产品详情

Number of channels 2 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input VCC (min) (V) 3 Input VCC (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bus voltage (max) (V) 1414 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
Number of channels 2 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input VCC (min) (V) 3 Input VCC (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bus voltage (max) (V) 1414 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3 SOIC (DWK) 14 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 宽体封装选项
    • DW SOIC-16:引脚对引脚兼容 UCC21520
    • DWK SOIC-14:3.3mm 通道到通道间距
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 3V 至 5.5V 输入 VCCI 范围
  • 高达 18V 的 VDD 输出驱动电源
    • 8V VDD UVLO
  • 开关参数:
    • 28ns 典型传播延迟
    • 10ns 最小脉冲宽度
    • 5ns 最大延迟匹配
    • 5.5ns 最大脉宽失真
  • 可通过电阻器编程的死区时间
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 集成抗尖峰脉冲滤波器
  • I/O 承受 –2V 电压的时间达 200ns
  • 隔离栅寿命 > 40 年
  • 浪涌抗扰度高达 12.8kVPK
  • 输出端有源下拉保护
  • 安全相关认证(计划):
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 8000VPK 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离
    • 获得 CQC 认证,符合 GB4943.1-2011 标准
  • 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 宽体封装选项
    • DW SOIC-16:引脚对引脚兼容 UCC21520
    • DWK SOIC-14:3.3mm 通道到通道间距
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 3V 至 5.5V 输入 VCCI 范围
  • 高达 18V 的 VDD 输出驱动电源
    • 8V VDD UVLO
  • 开关参数:
    • 28ns 典型传播延迟
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    • 5ns 最大延迟匹配
    • 5.5ns 最大脉宽失真
  • 可通过电阻器编程的死区时间
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 集成抗尖峰脉冲滤波器
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  • 隔离栅寿命 > 40 年
  • 浪涌抗扰度高达 12.8kVPK
  • 输出端有源下拉保护
  • 安全相关认证(计划):
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 8000VPK 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离
    • 获得 CQC 认证,符合 GB4943.1-2011 标准

UCC2154x 是一个隔离式双通道栅极驱动器系列,该系列设计具有高达 4A/6A 峰值拉电流/灌电流,可驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管,并且采用 DWK 封装的 UCC21540 还提供了 3.3mm 的最小通道到通道间距,有利于获得更高的总线电压。

UCC2154x 系列可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5.7kVRMS 隔离层与两个输出驱动器隔离,其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。

保护 功能 包括:可通过电阻器编程的死区时间;通过禁用功能同时关闭两路输出;集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变;以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。

UCC2154x 是一个隔离式双通道栅极驱动器系列,该系列设计具有高达 4A/6A 峰值拉电流/灌电流,可驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管,并且采用 DWK 封装的 UCC21540 还提供了 3.3mm 的最小通道到通道间距,有利于获得更高的总线电压。

UCC2154x 系列可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5.7kVRMS 隔离层与两个输出驱动器隔离,其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。

保护 功能 包括:可通过电阻器编程的死区时间;通过禁用功能同时关闭两路输出;集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变;以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。

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设计和开发

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评估板

UCC21540EVM — 具有 3.3mm 通道间距的 5.0kVrms 隔离式双通道栅极驱动器评估模块

UCC21540EVM 适用于评估 UCC21540,后者是一种具备 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流能力的隔离式双通道栅极驱动器。此 EVM 可用作功率 MOSFET 的驱动参考设计,具备高达 18V 的驱动电压、UCC21540 引脚功能识别、组件选择指南以及 PCB 布局示例。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

UCC21540 PSpice Transient Model

SLUM656.ZIP (19 KB) - PSpice Model
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
参考设计

TIDA-010062 — 1kW、80 Plus Titanium、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和 GaN 半桥 LLC 参考设计

