ZHDA026 January   2026 BZX84C15V

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2齐纳操作和关键参数
    1. 2.1 运行
      1. 2.1.1 击穿电压下的器件运行
    2. 2.2 主要参数
  6. 3齐纳二极管制造工艺
    1. 3.1 制造
      1. 3.1.1 晶圆制造
      2. 3.1.2 完整制造流程
      3. 3.1.3 工艺控制和能力
  7. 4为什么选择 TI 齐纳二极管？
  8. 5选择正确的保护二极管
    1. 5.1 齐纳二极管
    2. 5.2 ESD 二极管
    3. 5.3 TVS 二极管
  9. 6典型应用
    1. 6.1 齐纳二极管
      1. 6.1.1 电压调节
      2. 6.1.2 MOSFET 栅极过压钳位
      3. 6.1.3 CAN 总线过压保护
    2. 6.2 ESD 二极管
    3. 6.3 TVS 二极管
  10. 7总结
  11. 8参考资料

6.1.2 MOSFET 栅极过压钳位

在本例中，我们选择齐纳二极管来防止超过增强模式 N 沟道 MOSFET 的栅源最大额定电压。在 1A 最大负载电流条件下，输入电压为 12V。所选的 MOSFET Q1 为 CSD16401Q5。MOSFET 数据表中指定了用于导通的 1.5V 典型阈值电压 (Vgs,th)。绝对最大额定栅源电压 (Vgs) 指定为 16V，因此我们必须将栅极电压限制在 16V 以下。为了提供足够的设计裕度，选择了 8.2V 的标称齐纳电压。所选的 D1 齐纳二极管为 BZX84WC8V2，如图 6-5 所示。与上面的电压调节应用示例类似，应当计算最大功率耗散以确保不超过封装额定值。

MOSFET 栅极过压钳位最终电路图 6-5 MOSFET 栅极过压钳位最终电路