产品详情

Type Omnipolar switch Release point (min) (mT) 0.5 Supply current (µA) 1.3, 2 Bandwidth (kHz) 0.02 Supply voltage (min) (V) 1.65 Supply voltage (max) (V) 5.5 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Output Open drain, Push-Pull output driver
Type Omnipolar switch Release point (min) (mT) 0.5 Supply current (µA) 1.3, 2 Bandwidth (kHz) 0.02 Supply voltage (min) (V) 1.65 Supply voltage (max) (V) 5.5 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Output Open drain, Push-Pull output driver
SOT-23 (DBZ) 3 6.9204 mm² 2.92 x 2.37
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准:
    • 温度等级 1:–40°C 至 +125°C,TA
  • Z 轴霍尔效应开关
  • 超低功耗(典型 ICC(AVG)):
    • 10Hz 版本:在 3V 时为 1.25µA
    • 20Hz 版本:在 3V 时为 1.37µA
  • 工作 VCC 范围:1.65V 至 5.5V
  • 高精度磁性阈值(典型 BOP):
    • 具有 0.6mT 迟滞的 1.8mT
    • 具有 1.2mT 或 1.5mT 迟滞的 3mT
  • 全极和单极磁响应
  • 推挽或开漏输出选项
  • 低电平有效或高电平有效输出选项
  • 业界通用 SOT-23 (DBZ) 封装
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准:
    • 温度等级 1:–40°C 至 +125°C,TA
  • Z 轴霍尔效应开关
  • 超低功耗(典型 ICC(AVG)):
    • 10Hz 版本:在 3V 时为 1.25µA
    • 20Hz 版本:在 3V 时为 1.37µA
  • 工作 VCC 范围:1.65V 至 5.5V
  • 高精度磁性阈值(典型 BOP):
    • 具有 0.6mT 迟滞的 1.8mT
    • 具有 1.2mT 或 1.5mT 迟滞的 3mT
  • 全极和单极磁响应
  • 推挽或开漏输出选项
  • 低电平有效或高电平有效输出选项
  • 业界通用 SOT-23 (DBZ) 封装

TMAG5131-Q1 是一款超低功耗、低电压、高精度霍尔效应传感器,专为紧凑型和电池关键型汽车应用而设计。该器件提供多种磁性阈值、采样率和输出类型,适用于各种应用。

当施加的磁通量密度超过工作点 (BOP) 阈值时,器件会输出低电压(对于低电平有效版本)。输出会保持低电平,直到磁通密度降至低于释放点 (BRP),随后器件输出高电压。对于高电平有效版本,输出(低电平/高电平)行为被反转。全极磁响应使器件输出能够通过封装的 Z 轴对正负磁通量敏感,而单极版本仅响应正磁通量。

TMAG5131-Q1 在内部进行下电上电,从而以超低的电流消耗运行。在 3V 电压下,10Hz 版本的平均电流消耗为 1.25µA,20Hz 版本消耗 1.37µA。

TMAG5131-Q1 采用业界通用的 SOT-23 封装和引脚排列。

该器件可在 1.65V 至 5.5V 的 VCC 范围以及 –40°C 至 125°C 的更大工作温度范围内运行。

TMAG5131-Q1 是一款超低功耗、低电压、高精度霍尔效应传感器,专为紧凑型和电池关键型汽车应用而设计。该器件提供多种磁性阈值、采样率和输出类型,适用于各种应用。

当施加的磁通量密度超过工作点 (BOP) 阈值时,器件会输出低电压(对于低电平有效版本)。输出会保持低电平,直到磁通密度降至低于释放点 (BRP),随后器件输出高电压。对于高电平有效版本,输出(低电平/高电平)行为被反转。全极磁响应使器件输出能够通过封装的 Z 轴对正负磁通量敏感,而单极版本仅响应正磁通量。

TMAG5131-Q1 在内部进行下电上电,从而以超低的电流消耗运行。在 3V 电压下,10Hz 版本的平均电流消耗为 1.25µA,20Hz 版本消耗 1.37µA。

TMAG5131-Q1 采用业界通用的 SOT-23 封装和引脚排列。

该器件可在 1.65V 至 5.5V 的 VCC 范围以及 –40°C 至 125°C 的更大工作温度范围内运行。

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设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

