NESY036B September   2021  – April 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02

 

  1.   1
  2.   概覽
  3.   摘要
  4.   影響 IQ 的因素
  5.   低 IQ 為何產生新挑戰
    1.     瞬態回應
    2.     漣波
    3.     雜訊
    4.     晶粒尺寸與解決方案面積
    5.     洩漏與低於閾值的操作
  6.   如何打破低 IQ 障礙
    1.     解決瞬態回應問題
    2.     解決切換雜訊問題
    3.     解決其他雜訊問題
    4.     解決晶粒尺寸與解決方案面積問題
    5.     解決洩漏與低於閾值的操作問題
  7.   電氣特性
    1.     18
    2.     避免低 IQ 設計中的潛在系統陷阱
    3.     實現低 IQ 但不犧牲靈活性
    4.     減少外部零組件數以降低汽車應用中的 IQ
    5.     智慧使用或在智慧使用支援低 IQ 的啟用功能，或啟用在系統層級支援低 IQ 的功能
  8.   結論
  9.   低 IQ的重要產品類別

IQ-GND、ISHDN 和 VOUT 準確度變化都是處理技術元件可製造性的良好指標。 表 1來自 TPS7A02 奈米功率 IQ、25-nA、200-mA 低壓降電壓穩壓器與快速瞬態響應產品規格書，其中列出在 -40°C 至 85°C 溫度範圍中，IGND 在無負載下會變化 25 nA 至 60 nA。這種在溫度中的變化是電流鏡射不匹配和 IBIAS 產生控制的典型代表。ISHDN 在室溫下從 3 nA 變化至 10 nA，可表示電源 FET 與數位邏輯洩漏控制情況。VOUT 準確度在不同溫度下為 <1.5%，則可表示低於閾值不匹配控制。