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UCC21222-Q1

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Automotive Basic, 4A/6A dual-channel isolated gate driver w/ disable, programmable deadtime

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UCC21330-Q1 正在供货 Automotive Basic, 4A/6A dual-channel isolated gate driver w/ disable, programmable deadtime Improved CMTI, faster VDD startup

UCC21222-Q1

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产品详情

Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch IGBT, MOSFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 700 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch IGBT, MOSFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 700 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (D) 16 59.4 mm² (9.9 mm × 6 mm)
  • 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度 1 级
    • 器件 HBM ESD 分类等级 H2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 结温范围：–40°C 至 150°C
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 8V VDD UVLO
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 5ns 最大脉宽失真
    • 10µs 最大 VDD 上电延迟
  • 针对所有电源的 UVLO 保护
  • 可针对电源时序快速禁用
  • 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度 1 级
    • 器件 HBM ESD 分类等级 H2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 结温范围：–40°C 至 150°C
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 8V VDD UVLO
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 5ns 最大脉宽失真
    • 10µs 最大 VDD 上电延迟
  • 针对所有电源的 UVLO 保护
  • 可针对电源时序快速禁用

UCC21222-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。

UCC21222-Q1 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出，能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍，而无内部击穿风险。

输入侧通过一个 3.0kVRMS 隔离层与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。

可通过电阻器进行编程的死区时间帮助您调整系统限制的死区时间，从而提高效率并防止输出重叠。其他保护特性包括：当 DIS 设置为高电平时，通过禁用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。

UCC21222-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。

UCC21222-Q1 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出，能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍，而无内部击穿风险。

输入侧通过一个 3.0kVRMS 隔离层与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。

可通过电阻器进行编程的死区时间帮助您调整系统限制的死区时间，从而提高效率并防止输出重叠。其他保护特性包括：当 DIS 设置为高电平时，通过禁用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。
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* 数据表 UCC21222-Q1 具有死区时间的汽车类 4A/6A 3kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2024-4-2
* 用户指南 Gate Drive Voltage vs. Efficiency 2019-4-25
证书 VDE Certificate for Basic Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AA) 2026-6-11
白皮书 利用可靠且性价比高的隔离技术应对 高电压设计挑战 PDF | HTML PDF | HTML 2026-5-28
功能安全信息 UCC21222-Q1 and UCC21330-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA (Rev. B) PDF | HTML 2025-1-30
应用手册 栅极驱动器电路中窄脉冲宽度的影响 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2024-1-26
证书 UCC21220 CQC Certificate of Product Certification PDF | HTML 2023-8-16
应用简报 栅极驱动电路中铁氧体磁珠的使用和优势 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022-11-14
应用简报 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2020-4-29
应用简报 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2020-4-29
证书 UL Certification E181974 Vol 4. Sec 9 (Rev. A) 2019-7-22
白皮书 Driving the future of HEV/EV with high-voltage solutions (Rev. B) 2018-5-16
应用手册 Isolation Glossary (Rev. A) 2017-9-19
技术文章 Are you on-board? Demystifying EV charging systems PDF | HTML 2017-7-31

设计与开发

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评估板

UCC21220EVM-009 — UCC21220 4A、6A、3.0kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器评估模块

UCC21220EVM-009 旨在用于评估 UCC21220，后者是一款具备 4.0A 源极峰值电流和 6.0A 峰值沉降电流能力的 3.0kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。该 EVM 可用于确定 PCB 布局对栅极驱动器性能的影响。
用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

UCC21222-Q1 PSpice Transient Model

SLUM622.ZIP (57 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

UCC21222-Q1 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM623.ZIP (3 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
参考设计

PMP22650 — 基于 GaN 的 6.6kW 双向车载充电器参考设计

PMP22650 参考设计是一款 6.6kW 的双向车载充电器。该设计采用两相图腾柱 PFC 和带有同步整流功能的全桥 CLLLC 转换器。CLLLC 采用频率和相位调制在所需的调节范围内调节输出。该设计采用 TMS320F28388D 微控制器内的单个处理内核来控制 PFC 和 CLLLC。使用配有 Rogowski 线圈电流传感器的相同微控制器来实现同步整流。通过高速 GaN 开关 (LMG3522) 实现高密度。PFC 的工作频率为 120kHz，而 CLLLC 在 200kHz 至 800kHz 的可变频率范围内运行。峰值系统效率为 96.5%，该数值在 3.8kW/L (...)
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 16 Ultra Librarian
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