ZHDA026 January   2026 BZX84C15V

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2齐纳操作和关键参数
    1. 2.1 运行
      1. 2.1.1 击穿电压下的器件运行
    2. 2.2 主要参数
  6. 3齐纳二极管制造工艺
    1. 3.1 制造
      1. 3.1.1 晶圆制造
      2. 3.1.2 完整制造流程
      3. 3.1.3 工艺控制和能力
  7. 4为什么选择 TI 齐纳二极管?
  8. 5选择正确的保护二极管
    1. 5.1 齐纳二极管
    2. 5.2 ESD 二极管
    3. 5.3 TVS 二极管
  9. 6典型应用
    1. 6.1 齐纳二极管
      1. 6.1.1 电压调节
      2. 6.1.2 MOSFET 栅极过压钳位
      3. 6.1.3 CAN 总线过压保护
    2. 6.2 ESD 二极管
    3. 6.3 TVS 二极管
  10. 7总结
  11. 8参考资料

ESD 二极管

ESD 是指当两个物体接触或靠近时,电从一个带电物体突然释放到另一个带电物体。ESD 二极管是静电抑制器二极管,旨在保护集成电路 (IC)。ESD 二极管用于保护以太网、USB 等各种数据接口,并且它们采用反向连接。在施加正向电压的正常运行情况下,它们处于非活动状态并传导零电流。当 ESD 二极管承受反向电压时,它会消耗一些极小的(泄漏)电流。发生 ESD 冲击时,电压超过其额定反向击穿电压,ESD 二极管会形成一条低阻抗路径,将电流传输至地面。ESD 二极管可限制峰值电压和电流,从而保护下游 IC。有关 ESD 事件的其他说明、系统设计注意事项和参数术语,请参阅 TI 的系统级 ESD 保护指南

通常,如果二极管包含对系统级 IEC61000-4-2 测试方法(例如,接触放电或空气间隙放电)的保护,则该二极管称为 ESD 类型。在接触放电方法中,测试模拟器电极与被测器件 (DUT) 保持接触。在空气间隙放电中,模拟器的带电电极接近 DUT,并向 DUT 发出火花以启动放电。有关 IEC 测试程序的更多信息,请参阅系统级 ESD 电路保护的设计注意事项

不要将这些与人体放电模型 (HBM)、充电设备模型 (CDM) 和机器模型 (MM) 等器件级测试方法混淆。器件级 HBM、CDM 和 MM 测试仅适合验证集成电路是否能够承受制造工艺,而 IEC 61000-4-2 规定的系统级测试旨在模拟现实世界中的终端用户 ESD 事件。

在高速数据传输应用中,ESD 二极管具有低电容,有助于保持信号完整性并更大限度地减少信号失真。目标 ESD 电容因接口类型(USB、以太网、CAN FD/XL 等)而异。如需更多信息,请参阅以下工程师对工程师 (e2e) 论坛帖子,以了解各种接口的建议最大电容:(2) [常见问题解答] 我应该使用哪种 TI ESD/TVS 二极管来保护系统中的接口?- 接口论坛 - 接口 - TI E2E 支持论坛