主页 电源管理 栅极驱动器 隔离式栅极驱动器
主页
电源管理
栅极驱动器
隔离式栅极驱动器

UCC21222-Q1

正在供货

具有禁用可编程死区时间和 8V UVLO 的汽车类 3.0kVrms 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器

立即订购
数据表

UCC21222-Q1

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input VCC (min) (V) 3 Input VCC (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety-Capable Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bus voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input VCC (min) (V) 3 Input VCC (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety-Capable Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bus voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
SOIC (D) 16 59.4 mm² 9.9 x 6
  • 具有符合 AEC Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度 1 级
    • 器件人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 H2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 结温范围为 –40°C 至 150°C
  • 可通过电阻器编程的死区时间
  • 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
  • 3V 至 5.5V 输入 VCCI 范围
  • 高达 18V 的 VDD 输出驱动电源
    • 8V VDD UVLO
  • 开关参数：
    • 28ns 典型传播延迟
    • 10ns 最小脉冲宽度
    • 5ns 最大延迟匹配度
    • 5.5ns 最大脉宽失真
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 集成抗尖峰滤波器
  • I/O 承受 –2V 电压的时间达 200ns
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
  • 隔离栅寿命大于 40 年
  • 浪涌抗扰度高达 7800VPK
  • 窄体 SOIC-16 (D) 封装
  • 安全相关认证（计划）：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 4242VPK 隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS 隔离
    • 获得 CSA 认证，符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1 和 IEC 61010-1 终端设备标准
    • 通过 GB4943.1-2011 CQC 认证
  • 具有符合 AEC Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度 1 级
    • 器件人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 H2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 结温范围为 –40°C 至 150°C
  • 可通过电阻器编程的死区时间
  • 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
  • 3V 至 5.5V 输入 VCCI 范围
  • 高达 18V 的 VDD 输出驱动电源
    • 8V VDD UVLO
  • 开关参数：
    • 28ns 典型传播延迟
    • 10ns 最小脉冲宽度
    • 5ns 最大延迟匹配度
    • 5.5ns 最大脉宽失真
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 集成抗尖峰滤波器
  • I/O 承受 –2V 电压的时间达 200ns
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
  • 隔离栅寿命大于 40 年
  • 浪涌抗扰度高达 7800VPK
  • 窄体 SOIC-16 (D) 封装
  • 安全相关认证（计划）：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 4242VPK 隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS 隔离
    • 获得 CSA 认证，符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1 和 IEC 61010-1 终端设备标准
    • 通过 GB4943.1-2011 CQC 认证

UCC21222-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。

UCC21222-Q1 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出，能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍，而无内部击穿风险。

输入侧通过一个 3.0kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。

可通过电阻器编程的死区时间可让您调整系统限制的死区时间，从而提高效率并防止输出重叠。其他保护 特性 包括：当 DIS 设置为高电平时，通过禁用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。

UCC21222-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。

UCC21222-Q1 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出，能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍，而无内部击穿风险。

输入侧通过一个 3.0kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。

可通过电阻器编程的死区时间可让您调整系统限制的死区时间，从而提高效率并防止输出重叠。其他保护 特性 包括：当 DIS 设置为高电平时，通过禁用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。
open-in-new 查找其他 隔离式栅极驱动器
下载 观看带字幕的视频 视频
Information

申请更多信息

提供功能安全手册和功能安全时基故障率、FMD 和引脚 FMA 报告。立即申请

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索，并重试。
查看全部 16
类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 UCC21222-Q1 汽车 4A、6A、3.0kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器（具有死区时间） 数据表 PDF | HTML 下载英文版本 PDF | HTML 2018年 2月 23日
证书 VDE Certificate for Basic Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. U) 2023年 2月 7日
应用手册 栅极驱动电路中铁氧体磁珠的使用和优势 PDF | HTML 下载英文版本 PDF | HTML 2022年 11月 14日
白皮书 High-Voltage Semiconductor Solutions for Meeting Isolation Requirements...... (Rev. A) PDF | HTML 2022年 6月 6日
白皮书 High-Voltage Semiconductor Solutions for Meeting Isolation Requirements........ (Rev. A) PDF | HTML 2022年 6月 6日
白皮书 利用可靠且性价比高的隔离技术应对高电压设计挑战 (Rev. A) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 6月 6日
应用手册 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) 2020年 4月 29日
应用手册 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) 2020年 4月 29日
证书 UL Certification E181974 Vol 4. Sec 9 (Rev. A) 2019年 7月 22日
用户指南 Gate Drive Voltage vs. Efficiency 2019年 4月 25日
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse 2018年 9月 19日
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadtime 2018年 5月 30日
技术文章 Boosting efficiency for your solar inverter designs 2018年 5月 24日
白皮书 Driving the future of HEV/EV with high-voltage solutions (Rev. B) 2018年 5月 16日
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 1: negative voltage 2018年 4月 17日
应用手册 Isolation Glossary (Rev. A) 2017年 9月 19日

设计和开发

如需其他信息或资源，请查看下方列表，点击标题即可进入详情页面。

评估板

UCC21220EVM-009 — UCC21220 4A/6A、3.0kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器评估模块

UCC21220EVM-009 专为评估 UCC21220 而设计，后者是一款具有 4.0A 拉电流和 6.0A 峰值灌电流容量的 3.0kVRMS 隔离双通道栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。此 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

UCC21222-Q1 PSpice Transient Model

SLUM622.ZIP (57 KB) - PSpice Model
下载
仿真模型

UCC21222-Q1 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM623.ZIP (3 KB) - PSpice Model
下载
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
发送申请
参考设计

PMP22650 — 基于 GaN 的 6.6kW 双向车载充电器参考设计

PMP22650 参考设计是一款 6.6kW 的双向车载充电器。该设计采用两相图腾柱 PFC 和带有同步整流功能的全桥 CLLLC 转换器。CLLLC 采用频率和相位调制在所需的调节范围内调节输出。该设计采用 TMS320F28388D 微控制器内的单个处理内核来控制 PFC 和 CLLLC。使用配有 Rogowski 线圈电流传感器的相同微控制器来实现同步整流。通过高速 GaN 开关 (LMG3522) 实现高密度。PFC 的工作频率为 120kHz，而 CLLLC 在 200kHz 至 800kHz 的可变频率范围内运行。峰值系统效率为 96.5%，该数值在 3.8kW/L (...)
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
SOIC (D) 16 了解详情
应遵守 TI 的评估模块标准条款与条件.

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频