HALL-ADAPTER-EVM — 霍尔传感器分线适配器评估模块

借助 HALL-ADAPTER-EVM 加快您的开关、锁存器和线性霍尔传感器原型设计和测试,该 EVM 有助于快速轻松地连接小型 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的霍尔传感器,或者将这些端子板直接连接至现有电路。
用户指南: PDF
英语版 (Rev.C): PDF
TI.com 上无现货
计算工具

HALL-PROXIMITY-DESIGN Magnetic Sensing Proximity Tool

HALL-PROXIMITY-DESIGN is a software tool that facilitates rapid iterative design for magnet and Hall-effect sensor systems.

支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
多轴线性和角度位置传感器
TMAG5170 具有 SPI 总线接口的高精度、线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG5170-Q1 具有 SPI 总线接口的汽车类高精度、线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG5173-Q1 具有 I²C 接口的汽车类高精度、线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG5273 具有 I²C 接口的低功耗线性 3D 霍尔效应传感器
线性霍尔效应传感器
DRV5053 高电压(高达 38V)、线性霍尔效应传感器 DRV5053-Q1 汽车类、高电压(高达 38V)、线性霍尔效应传感器 DRV5055 具有模拟输出的比例式线性霍尔效应传感器 DRV5055-Q1 具有模拟输出的汽车类、比例式线性霍尔效应传感器 DRV5056 具有模拟输出的比例式单极线性霍尔效应传感器 DRV5056-Q1 具有模拟输出的汽车类、比例式单极线性霍尔效应传感器 DRV5057 具有 PWM 输出的线性霍尔效应传感器 DRV5057-Q1 具有数字 PWM 输出的汽车类线性霍尔效应传感器
霍尔效应锁存器和开关
DRV5011 小尺寸(采用 WCSP 和 X2SON 封装)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 DRV5012 低功耗(低至 3.3μA)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 DRV5013 高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 DRV5013-Q1 汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 DRV5015 高灵敏度 (±2mT)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 DRV5015-Q1 汽车类、高灵敏度 (±2mT)、低电压(高达 5.5V)霍尔效应锁存器 DRV5021 低电压(最高 5.5V)、高带宽(高达 30kHz)单极开关 DRV5021-Q1 汽车类 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关 DRV5023 高电压(高达 38V)、高带宽(高达 30kHz)单极开关 DRV5023-Q1 汽车类 2.7V 至 38V 霍尔效应单极开关 DRV5032 低功耗(5Hz、<1µA)、低电压(最高 5.5V)开关 DRV5033 高电压(高达 38V)、高带宽(高达 30kHz)全极开关 DRV5033-Q1 汽车类 2.7V 至 38V 霍尔效应全极开关 TMAG5110 高灵敏度、2D、双通道、霍尔效应锁存器 TMAG5110-Q1 汽车类、高灵敏度、2D、双通道、霍尔效应锁存器 TMAG5111 高灵敏度、2D、双通道、速度和方向输出、霍尔效应锁存器 TMAG5111-Q1 汽车类、高灵敏度、2D、双通道、速度和方向输出、霍尔效应锁存器 TMAG5123 高压(高达 38V)、平面高精度开关 TMAG5123-Q1 汽车类平面、高精度、高压开关 TMAG5124 双线(电流输出)、高压(高达 38V)、高精度遥感开关 TMAG5131-Q1 汽车类低功耗(10Hz,1µA)低电压(低至 1.65V)霍尔效应开关 TMAG5231 低功耗、低压(1.65V 至 5.5V)霍尔效应开关 TMAG5328 电阻器可调节的低功耗霍尔效应开关
硬件开发
评估板
DRV5055-5057EVM DRV5055、DRV5056 和 DRV5057 线性霍尔效应传感器评估模块 DRV5055EVM DRV5055 评估模块 HALL-ADAPTER-EVM 霍尔传感器分线适配器评估模块 TMAG5170UEVM TMAG5170 SPI 总线接口、高精度线性 3D 霍尔效应传感器评估模块
软件
计算工具
HALL-PROXIMITY-DESIGN Magnetic sensing proximity tool
模拟工具

TI-MAGNETIC-SENSE-SIMULATOR TI Magnetic sensing simulation tool

The TI-MAGNETIC-SENSE-SIMULATOR (TIMSS) webtool estimates magnetic flux density and TI magnetic sensor outputs for magnetic position sensing systems. The tool has device emulation and supports various magnet shapes, grades and motion types.

