ZHCUCH5 November   2024

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 术语
    2. 1.2 主要系统规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 主要产品
      1. 2.2.1 IWRL6432
    3. 2.3 设计注意事项
      1. 2.3.1 参考设计特性
    4. 2.4 IWRL6432 参考设计架构
      1. 2.4.1 IWRL6432：BOM 优化设计
        1. 2.4.1.1 器件电源拓扑
      2. 2.4.2 配电网络
      3. 2.4.3 内部 LDO
        1. 2.4.3.1 启用和禁用低功耗模式
        2. 2.4.3.2 1.4V 电源：APLL 和合成器
          1. 2.4.3.2.1 APLL 1.4V
          2. 2.4.3.2.2 合成器 1.4V
        3. 2.4.3.3 1.2V 电源
          1. 2.4.3.3.1 射频 1.2V 电源
        4. 2.4.3.4 射频 1.0V 电源
      4. 2.4.4 元件选型
        1. 2.4.4.1 1.8V 直流/直流稳压器
          1. 2.4.4.1.1 强制 PWM 模式开关的必要性
          2. 2.4.4.1.2 展频时钟的重要性
        2. 2.4.4.2 3.3V 低压降稳压器
        3. 2.4.4.3 闪存存储器
        4. 2.4.4.4 晶体
  9. 3系统设计原理
    1. 3.1 天线规格
      1. 3.1.1 天线要求
      2. 3.1.2 天线方向
      3. 3.1.3 带宽和回波损耗
      4. 3.1.4 天线增益图
    2. 3.2 天线阵列
      1. 3.2.1 具有 3D 检测功能的 2D 天线阵列
      2. 3.2.2 具有 2D 检测功能的 1D 天线阵列
    3. 3.3 PCB
      1. 3.3.1 焊盘中的过孔消除
      2. 3.3.2 微过孔工艺消除
    4. 3.4 配置参数
      1. 3.4.1 天线几何结构
      2. 3.4.2 距离和相位补偿
      3. 3.4.3 线性调频脉冲配置
    5. 3.5 原理图和布局设计要求
      1. 3.5.1 BOM 优化型拓扑的内部 LDO 输出去耦电容器和布局条件
        1. 3.5.1.1 单电容器轨
          1. 3.5.1.1.1 1.2V 数字 LDO
        2. 3.5.1.2 双电容器轨
          1. 3.5.1.2.1 1.2V 射频 LDO
        3. 3.5.1.3 1.2V SRAM LDO
        4. 3.5.1.4 1.0V 射频 LDO
      2. 3.5.2 最佳和非最佳布局实践
        1. 3.5.2.1 去耦电容器放置
        2. 3.5.2.2 接地返回路径
        3. 3.5.2.3 高载流布线的布线宽度
        4. 3.5.2.4 接地平面分割
  10. 4链路预算
  11. 5硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 5.1 硬件要求
      1. 5.1.1 与 USB 转 UART 桥接器的连接
      2. 5.1.2 用于连接到主机 PC 的 USB 电缆
      3. 5.1.3 RS232 的 Rx-Tx 归属
    2. 5.2 软件要求
    3. 5.3 测试场景
    4. 5.4 测试结果
      1. 5.4.1 在视轴方向上 15 米范围内进行人体检测
      2. 5.4.2 天线辐射图
      3. 5.4.3 方位角平面中的角度估算精度
      4. 5.4.4 角度分辨率
  12. 6设计和文档支持
    1. 6.1 设计文件
      1. 6.1.1 原理图
      2. 6.1.2 BOM
      3. 6.1.3 PCB 布局建议
        1. 6.1.3.1 布局图
    2. 6.2 工具与软件
    3. 6.3 文档支持
    4. 6.4 支持资源
    5. 6.5 商标
  13. 7关于作者

2.4.4.3 闪存存储器

QSPI 闪存存储器用于储存器件的应用程序映像。

该参考设计使用 MX25R1635FZUIH0，这是一种低成本、低功耗的 16Mbit 闪存存储器，具有 1.65V 至 3.6V 的宽输入电压范围，能够支持参考设计的 3.3V 和 1.8V IO 电压。

表 2-9 比较了 IWRL6432 器件对闪存存储器的要求以及 MX25R1635F 的支持功能。

表 2-9 IWRL6432 器件对闪存存储器的要求以及 MX25R1635FZUIH0 的支持特性
IWRL6432 器件对闪存存储器的要求MX25R1635F 特性
时钟频率大于或等于 80MHz时钟频率 80MHz
用于启用 QSPI 数据线路的四路使能 (QE) 位状态寄存器位 6 是 QE 位。需要设置为 1。
支持 SFDP 命令串行闪存可发现参数 (SFDP) 模式支持
宽输入电压范围1.65V 至 3.6V 工作电压
低功耗超低功耗

该参考设计支持 3.3V 和 1.8V 两种不同的 IO 电源电压。MX25U1632FZUI02 的宽输入电压支持范围使参考设计可以灵活地在 3.3V 和 1.8V 电源模式下运行，而无需更换闪存存储器。

对于不需要宽输入电压范围且器件只需在 1.8V IO 下工作的特定用例，可以使用 MX25U1632FZUI02（在 1.65V 至 2.0V 范围内工作）。

状态寄存器（位 6）的四路使能 (QE) 位需要设置为逻辑 1，才能使系统在四个 I/O 模式下运行。状态寄存器中 QE 位的值可以通过写入状态寄存器 (WRSR) 指令写入。

注：
  1. 有关闪存型号兼容性，请参阅毫米波传感器支持的闪存型号。
  2. D2、D3 和 CS 线路需要适当的上拉。
  3. 如果数据线长度较长（超过 4000mil），则需要相应地放置源端接电阻器。