NESY036B September   2021  – April 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02

 

  1.   1
  2.   概覽
  3.   摘要
  4.   影響 IQ 的因素
  5.   低 IQ 為何產生新挑戰
    1.     瞬態回應
    2.     漣波
    3.     雜訊
    4.     晶粒尺寸與解決方案面積
    5.     洩漏與低於閾值的操作
  6.   如何打破低 IQ 障礙
    1.     解決瞬態回應問題
    2.     解決切換雜訊問題
    3.     解決其他雜訊問題
    4.     解決晶粒尺寸與解決方案面積問題
    5.     解決洩漏與低於閾值的操作問題
  7.   電氣特性
    1.     18
    2.     避免低 IQ 設計中的潛在系統陷阱
    3.     實現低 IQ 但不犧牲靈活性
    4.     減少外部零組件數以降低汽車應用中的 IQ
    5.     智慧使用或在智慧使用支援低 IQ 的啟用功能，或啟用在系統層級支援低 IQ 的功能
  8.   結論
  9.   低 IQ的重要產品類別

結論

降低電流的趨勢十分清楚。若想在無負載或輕負載條件下獲得高效率，電源解決方案必須對輸出進行嚴格調節，同時需維持超低供應電流。運用 TI 超低 IQ 技術和產品代表產品，您可在下一個設計中實現電池運作時間最大化，並能降低耗電量。

TI 低 IQ 技術的主要優點包括：

  • 超低且常開電源 — 以超低洩漏處理技術和創新控制拓撲延長電池運作時間。
  • 快速反應時間 — 快速喚醒比較器和零 IQ 回饋控制可提供快速動態反應，且無需犧牲低功耗。
  • 縮小體積 — 電阻器和電容器面積縮減技術可幫助整合在空間受限的應用中，並且不會對低靜態功耗造成影響。

請參閱 ti.com/lowiq進一步了解 TI 如何幫助您延長電池及保存壽命，且無需犧牲系統性能。