主页 传感器 磁传感器 霍尔效应锁存器和开关
主页
传感器
磁传感器
霍尔效应锁存器和开关

TMAG5111-Q1

正在供货

汽车类、高灵敏度、2D、双通道、速度和方向输出、霍尔效应锁存器

立即订购
数据表

TMAG5111-Q1

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

Type 2D Latch Operate point (max) (mT) 2.6 Release point (min) (mT) -2.6 Supply current (µA) 6000 Bandwidth (kHz) 40 Supply voltage (min) (V) 2.5 Supply voltage (max) (V) 38 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Output Open drain
Type 2D Latch Operate point (max) (mT) 2.6 Release point (min) (mT) -2.6 Supply current (µA) 6000 Bandwidth (kHz) 40 Supply voltage (min) (V) 2.5 Supply voltage (max) (V) 38 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Output Open drain
SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度等级 1：-40°C 至 125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 H3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 带有平面和垂直霍尔效应传感器的 2D 感应
  • 与磁铁对齐方式或磁极间距无关的固有正交
  • 提供了两个功能选项：
    • TMAG5110 -Q1：独立 2D 输出
    • TMAG5111 -Q1：速度和方向输出
  • 超高磁性灵敏度：
    • TMAG511xx2 -Q1：±1.4mT（典型值）
    • TMAG511xx4 -Q1：±3mT（典型值）
  • 40kHz 高速感应带宽
  • 2.5V 至 38V 工作 VCC 范围
  • 开漏输出（10mA 灌电流）
  • 宽工作环境温度范围：
    • -40°C 至 +125°C
  • 保护特性
    • 反向电源保护（高达 -20V）
    • 器件最高支持 40V
    • 输出短路保护
    • 输出电流限制
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度等级 1：-40°C 至 125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 H3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 带有平面和垂直霍尔效应传感器的 2D 感应
  • 与磁铁对齐方式或磁极间距无关的固有正交
  • 提供了两个功能选项：
    • TMAG5110 -Q1：独立 2D 输出
    • TMAG5111 -Q1：速度和方向输出
  • 超高磁性灵敏度：
    • TMAG511xx2 -Q1：±1.4mT（典型值）
    • TMAG511xx4 -Q1：±3mT（典型值）
  • 40kHz 高速感应带宽
  • 2.5V 至 38V 工作 VCC 范围
  • 开漏输出（10mA 灌电流）
  • 宽工作环境温度范围：
    • -40°C 至 +125°C
  • 保护特性
    • 反向电源保护（高达 -20V）
    • 器件最高支持 40V
    • 输出短路保护
    • 输出电流限制

TMAG5110-Q1 和 TMAG5111-Q1 是 二维双通道霍尔效应锁存器，通过 2.5V 至 38V 电源供电。由于专为高速和高温电机应用设计，这些器件针对利用旋转磁体的应用进行了优化。通过集成两个传感器和两个单独的信号链， TMAG511x-Q1 可提供两个独立的数字输出用于速度和方向计算 (TMAG5111 -Q1)，或直接为每个独立锁存器提供数字输出 (TMAG5110 -Q1)。这种高度集成允许使用一个 TMAG511x-Q1 器件，而不是两个单独的锁存器。

该器件提供标准的 3mT 工作点以及高灵敏度 1.4mT 工作点。更高的磁性灵敏度可实现灵活的低成本磁体选型和机械部件放置。 TMAG511x-Q1 还提供了三个 2 轴组合选项（X-Y、Z-X、Z-Y），以允许传感器相对于磁体灵活放置。

该器件在 –40°C 至 +125°C 的宽环境温度范围内能够保持稳定一致的优异性能。

TMAG5110-Q1 和 TMAG5111-Q1 是 二维双通道霍尔效应锁存器，通过 2.5V 至 38V 电源供电。由于专为高速和高温电机应用设计，这些器件针对利用旋转磁体的应用进行了优化。通过集成两个传感器和两个单独的信号链， TMAG511x-Q1 可提供两个独立的数字输出用于速度和方向计算 (TMAG5111 -Q1)，或直接为每个独立锁存器提供数字输出 (TMAG5110 -Q1)。这种高度集成允许使用一个 TMAG511x-Q1 器件，而不是两个单独的锁存器。

该器件提供标准的 3mT 工作点以及高灵敏度 1.4mT 工作点。更高的磁性灵敏度可实现灵活的低成本磁体选型和机械部件放置。 TMAG511x-Q1 还提供了三个 2 轴组合选项（X-Y、Z-X、Z-Y），以允许传感器相对于磁体灵活放置。

