NESY036B September   2021  – April 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02

 

  1.   1
  2.   概覽
  3.   摘要
  4.   影響 IQ 的因素
  5.   低 IQ 為何產生新挑戰
    1.     瞬態回應
    2.     漣波
    3.     雜訊
    4.     晶粒尺寸與解決方案面積
    5.     洩漏與低於閾值的操作
  6.   如何打破低 IQ 障礙
    1.     解決瞬態回應問題
    2.     解決切換雜訊問題
    3.     解決其他雜訊問題
    4.     解決晶粒尺寸與解決方案面積問題
    5.     解決洩漏與低於閾值的操作問題
  7.   電氣特性
    1.     18
    2.     避免低 IQ 設計中的潛在系統陷阱
    3.     實現低 IQ 但不犧牲靈活性
    4.     減少外部零組件數以降低汽車應用中的 IQ
    5.     智慧使用或在智慧使用支援低 IQ 的啟用功能，或啟用在系統層級支援低 IQ 的功能
  8.   結論
  9.   低 IQ的重要產品類別

晶粒尺寸與解決方案面積

減少 IQ 可能也會造成較大被動或 IC 封裝尺寸所需的機板面積增加。LDO 與 DC/DC 轉換器的大數值電容器等大型外部被動元件在奈米功率裝置中十分常見，通常用來補償較差的暫態性能。但封裝面積增加會直接影響晶粒面積。

在進行 IQ <1 µA 的晶粒拆解目視檢查時，會發現電阻器和電容器就佔掉內部非場效應電晶體 (FET) 晶粒面積的 20%。市面上有許多解決 IQ 面積問題的解決方案，篩選出最佳解決方案的簡單方法是套用簡單的 FOM：IQ 乘以最小封裝面積。您可從產品規格書中相關資訊取得 FOM；查看我們提供的最小封裝即可對小型晶粒面積有點概念。

選擇具備最低 IQ 和最小可用封裝的裝置，通常代表 IQ 面積效率較高。