter 查找其他 霍尔效应锁存器和开关
下载 观看带字幕的视频 视频

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同且具有相同引脚。
DRV5011 正在供货 小尺寸（采用 WCSP 和 X2SON 封装）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 DRV5011 offers a similar latch threshold for full bandwidth needs in the smallest package footprint.
功能与比较器件相同但引脚有所不同。
DRV5015 正在供货 高灵敏度 (±2mT)、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 Higher sensitivity

技术文档

未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 10
顶层文档 类型 标题 格式选项 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 DRV5012 超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2017-9-25
应用简报 TI 磁感应仿真器功能简介 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023-12-13
用户指南 德州仪器 (TI) 磁感应仿真器用户指南 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023-12-13
应用简报 在电动百叶窗中使用霍尔效应锁存器 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023-2-22
应用简报 增量旋转编码器 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2022-11-18
应用简报 使用适用于旋转流量计应用的霍尔效应传感器进行设计 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022-11-2
应用手册 机械式霍尔效应流量计的设计考量和测量结果 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022-6-3
应用简报 Two-State Selector Using Hall-Effect Sensors PDF | HTML 2021-12-1
应用简报 Hall-Effect Sensors in Low-Power Applications (Rev. B) PDF | HTML 2021-10-15
技术文章 You can be an electromechanical engineer PDF | HTML 2017-11-10

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

DRV5011-5012EVM — DRV5011 和 DRV5012 超低功耗、数字锁存器霍尔效应传感器评估模块

DRV5011-5012EVM 可简化 DRV5012 和 DRV5011 霍尔效应传感器的评估。DRV5012 是一款可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。DRV5011 是一款超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。  这些传感器在磁体极性反转或磁场达到特定阈值而触发传感器逻辑时，会改变其输出状态。
用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
评估板

HALL-ADAPTER-EVM — 霍尔传感器分线适配器评估模块

借助 HALL-ADAPTER-EVM 加快开关、锁存器和线性霍尔传感器的原型设计和测试，有助于快速轻松地连接小型 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的霍尔传感器，或者将这些端子板直接连接至现有电路。支持的封装的完整列表包括 SOT-23、TO-92、X2SON、SOT-23-5/6、2x2 WCS（0.4mm 间距）和 MSOP-8。
用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
模拟工具

TI-MAGNETIC-SENSE-SIMULATOR — TI Magnetic sensing simulation tool

TI-MAGNETIC-SENSE-SIMULATOR (TIMSS) Web 工具可为磁性位置检测系统估算磁通密度和 TI 磁传感器输出。从我们的磁传感器产品系列中进行选择，以便全面仿真该设计的机电性能。该工具支持各种磁体形状、等级和运动类型，可让您轻松定制设计。
支持的产品和硬件
计算工具

HALL-PROXIMITY-DESIGN — Magnetic Sensing Proximity Tool

HALL-PROXIMITY-DESIGN 是一款软件工具，可促进磁体和霍尔效应传感器系统的快速迭代设计。

支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
X2SON (DMR) 4 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

查看全部论坛主题 查看英文版全部论坛主题

所有内容均由 TI 和社区贡献者按“原样”提供，并不构成 TI 规范。请参阅使用条款。

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问，请参阅 TI 支持。​​​​​​​​​​​​​​

视频系列

观看全部视频

视频