虽然电容隔离器普遍用于低压模拟信号、数字信号传输或需要有限功率传输 (<100µW) 的应用，但集成式 IC 磁隔离技术在需要高频直流/直流电源转换的应用中具有优势。IC 变压器耦合隔离的一个特定优势是可以在大多数应用中传输超过数百毫瓦的功率，无需次级侧偏置电源。也可以使用磁隔离来发送高频信号。在需要同时发送电源和数据的系统中，您可以使用相同的变压器绕组线圈来满足功率和信号需求，如图 8 所示。

对于磁隔离，TI 使用专有多芯片模块方法，协同封装高性能平面变压器与隔离式功率级和专用控制器裸片。TI 可以使用高性能铁氧体磁芯来构建这些变压器，以提高耦合和变压器效率，或者在应用只需要适度的功率传输时使用空芯来节省成本和降低复杂性。

图 9 中的示例展示了双裸片多芯片模块，它使用专用控制机制、时钟方案和高 Q 值集成平面变压器，以便实现低辐射发射和高效率同时提供出色的热性能。变压器拓扑可能包含可选的顶部和底部铁氧体板，利用 TI 的专有薄膜聚合物层压阵列作为绝缘栅。图 9 中所示的变压器配置是夹在两块并行铁氧体板之间的聚合物层压板内包含的变压器绕组的一个例子。

在许多应用中，跨隔离栅所需的功率量适中（低于 100mW）。对于这些应用，TI 开发了一种用于制造高性能空芯变压器的技术。TI 的空心变压器类似于图 9 中所示的技术，但没有铁氧体板。

TI 的所有变压器（空心和铁氧体镀层）均采用屏蔽技术来提供更好的辐射 EMI 性能。在封装级采用 EMI 缓解技术，减少了对旨在满足传导和辐射发射标准额外的电路板级滤波的需求。

单一隔离解决方案可能无法适合所有应用，因此在设计权衡之间作出取舍时需要了解不同的参数和规格。

了解基本的隔离参数、认证以及如何使用每种类型的器件进行设计和故障排除，请观看 TI 精密实验室 – 隔离培训系列。