DRV5011-5012EVM

DRV5011 和 DRV5012 超低功耗、数字锁存器霍尔效应传感器评估模块

DRV5011-5012EVM

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概述

DRV5011-5012EVM 便于评估 DRV5012 和 DRV5011 霍尔效应传感器。DRV5012 是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。DRV5011 是超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。这些传感器在磁体逆转极性或磁场达到特定阈值而触发传感器逻辑时,会改变其输出状态。

特性
  • 通过附带的磁体和 USB 线缆轻松评估和演示 DRV5011
  • 每个分离板上提供三个 DRV5011 和 DRV5012,以便直接集成到系统中进行原型评估
  • 提供了通孔以便将电线连接到分离板

  • EVM PCB
  • USB Cable
  • Magnet

霍尔效应锁存器和开关
DRV5011 小尺寸(采用 WCSP 和 X2SON 封装)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 DRV5012 低功耗(低至 3.3μA)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器

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评估板

DRV5011-5012EVM – DRV5011 and DRV5012 Ultra-Low Power, Digital-Latch Hall Effect Sensor Evaluation Module

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 用户指南 DRV5011-5012EVM User's Guide (Rev. A) 2019年 11月 15日
技术文章 Driving industrial innovation with small-size sensors 2019年 9月 12日
证书 DRV50115012EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2019年 1月 2日
证书 DRV5011-5012EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2019年 1月 2日

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