ZHDA026 January   2026 BZX84C15V

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2齐纳操作和关键参数
    1. 2.1 运行
      1. 2.1.1 击穿电压下的器件运行
    2. 2.2 主要参数
  6. 3齐纳二极管制造工艺
    1. 3.1 制造
      1. 3.1.1 晶圆制造
      2. 3.1.2 完整制造流程
      3. 3.1.3 工艺控制和能力
  7. 4为什么选择 TI 齐纳二极管？
  8. 5选择正确的保护二极管
    1. 5.1 齐纳二极管
    2. 5.2 ESD 二极管
    3. 5.3 TVS 二极管
  9. 6典型应用
    1. 6.1 齐纳二极管
      1. 6.1.1 电压调节
      2. 6.1.2 MOSFET 栅极过压钳位
      3. 6.1.3 CAN 总线过压保护
    2. 6.2 ESD 二极管
    3. 6.3 TVS 二极管
  10. 7总结
  11. 8参考资料

3.1.1 晶圆制造

通过将 p 型掺杂剂扩散到 n 型基板可以在晶圆中制造 PN 二极管，反之亦然。图 3-1 展示了从 n 型基板 (i) 开始的简单晶圆制造流程。接下来，可以沉积一个可选的 n 型层，以控制与基板 (ii) 不同的 n 层的电阻率。p 型层可通过掺杂剂直接扩散法或通过 (iii) 中所示的离子注入法制备而成。通常，光掩模用于通过光刻法有选择地定义 p 型区域。最后，金属触点沉积在 p 型和 n 型区域，以完成晶圆制造。将触点保持在晶圆的顶部和底部，如 (iv) 所示，可提供垂直 PN 二极管，而将晶圆顶部的 n 型层通过 n+ 区域接触可产生横向 PN 二极管。通常，分立式二极管产品中使用垂直二极管以提高成本和工作面积的利用率，而横向二极管适用于集成电路，以便于布线以及与 CMOS 或模拟集成设计互连。p 型和 n 型区域、掩模布局和器件几何形状的工艺参数经过精心设计，可达到稳定的击穿电压、更低的漏电流和更低的电容。

简单 p-n 二极管制造流程图 3-1 简单 p-n 二极管制造流程