该器件在 –40°C 至 +125°C 的宽环境温度范围内能够保持稳定一致的优异性能。
open-in-new 查找其他 霍尔效应锁存器和开关
下载 观看带字幕的视频 视频

您可能感兴趣的相似产品

open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同且具有相同引脚
TMAG5110-Q1 正在供货 汽车类、高灵敏度、2D、双通道、霍尔效应锁存器 2D latch with independent Hall outputs
功能与比较器件相似
DRV5013-Q1 正在供货 汽车类、高电压（高达 38V）、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 3-wire latch for high-voltage (38 V) operation
DRV5015-Q1 正在供货 汽车类、高灵敏度 (±2mT)、低电压（高达 5.5V）霍尔效应锁存器 3-wire latch for low-voltage (5.5 V) operation

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索，并重试。
查看全部 11
类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 TMAG511x-Q1 2D 双通道、高灵敏度、霍尔效应锁存器 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 2月 24日
更多文献资料 霍尔效应传感器简介 (Rev. A) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.A) PDF | HTML 2023年 5月 25日
应用手册 使用霍尔效应传感器进行多状态位置选择 PDF | HTML 下载英文版本 PDF | HTML 2023年 2月 23日
应用手册 增量旋转编码器 (Rev. B) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 11月 18日
应用手册 Hall Sensor and Magnet Selection for Auto Body Motor Module Design PDF | HTML 2022年 8月 31日
应用手册 Designing With Magnetic Versus Optical Solutions in Incremental Encoders PDF | HTML 2022年 8月 17日
应用手册 Differences Between Optical and Magnetic Incremental Encoders PDF | HTML 2022年 8月 17日
应用手册 TMAG511x 2D Latch Benefits PDF | HTML 2022年 6月 22日
应用手册 使用 2D 霍尔效应来减少增量旋转编码的正交误差 (Rev. B) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 5月 26日
用户指南 TMAG5110-5111EVM 评估模块 (Rev. B) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 3月 20日
技术文章 3 common design pitfalls when designing with Hall-effect sensors – and how to avoid them 2021年 1月 7日

设计和开发

如需其他信息或资源，请查看下方列表，点击标题即可进入详情页面。

评估板

HALL-ADAPTER-EVM — 霍尔传感器分线适配器评估模块

借助 HALL-ADAPTER-EVM 加快您的开关、锁存器和线性霍尔传感器原型设计和测试，该 EVM 有助于快速轻松地连接小型 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的霍尔传感器，或者将这些端子板直接连接至现有电路。
用户指南: PDF
下载英文版本 (Rev.C): PDF
TI.com 上无现货
评估板

TMAG5110-5111EVM — 适用于 TMAG511x 高灵敏度 2D 双通道霍尔效应锁存器的评估模块

TMAG5110-5111EVM 是一款具有两个霍尔锁存器的旋转编码板，这两个锁存器具有用于实现正交 (TMAG5110) 以及速度和方向输出 (TMAG5111) 的单独电路。它有两个不同的磁体以及两种磁体放置选项，可实现不受磁极间距和磁体位置影响的双锁存器功能。

用户指南: PDF | HTML
下载英文版本 (Rev.B): PDF | HTML
TI.com 上无现货
模拟工具

MAGNETIC-SENSE-ENHANCED-PROXIMITY — Magnetic sense enhanced proximity tool

The magnetic sense enhanced proximity tool offers the ability to simulate and model magnetic field inputs from a moving magnet and then to generate a typical device output response for a selected magnetic sensor along with 3D animations.
lock = 需要出口许可（1 分钟）
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
霍尔效应锁存器和开关
DRV5011 — 小尺寸（采用 WCSP 和 X2SON 封装）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 DRV5012 — 低功耗（低至 3.3μA）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 DRV5013 — 高电压（高达 38V）、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 DRV5013-Q1 — 汽车类、高电压（高达 38V）、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 DRV5015 — 高灵敏度 (±2mT)、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 DRV5015-Q1 — 汽车类、高灵敏度 (±2mT)、低电压（高达 5.5V）霍尔效应锁存器 DRV5021 — 低电压（最高 5.5V）、高带宽（高达 30kHz）单极开关 DRV5021-Q1 —

