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产品详细信息

参数

Type Latch Supply voltage (Vcc) (Min) (V) 2.5 Supply voltage (Vcc) (Max) (V) 5.5 Operate point (Max) (mT) 2.9, 4.5 Release point (Min) (mT) -2.9, -4.5 Output Open drain Operating temperature range (C) -40 to 150 open-in-new 查找其它 霍尔效应锁存器和开关

封装|引脚|尺寸

SOT-23 (DBZ) 3 7 mm² 2.92 x 2.37 open-in-new 查找其它 霍尔效应锁存器和开关

特性

  • 适用于汽车 应用
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
    • 器件温度等级 0:–40°C 至 150°C 的环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 H3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 数字锁存器霍尔效应传感器
  • 高磁性灵敏度:
    • DRV5015A1-Q1:±0.7mT(典型值)
    • DRV5015A2-Q1:±1.8mT(典型值)
    • DRV5015A3-Q1:±1.8mT(反相,典型值)
  • 集成迟滞
  • 30kHz 高速感应带宽
  • 2.5V 至 5.5V 工作 VCC 范围
  • 开漏输出,输出电流高达 20mA

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描述

DRV5015-Q1 是一款低电压数字锁存器霍尔效应传感器,专为高速和高温电机 应用。该器件由
2.5V 至 5.5V 的电源供电,可以检测磁通量密度并根据预定义的磁性阈值显示数字输出。

必须交换北极和南极磁极才能切换输出,集成的磁滞能够提供稳定可靠的切换。

该器件具有两个磁性阈值选项和一个反相输出选项。高磁性灵敏度可提供低成本磁体选择和组件放置灵活性。

该器件在 –40°C 至 +150°C 的宽环境温度范围内能够保持稳定一致的优异性能。

 

 

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技术文档

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查看所有 3
类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 数据表 DRV5015-Q1汽车低电压高灵敏度数字锁存器霍尔效应传感器 数据表 (Rev. B) 下载英文版本 (Rev.B) 2019年 7月 24日
技术文章 3 common design pitfalls when designing with Hall-effect sensors – and how to avoid them 2021年 1月 7日
应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南
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说明
借助 HALL-ADAPTER-EVM 加快您的开关、锁存器和线性霍尔传感器原型设计和测试,该 EVM 有助于快速轻松地连接小型 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的霍尔传感器,或者将这些端子板直接连接至现有电路。
特性
  • TI 的所有 SOT-23 和 TO-92 霍尔传感器器件评估
  • 分离板上用于上拉电阻器和旁路电容器的焊盘
  • 包含磁体和分离 PCB 标尺

CAD/CAE 符号

封装 引脚 下载
SOT-23 (DBZ) 3 了解详情

订购与质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/FIT 估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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