低功耗(低至 3.3μA)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器

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产品详细信息

参数

Type Latch Supply voltage (Vcc) (Min) (V) 1.65 Supply voltage (Vcc) (Max) (V) 5.5 Operate point (Max) (mT) 3.3 Release point (Min) (mT) -3.3 Output Push-pull output driver Operating temperature range (C) -40 to 85 open-in-new 查找其它 霍尔效应锁存器和开关

封装|引脚|尺寸

X2SON (DMR) 4 2 mm² 1.4 x 1.1 open-in-new 查找其它 霍尔效应锁存器和开关

特性

  • 行业领先的低功耗特性
  • 可通过引脚选择的采样率:
    • SEL = 低电平:使用 1.3µA (1.8V) 时为 20Hz
    • SEL = 高电平:使用 142µA (1.8V) 时为 2.5kHz
  • VCC 工作电压范围为 1.65V 至 5.5V
  • 高磁性灵敏度:±2mT(典型值)
  • 可靠磁滞:4mT(典型值)
  • 推挽式 CMOS 输出
  • 小型纤薄 X2SON 封装
  • 运行温度范围:–40°C 至 +85°C

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描述

DRV5012 器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。 ™

当南磁极靠近封装顶部并且超出 BOP 阈值时,该器件会驱动低电压。输出会保持低电平,直到应用北极并且超出 BRP 阈值,这将使输出驱动高电压。必须交换北极和南极才能切换输出,且集成的磁滞会分开 BOP 和 BRP 以提供可靠切换。

通过使用内部振荡器,DRV5012 器件对磁场进行采样,并根据 SEL 引脚以 20Hz 或 2.5kHz 的速率更新输出。这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变化。

此器件通过 1.65V 至 5.5V 的 VCC 工作,并采用小型 X2SON 封装。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 数据表 DRV5012 超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器 数据表 下载英文版本 2017年 9月 25日
用户指南 DRV5011-5012EVM User's Guide 2019年 11月 15日
技术文章 Driving industrial innovation with small-size sensors 2019年 9月 12日
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技术文章 Invisible but indispensable: The future of sensing is magnetic 2017年 11月 8日
应用手册 具有磁传感器的电源门控系统 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) 2017年 10月 30日
应用手册 Incremental Rotary Encoders 2017年 9月 27日
应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南
25
说明
DRV5011-5012EVM 便于评估 DRV5012 和 DRV5011 霍尔效应传感器。DRV5012 是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。DRV5011 是超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。这些传感器在磁体逆转极性或磁场达到特定阈值而触发传感器逻辑时,会改变其输出状态。
特性
  • 通过附带的磁体和 USB 线缆轻松评估和演示 DRV5011
  • 每个分离板上提供三个 DRV5011 和 DRV5012,以便直接集成到系统中进行原型评估
  • 提供了通孔以便将电线连接到分离板
评估板 下载
document-generic 用户指南
10
说明
借助 HALL-ADAPTER-EVM 加快您的开关、锁存器和线性霍尔传感器原型设计和测试,该 EVM 有助于快速轻松地连接小型 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的霍尔传感器,或者将这些端子板直接连接至现有电路。
特性
  • TI 的所有 SOT-23 和 TO-92 霍尔传感器器件评估
  • 分离板上用于上拉电阻器和旁路电容器的焊盘
  • 包含磁体和分离 PCB 标尺

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
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