汽车类 2.5-V 至 5.5-V 霍尔效应单极开关

 DRV5023 — 高电压（高达 38V）、高带宽（高达 30kHz）单极开关 DRV5023-Q1 — 汽车类 2.7V 至 38V 霍尔效应单极开关 DRV5032 — 低功耗（5Hz、<1µA）、低电压（最高 5.5V）开关 DRV5033 — 高电压（高达 38V）、高带宽（高达 30kHz）全极开关 DRV5033-Q1 — 汽车类 2.7V 至 38V 霍尔效应全极开关 TMAG5110 — 高灵敏度、2D、双通道、霍尔效应锁存器 TMAG5110-Q1 — 汽车类、高灵敏度、2D、双通道、霍尔效应锁存器 TMAG5111 — 高灵敏度、2D、双通道、速度和方向输出、霍尔效应锁存器 TMAG5111-Q1 — 汽车类、高灵敏度、2D、双通道、速度和方向输出、霍尔效应锁存器 TMAG5115 — 具有低抖动（快速响应）的高速霍尔效应锁存器 TMAG5123 — 高压（高达 38V）、平面高精度开关 TMAG5123-Q1 — 汽车类平面、高精度、高电压开关 TMAG5124 — 双线（电流输出）、高压（高达 38V）、高精度遥感开关 TMAG5124-Q1 — 汽车类 2 线高压（高达 38V）、高精度开关 TMAG5231 — 低功耗、低压（1.65V 至 5.5V）霍尔效应开关 TMAG5328 — 电阻器可调节的低功耗霍尔效应开关
线性霍尔效应传感器
DRV5053 — 高电压（高达 38V）、线性霍尔效应传感器 DRV5053-Q1 — 汽车类、高电压（高达 38V）、线性霍尔效应传感器 DRV5055 — 具有模拟输出的比例式线性霍尔效应传感器 DRV5055-Q1 — 具有模拟输出的汽车类、比例式线性霍尔效应传感器 DRV5056 — 具有模拟输出的比例式单极线性霍尔效应传感器 DRV5056-Q1 — 具有模拟输出的汽车类、比例式单极线性霍尔效应传感器 DRV5057 — 具有 PWM 输出的线性霍尔效应传感器 DRV5057-Q1 — 具有数字 PWM 输出的汽车类线性霍尔效应传感器
多轴线性和角度位置传感器
TMAG5170 — 具有 SPI 总线接口的高精度、线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG5170-Q1 — 具有 SPI 总线接口的汽车类高精度、线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG5173-Q1 — 具有 I²C 接口的汽车类高精度、线性 3D 霍尔效应传感器 TMAG5273 — 具有 I²C 接口的低功耗线性 3D 霍尔效应传感器
硬件开发
DRV5011-5012EVM — DRV5011 和 DRV5012 超低功耗、数字锁存器霍尔效应传感器评估模块 DRV5032-SOLAR-EVM — DRV5032 超低功耗、1.65V 至 5.5V 霍尔效应开关传感器评估模块 DRV5055-5057EVM — DRV5055、DRV5056 和 DRV5057 线性霍尔效应传感器评估模块 DRV5055-ANGLE-EVM — DRV5055 角度评估模块 DRV5055EVM — DRV5055 评估模块 TMAG5110-5111EVM — 适用于 TMAG511x 高灵敏度 2D 双通道霍尔效应锁存器的评估模块 TMAG5115EVM — TMAG5115 具有高灵敏度、低抖动和高电压的霍尔效应锁存器评估模块 TMAG5123EVM — TMAG5123 平面内高精度霍尔效应开关评估模块 TMAG5124EVM —

TMAG5124 双线霍尔效应开关评估模块

 TMAG5170UEVM — 适用于 TMAG5170 SPI 总线接口、高精度线性 3D 霍尔效应传感器的评估模块 TMAG5173EVM — TMAG5173-Q1 具有 I²C 接口的汽车级、高精度、线性 3D 霍尔效应传感器评估模块 TMAG5273EVM — 适用于 TMAG5273 SPI 总线接口、低功耗线性 3D 霍尔效应传感器的评估模块 TMAG5328EVM — 适用于 TMAG5328 电阻器可调节低功耗霍尔效应开关的评估模块
软件
计算工具
HALL-PROXIMITY-DESIGN — Magnetic sensing proximity tool
lock 下载选项
计算工具

HALL-PROXIMITY-DESIGN — Magnetic sensing proximity tool

HALL-PROXIMITY-DESIGN 是一款软件工具，可促进磁体和霍尔效应传感器系统的快速迭代设计。
下载
封装 引脚数 下载
SOT-23 (DBV) 5 了解详情
应遵守 TI 的评估模块标准条款与条件.

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频