ZHDA090 March   2026 AM2432 , AM625 , AM62A7 , AM62D-Q1 , AM62L , AM62P , AM6442

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 简介
  5. 2 术语
  6. 3 PHY 调优算法
  7. 4 关键调优参数
    1. 4.1 非 DQS PHY 调优算法的参数配置
    2. 4.2 DQS PHY 调优算法的参数配置
  8. 5 PHY 调优算法的先决条件
    1. 5.1 硬件要求
      1. 5.1.1 闪存器件准备
      2. 5.1.2 PHY 配置
    2. 5.2 攻击向量
    3. 5.3 通过区域与失效区域
    4. 5.4 主模式与旁路模式
      1. 5.4.1 旁路模式
      2. 5.4.2 主模式
  9. 6 需要更新的调优算法
    1. 6.1 温度变化
  10. 7 算法实现方案
    1. 7.1 DQS PHY 调优算法
      1. 7.1.1 对角线选择
      2. 7.1.2 有效读取延迟选择
      3. 7.1.3 角点识别
        1. 7.1.3.1 仅用于一个读取延迟值的角点选择
        2. 7.1.3.2 用于两个不同读取延迟值的角点选择
      4. 7.1.4 调优点选择
    2. 7.2 非 DQS PHY 调优算法
      1. 7.2.1 固定 Tx DLL 值
      2. 7.2.2 查找 Rx 窗口 1
      3. 7.2.3 查找 Rx 窗口 2
      4. 7.2.4 选择更大的 Rx 窗口
      5. 7.2.5 计算 OTP
      6. 7.2.6 温度注意事项
  11. 8 调优增强功能
    1. 8.1 调优时间优化 – 跳过调优特性
    2. 8.2 运行时验证 – 验证 OTP
  12. 9 总结
  13. 10参考资料

9 总结

OSPI PHY 调优算法自动校准时序参数，以实现可靠的高速闪存访问。DQS 模式使用对角线搜索策略，该策略可以高效地表征通过区域、计算最佳中点，并通过圆形区域测试验证裕度。非 DQS 模式使用更简单的、带有温度补偿的一维窗口搜索。最新的 DQS 调优算法可对影响半导体时序特性的制造变化和环境变化进行补偿。工程师可以使用跳过调优来进行优化，以加快引导速度，或对生产进行预表征。