ZHDA026 January   2026 BZX84C15V

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2齐纳操作和关键参数
    1. 2.1 运行
      1. 2.1.1 击穿电压下的器件运行
    2. 2.2 主要参数
  6. 3齐纳二极管制造工艺
    1. 3.1 制造
      1. 3.1.1 晶圆制造
      2. 3.1.2 完整制造流程
      3. 3.1.3 工艺控制和能力
  7. 4为什么选择 TI 齐纳二极管?
  8. 5选择正确的保护二极管
    1. 5.1 齐纳二极管
    2. 5.2 ESD 二极管
    3. 5.3 TVS 二极管
  9. 6典型应用
    1. 6.1 齐纳二极管
      1. 6.1.1 电压调节
      2. 6.1.2 MOSFET 栅极过压钳位
      3. 6.1.3 CAN 总线过压保护
    2. 6.2 ESD 二极管
    3. 6.3 TVS 二极管
  10. 7总结
  11. 8参考资料

摘要

在不断发展的电子行业中,我们看到对分立式保护设计的需求日益增长。集成电路朝着更小的几何外形演进,同时系统电压不断升高,逼近引脚的绝对最大额定值,增加了瞬态和 ESD 冲击的风险。在这种情况下,分立式二极管允许硬件设计人员将这些瞬态抑制器放置在靠近 ESD 或浪涌事件源的位置并保护系统。但是,为了正确实现保护方案,必须了解各种二极管及其各自在瞬态事件中的性能。其中最关键的保护器件之一是齐纳二极管。

齐纳二极管是 TI 不断发展的保护器件产品系列中的最新版本。本文将帮助读者了解齐纳二极管的基本操作、如何在电路保护应用中正确使用它们,并与其他保护设计区别开来。本文档还解释了为什么 TI 的齐纳二极管会在该市场中发挥作用、,而解决关键客户挑战。