支持的产品和硬件

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线性霍尔效应传感器
DRV5053 高电压(高达 38V)、线性霍尔效应传感器 DRV5053-Q1 汽车类、高电压(高达 38V)、线性霍尔效应传感器 DRV5055 具有模拟输出的比例式线性霍尔效应传感器 DRV5055-Q1 具有模拟输出的汽车类、比例式线性霍尔效应传感器 DRV5056 具有模拟输出的比例式单极线性霍尔效应传感器 DRV5056-Q1 具有模拟输出的汽车类、比例式单极线性霍尔效应传感器 DRV5057 具有 PWM 输出的线性霍尔效应传感器 DRV5057-Q1 具有数字 PWM 输出的汽车类线性霍尔效应传感器 TMAG5253 具有使能引脚、采用超小型 X2SON 封装的低功耗线性霍尔效应传感器
多轴线性和角度位置传感器
TMAG5170 具有 SPI 总线接口的高精度、线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG5170-Q1 具有 SPI 总线接口的汽车类高精度、线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG5170D-Q1 具有 SPI 接口的汽车类高精度 3D 线性霍尔效应双芯片传感器 TMAG5173-Q1 具有 I²C 接口的汽车类高精度、线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG5273 具有 I²C 接口的低功耗线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG6180-Q1 具有 360° 角度范围的汽车类高精度模拟 AMR 角度传感器 TMAG6181-Q1 具有集成圈数计数器的汽车类高精度模拟 AMR 角度传感器
硬件开发
DRV5011-5012EVM DRV5011 和 DRV5012 超低功耗、数字锁存器霍尔效应传感器评估模块 DRV5032-SOLAR-EVM DRV5032 超低功耗、1.65V 至 5.5V 霍尔效应开关传感器评估模块 DRV5055-5057EVM DRV5055、DRV5056 和 DRV5057 线性霍尔效应传感器评估模块 DRV5055-ANGLE-EVM DRV5055 角度评估模块 DRV5055EVM DRV5055 评估模块 HALL-ADAPTER-EVM 霍尔传感器分线适配器评估模块 HALL-HINGE-EVM 适用于 TMAG5231 霍尔效应铰链的评估模块 HALL-HMI-ROCKER-EVM 适用于具有霍尔效应开关的人机界面 (HMI) 翘板开关的评估模块 HALL-TRIGGER-EVM 适用于非接触式霍尔效应变速触发器、具有外部磁场保护的评估模块 LDC-HALL-HMI-EVM 适用于电感触控和磁旋钮非接触式用户接口设计的评估模块 TMAG5110-5111EVM 适用于 TMAG511x 高灵敏度 2D 双通道霍尔效应锁存器的评估模块 TMAG5115EVM TMAG5115 具有高灵敏度、低抖动和高电压的霍尔效应锁存器评估模块 TMAG5123EVM TMAG5123 平面内高精度霍尔效应开关评估模块 TMAG5124EVM TMAG5124 双线霍尔效应开关评估模块 TMAG5170DEVM TMAG5170DEVM 高精度 3D 线性霍尔效应双裸片传感器评估模块 TMAG5170UEVM 适用于 TMAG5170 SPI 总线接口、高精度线性 3D 霍尔效应传感器的评估模块 TMAG5173EVM TMAG5173-Q1 具有 I²C 接口的汽车级、高精度、线性 3D 霍尔效应传感器评估模块 TMAG5273EVM 适用于 TMAG5273 SPI 总线接口、低功耗线性 3D 霍尔效应传感器的评估模块 TMAG5328EVM 适用于 TMAG5328 电阻器可调节低功耗霍尔效应开关的评估模块 TMAG6180-6181EVM 具有差分正弦和余弦模拟输出的 TMAG6180 和 TMAG6181 评估模块
软件
计算工具
HALL-PROXIMITY-DESIGN Magnetic sensing proximity tool
封装 引脚 下载
SOT-23 (DBZ) 3 查看选项

订购和质量

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  • REACH
  • 器件标识
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  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
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