产品详情

Type Latch Operate point (max) (mT) 3.3 Release point (min) (mT) -3.3 Supply current (µA) 1.3, 142 Bandwidth (kHz) 0.02, 2.5 Supply voltage (min) (V) 1.65 Supply voltage (max) (V) 5.5 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Output Push-Pull output driver
Type Latch Operate point (max) (mT) 3.3 Release point (min) (mT) -3.3 Supply current (µA) 1.3, 142 Bandwidth (kHz) 0.02, 2.5 Supply voltage (min) (V) 1.65 Supply voltage (max) (V) 5.5 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Output Push-Pull output driver
X2SON (DMR) 4 1.54 mm² 1.4 x 1.1
  • 行业领先的低功耗特性
  • 可通过引脚选择的采样率:
    • SEL = 低电平:使用 1.3µA (1.8V) 时为 20Hz
    • SEL = 高电平:使用 142µA (1.8V) 时为 2.5kHz
  • VCC 工作电压范围为 1.65V 至 5.5V
  • 高磁性灵敏度:±2mT(典型值)
  • 可靠磁滞:4mT(典型值)
  • 推挽式 CMOS 输出
  • 小型纤薄 X2SON 封装
  • 运行温度范围:–40°C 至 +85°C
  • 行业领先的低功耗特性
  • 可通过引脚选择的采样率:
    • SEL = 低电平:使用 1.3µA (1.8V) 时为 20Hz
    • SEL = 高电平:使用 142µA (1.8V) 时为 2.5kHz
  • VCC 工作电压范围为 1.65V 至 5.5V
  • 高磁性灵敏度:±2mT(典型值)
  • 可靠磁滞:4mT(典型值)
  • 推挽式 CMOS 输出
  • 小型纤薄 X2SON 封装
  • 运行温度范围:–40°C 至 +85°C

DRV5012 器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。 ™

当南磁极靠近封装顶部并且超出 BOP 阈值时,该器件会驱动低电压。输出会保持低电平,直到应用北极并且超出 BRP 阈值,这将使输出驱动高电压。必须交换北极和南极才能切换输出,且集成的磁滞会分开 BOP 和 BRP 以提供可靠切换。

通过使用内部振荡器,DRV5012 器件对磁场进行采样,并根据 SEL 引脚以 20Hz 或 2.5kHz 的速率更新输出。这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变化。

此器件通过 1.65V 至 5.5V 的 VCC 工作,并采用小型 X2SON 封装。

DRV5012 器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。 ™

当南磁极靠近封装顶部并且超出 BOP 阈值时,该器件会驱动低电压。输出会保持低电平,直到应用北极并且超出 BRP 阈值,这将使输出驱动高电压。必须交换北极和南极才能切换输出,且集成的磁滞会分开 BOP 和 BRP 以提供可靠切换。

通过使用内部振荡器,DRV5012 器件对磁场进行采样,并根据 SEL 引脚以 20Hz 或 2.5kHz 的速率更新输出。这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变化。

此器件通过 1.65V 至 5.5V 的 VCC 工作,并采用小型 X2SON 封装。

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设计和开发

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评估板

DRV5011-5012EVM — DRV5011 和 DRV5012 超低功耗、数字锁存器霍尔效应传感器评估模块

DRV5011-5012EVM 便于评估 DRV5012 和 DRV5011 霍尔效应传感器。DRV5012 是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。DRV5011 是超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。这些传感器在磁体逆转极性或磁场达到特定阈值而触发传感器逻辑时,会改变其输出状态。
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评估板

HALL-ADAPTER-EVM — 霍尔传感器分线适配器评估模块

借助 HALL-ADAPTER-EVM 加快您的开关、锁存器和线性霍尔传感器原型设计和测试,该 EVM 有助于快速轻松地连接小型 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的霍尔传感器,或者将这些端子板直接连接至现有电路。
用户指南: PDF
下载英文版本 (Rev.C): PDF
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模拟工具

MAGNETIC-SENSE-ENHANCED-PROXIMITY Magnetic sense enhanced proximity tool

The magnetic sense enhanced proximity tool offers the ability to simulate and model magnetic field inputs from a moving magnet and then to generate a typical device output response for a selected magnetic sensor along with 3D animations.
lock = 需要出口许可(1 分钟)
支持的产品和硬件

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产品
霍尔效应锁存器和开关
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汽车类 2.5-V 至 5.5-V 霍尔效应单极开关

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线性霍尔效应传感器
DRV5053 高电压(高达 38V)、线性霍尔效应传感器 DRV5053-Q1 汽车类、高电压(高达 38V)、线性霍尔效应传感器 DRV5055 具有模拟输出的比例式线性霍尔效应传感器 DRV5055-Q1 具有模拟输出的汽车类、比例式线性霍尔效应传感器 DRV5056 具有模拟输出的比例式单极线性霍尔效应传感器 DRV5056-Q1 具有模拟输出的汽车类、比例式单极线性霍尔效应传感器 DRV5057 具有 PWM 输出的线性霍尔效应传感器 DRV5057-Q1 具有数字 PWM 输出的汽车类线性霍尔效应传感器
多轴线性和角度位置传感器
TMAG5170 具有 SPI 总线接口的高精度、线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG5170-Q1 具有 SPI 总线接口的汽车类高精度、线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG5173-Q1 具有 I²C 接口的汽车类高精度、线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG5273 具有 I²C 接口的低功耗线性 3D 霍尔效应传感器
硬件开发
DRV5011-5012EVM DRV5011 和 DRV5012 超低功耗、数字锁存器霍尔效应传感器评估模块 DRV5032-SOLAR-EVM DRV5032 超低功耗、1.65V 至 5.5V 霍尔效应开关传感器评估模块 DRV5055-5057EVM DRV5055、DRV5056 和 DRV5057 线性霍尔效应传感器评估模块 DRV5055-ANGLE-EVM DRV5055 角度评估模块 DRV5055EVM DRV5055 评估模块 TMAG5110-5111EVM 适用于 TMAG511x 高灵敏度 2D 双通道霍尔效应锁存器的评估模块 TMAG5115EVM TMAG5115 具有高灵敏度、低抖动和高电压的霍尔效应锁存器评估模块 TMAG5123EVM TMAG5123 平面内高精度霍尔效应开关评估模块 TMAG5124EVM

TMAG5124 双线霍尔效应开关评估模块

TMAG5170UEVM 适用于 TMAG5170 SPI 总线接口、高精度线性 3D 霍尔效应传感器的评估模块 TMAG5173EVM TMAG5173-Q1 具有 I²C 接口的汽车级、高精度、线性 3D 霍尔效应传感器评估模块 TMAG5273EVM 适用于 TMAG5273 SPI 总线接口、低功耗线性 3D 霍尔效应传感器的评估模块 TMAG5328EVM 适用于 TMAG5328 电阻器可调节低功耗霍尔效应开关的评估模块
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计算工具
HALL-PROXIMITY-DESIGN Magnetic sensing proximity tool
lock 下载选项
计算工具

HALL-PROXIMITY-DESIGN — Magnetic sensing proximity tool

HALL-PROXIMITY-DESIGN 是一款软件工具,可促进磁体和霍尔效应传感器系统的快速迭代设计。
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