ZHDA026 January   2026 BZX84C15V

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2齐纳操作和关键参数
    1. 2.1 运行
      1. 2.1.1 击穿电压下的器件运行
    2. 2.2 主要参数
  6. 3齐纳二极管制造工艺
    1. 3.1 制造
      1. 3.1.1 晶圆制造
      2. 3.1.2 完整制造流程
      3. 3.1.3 工艺控制和能力
  7. 4为什么选择 TI 齐纳二极管？
  8. 5选择正确的保护二极管
    1. 5.1 齐纳二极管
    2. 5.2 ESD 二极管
    3. 5.3 TVS 二极管
  9. 6典型应用
    1. 6.1 齐纳二极管
      1. 6.1.1 电压调节
      2. 6.1.2 MOSFET 栅极过压钳位
      3. 6.1.3 CAN 总线过压保护
    2. 6.2 ESD 二极管
    3. 6.3 TVS 二极管
  10. 7总结
  11. 8参考资料

6.3 TVS 二极管

当需要两种过压钳位时，通常选择 TVS 二极管，并且必须保护系统免受较高功率浪涌事件的影响。因此，TVS 二极管的额定功率通常高于齐纳二极管或 ESD 二极管。最近，USB 电力输送 (USB PD) 标准将额定功率提高到 100W 以上。符合 USB PD 3.1 规范的 USB Type-C 连接器现在可以提供高达 240W（48V、5A）的功率，此功率范围现在称为扩展功率范围 (EPR)。之前的 USB PD 规范限制为 20V 总线电压，而 USB PD 3.1 EPR 支持高达 48V 的电压电平。从额定电压和功率方面来说，这都需要使用额定值更高的 TVS 二极管。TVS5200 是一款单通道 TVS 二极管，采用小型 DFN 封装，具有 52V 工作电压、58.8V 钳位电压、20A 浪涌额定值以及 +/-15kV 空气间隙放电 ESD 额定值。TVS5200 是 USB PD 3.1 EPR 应用的首选方案。图 6-8 显示了典型电路实现。

USB EPR 典型应用电路图 6-8 USB EPR 典型应用电路