ZHCY158C January 2021 – February 2024 AMC1300 , AMC1302 , AMC1302-Q1 , AMC1305M25-Q1 , AMC1311 , AMC1311-Q1 , AMC131M03-Q1 , AMC1336 , AMC1336-Q1 , AMC1350 , AMC1411 , AMC3301 , AMC3301-Q1 , AMC3330 , AMC3330-Q1 , AMC3336 , AMC3336-Q1 , ISOW1044 , ISOW1412 , ISOW7741 , ISOW7840 , ISOW7841 , ISOW7841A-Q1 , ISOW7842 , ISOW7843 , ISOW7844 , UCC12040 , UCC12041-Q1 , UCC12050 , UCC12051-Q1 , UCC14240-Q1 , UCC21222-Q1 , UCC21530-Q1 , UCC21540 , UCC21710-Q1 , UCC21750-Q1 , UCC23513 , UCC25800-Q1 , UCC5870-Q1
因为 IC 可以阻断直流和低频交流电流,而允许电源、模拟信号或高速数字信号通过隔离栅,因此它们是用于在现代高电压系统中实现隔离的基本构建块。图 4 展示了三种常用的半导体技术:光学(光耦合器)、电场信号传输(电容式)和磁场耦合(变压器)。TI 隔离 IC 使用先进的电容隔离技术和专有平面变压器。TI 利用其封装开发、隔离和制成技术,实现高集成、高性能和高可靠性。
每种技术都依赖一种或多种半导体绝缘材料(例如表 3 中列出的材料)来达到所需的隔离性能水平。更高电介质强度的材料对于在给定距离,会有更好的隔离电压效果。
绝缘材料 | 电介质强度 |
---|---|
空气 | 约 1VRMS/µm |
环氧树脂 | 约 20VRMS/µm |
二氧化硅填充的模塑化合物 | 约 100VRMS/µm |
聚酰亚胺 | 约 300VRMS/µm |
SiO2 | 约 500VRMS/µm |