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产品详细信息

参数

Number of channels (#) 2 Isolation rating (Vrms) 3000 Power switch MOSFET, IGBT, GaNFET Peak output current (A) 6 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 4242 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 990 Enable/disable function Disable Output VCC/VDD (Max) (V) 18 Output VCC/VDD (Min) (V) 9.2 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 25 Operating temperature range (C) -40 to 125 open-in-new 查找其它 隔离栅极驱动器

封装|引脚|尺寸

SOIC (D) 16 59 mm² 9.9 x 6 open-in-new 查找其它 隔离栅极驱动器

特性

  • 具有符合 AEC Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度 1 级
    • 器件人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 H2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 结温范围为 –40°C 至 150°C
  • 可通过电阻器编程的死区时间
  • 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
  • 3V 至 5.5V 输入 VCCI 范围
  • 高达 18V 的 VDD 输出驱动电源
    • 8V VDD UVLO
  • 开关参数:
    • 28ns 典型传播延迟
    • 10ns 最小脉冲宽度
    • 5ns 最大延迟匹配度
    • 5.5ns 最大脉宽失真
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 集成抗尖峰滤波器
  • I/O 承受 –2V 电压的时间达 200ns
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
  • 隔离栅寿命大于 40 年
  • 浪涌抗扰度高达 7800VPK
  • 窄体 SOIC-16 (D) 封装
  • 安全相关认证(计划):
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 4242VPK 隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS 隔离
    • 获得 CSA 认证,符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1 和 IEC 61010-1 终端设备标准
    • 通过 GB4943.1-2011 CQC 认证

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描述

UCC21222-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。

UCC21222-Q1 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出,能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍,而无内部击穿风险。

输入侧通过一个 3.0kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。

可通过电阻器编程的死区时间可让您调整系统限制的死区时间,从而提高效率并防止输出重叠。其他保护 特性 包括:当 DIS 设置为高电平时,通过禁用功能同时关闭两路输出;集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变;以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 UCC21222-Q1 汽车 4A、6A、3.0kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器(具有死区时间) 数据表 下载英文版本 2018年 2月 23日
应用手册 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) 2020年 4月 29日
应用手册 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) 下载英文版本 (Rev.A) 2020年 4月 29日
更多文献资料 VDE Certification 2019年 9月 20日
更多文献资料 UCC21220, UCC21222 Nonoptical Isolating Devices - Component 2019年 7月 22日
用户指南 Gate Drive Voltage vs. Efficiency 2019年 4月 25日
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白皮书 Driving the future of HEV/EV with high-voltage solutions 2018年 5月 16日
技术文章 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 1: negative voltage 2018年 4月 17日
应用手册 Isolation Glossary 2017年 9月 19日

设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
document-generic 用户指南
49
说明
UCC21220EVM-009 专为评估 UCC21220 而设计,后者是一款具有 4.0A 拉电流和 6.0A 峰值灌电流容量的 3.0kVRMS 隔离双通道栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。此 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
特性
  • 具有输入和输出接口的高性能驱动器。
  • 可测试大部分数据表参数
  • 可比较具有兼容引脚的各种驱动器的性能

设计工具和仿真

仿真模型 下载
SLUM622.ZIP (57 KB) - PSpice Model
仿真模型 下载
SLUM623.ZIP (3 KB) - PSpice Model
仿真工具 下载
PSPICE® for TI design and simulation tool
PSPICE-FOR-TI — PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。 

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除了一个完整的预加载模型库之外,您还可以在 PSPICE-FOR-TI 工具中轻松访问 TI 器件的全新技术资料。在您确认找到适合您应用的器件后,可访问 TI store 购买产品。 

借助 PSpice for TI,您可使用合适的工具来满足您在整个设计周期(从电路探索到设计开发和验证)的仿真需求。免费获取、轻松入门。立即下载 PSpice 设计和仿真套件,开始您的设计。

入门

  1. 申请使用 PSPICE-FOR-TI 仿真器
  2. 下载并安装
  3. 观看有关仿真入门的培训
特性
  • 利用 Cadence PSpice 技术
  • 带有一套数字模型的预装库可在最坏情形下进行时序分析
  • 动态更新确保您可以使用全新的器件型号
  • 针对仿真速度进行了优化,且不会降低精度
  • 支持对多个产品进行同步分析
  • 基于 OrCAD Capture 框架,提供对业界广泛使用的原理图捕获和仿真环境的访问权限
  • 可离线使用
  • 在各种工作条件和器件容许范围内验证设计,包括
    • 自动测量和后处理
    • Monte Carlo 分析
    • 最坏情形分析
    • 热分析

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