This reference design is a digitally controlled, compact 1-kW AC/DC power supply design for server power supply unit (PSU) and telecom rectifier applications. This highly efficient design supports two main power stages, including a front-end continuous conduction mode (CCM) totem-pole bridgeless (...)
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TIDM-1000 — 使用 C2000 MCU、基于 Vienna 整流器的三相功率因数校正参考设计

高功率三相功率因数 (AC-DC) 应用中(例如非板载 EV 充电器和电信整流器)使用了 Vienna 整流器电源拓扑。整流器的控制设计可能很复杂。此设计说明了使用 C2000™ 微控制器 (MCU) 控制功率级的方法。还根据 HTTP GUI 页面和以太网支持(仅 F2838x)实现了对 Vienna 整流器的监测和控制。供该设计使用的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。

高功率三相功率因数校正应用中(例如非板载电动汽车充电和电信整流器)使用了 Vienna 整流器电源拓扑。此设计说明了如何使用 C2000 微控制器控制 Vienna 整流器。 

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PMP41043 — 由 C2000 和 GaN 实现 CCM 图腾柱 PFC 和电流模式 LLC 的 1.6kW 参考设计

此参考设计在使用 C2000 F28004x 微控制器的半桥 LLC 级上演示了一种混合迟滞控制 (HHC) 方法,这是一种电流模式控制方法。该硬件基于 TIDA-010062 1kW、80 Plus 钛金级、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC 参考设计。通过另行添加感应卡实现了混合迟滞控制,从而在谐振电容器上重新生成电压。

与单环路电压模式控制方法 (VMC) 相比,该 HHC LLC 级具有更好的瞬态响应和易于控制的环路设计。

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PMP41006 — 由 C2000™ 和 GaN 实现 CCM 图腾柱 PFC 和电流模式 LLC 的 1kW 参考设计

此参考设计在使用 C2000™ F28004x 微控制器的半桥 LLC 级上演示了一种混合迟滞控制 (HHC) 方法,这是一种电流模式控制方法。该硬件基于 TIDA-010062 1kW、80 Plus 钛金级、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC 参考设计。通过另行添加感应卡实现了混合迟滞控制,从而在谐振电容器上重新生成电压。与单环路电压模式控制方法 (VMC) 相比,该 HHC LLC 级具有更好的瞬态响应和易于控制的环路设计。
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TIDA-00951 — 效率大于 93% 且适用于 UPS 的 2kW、48V 至 400V 隔离式双向直流/直流转换器参考设计

此 2kW 隔离式双向直流/直流转换器参考设计 (TIDA-00951) 可在 400V 直流总线和 12 - 14 节锂电池组之间进行电力传输,可用于 UPS、电池备份和电力存储等应用。在备用模式下,此参考设计可用作采用 ZVS 技术的有源钳位升压转换器,将电源从 48V 电池传输至 400V 直流总线。当用作电压馈入式全桥电池充电器,从 400V 直流总线为 48V 电池充电时,此参考设计可实现大于 93% 的效率。此参考设计还设有内置直流总线和电池过流保护,并设有过压保护。
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TIDA-01541 — 用于三相逆变器的高带宽相电流和 DC-Link 电压检测参考设计

TIDA-01541 参考设计在三相逆变器中进行隔离式相电流和直流链路电压测量,能够降低系统成本并支持紧凑型设计,同时可实现高带宽和检测精度。隔离放大器的输出端通过差分到单端电路连接到 MCU 的内部 ADC。借助隔离放大器可以在 MCU 内部使用 SAR ADC,从而降低系统成本,而不必在电流检测方面进行任何折衷。8 引脚封装可减小电路板外形尺寸。借助隔离式放大器的高带宽能够在 3.5μs 内保护 IGBT,而借助高性能规格可实现高精度的电流和电压测量。直流链路电压测量是在高输入阻抗下完成的,因此可避免由高压分压器引起的源阻抗效应,从而提高精度。
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封装 引脚数 下载
SOIC (DW) 16 了解详情
SOIC (DWK) 14 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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支持与培训

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