ZHCUCH5 November   2024

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 术语
    2. 1.2 主要系统规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 主要产品
      1. 2.2.1 IWRL6432
    3. 2.3 设计注意事项
      1. 2.3.1 参考设计特性
    4. 2.4 IWRL6432 参考设计架构
      1. 2.4.1 IWRL6432：BOM 优化设计
        1. 2.4.1.1 器件电源拓扑
      2. 2.4.2 配电网络
      3. 2.4.3 内部 LDO
        1. 2.4.3.1 启用和禁用低功耗模式
        2. 2.4.3.2 1.4V 电源：APLL 和合成器
          1. 2.4.3.2.1 APLL 1.4V
          2. 2.4.3.2.2 合成器 1.4V
        3. 2.4.3.3 1.2V 电源
          1. 2.4.3.3.1 射频 1.2V 电源
        4. 2.4.3.4 射频 1.0V 电源
      4. 2.4.4 元件选型
        1. 2.4.4.1 1.8V 直流/直流稳压器
          1. 2.4.4.1.1 强制 PWM 模式开关的必要性
          2. 2.4.4.1.2 展频时钟的重要性
        2. 2.4.4.2 3.3V 低压降稳压器
        3. 2.4.4.3 闪存存储器
        4. 2.4.4.4 晶体
  9. 3系统设计原理
    1. 3.1 天线规格
      1. 3.1.1 天线要求
      2. 3.1.2 天线方向
      3. 3.1.3 带宽和回波损耗
      4. 3.1.4 天线增益图
    2. 3.2 天线阵列
      1. 3.2.1 具有 3D 检测功能的 2D 天线阵列
      2. 3.2.2 具有 2D 检测功能的 1D 天线阵列
    3. 3.3 PCB
      1. 3.3.1 焊盘中的过孔消除
      2. 3.3.2 微过孔工艺消除
    4. 3.4 配置参数
      1. 3.4.1 天线几何结构
      2. 3.4.2 距离和相位补偿
      3. 3.4.3 线性调频脉冲配置
    5. 3.5 原理图和布局设计要求
      1. 3.5.1 BOM 优化型拓扑的内部 LDO 输出去耦电容器和布局条件
        1. 3.5.1.1 单电容器轨
          1. 3.5.1.1.1 1.2V 数字 LDO
        2. 3.5.1.2 双电容器轨
          1. 3.5.1.2.1 1.2V 射频 LDO
        3. 3.5.1.3 1.2V SRAM LDO
        4. 3.5.1.4 1.0V 射频 LDO
      2. 3.5.2 最佳和非最佳布局实践
        1. 3.5.2.1 去耦电容器放置
        2. 3.5.2.2 接地返回路径
        3. 3.5.2.3 高载流布线的布线宽度
        4. 3.5.2.4 接地平面分割
  10. 4链路预算
  11. 5硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 5.1 硬件要求
      1. 5.1.1 与 USB 转 UART 桥接器的连接
      2. 5.1.2 用于连接到主机 PC 的 USB 电缆
      3. 5.1.3 RS232 的 Rx-Tx 归属
    2. 5.2 软件要求
    3. 5.3 测试场景
    4. 5.4 测试结果
      1. 5.4.1 在视轴方向上 15 米范围内进行人体检测
      2. 5.4.2 天线辐射图
      3. 5.4.3 方位角平面中的角度估算精度
      4. 5.4.4 角度分辨率
  12. 6设计和文档支持
    1. 6.1 设计文件
      1. 6.1.1 原理图
      2. 6.1.2 BOM
      3. 6.1.3 PCB 布局建议
        1. 6.1.3.1 布局图
    2. 6.2 工具与软件
    3. 6.3 文档支持
    4. 6.4 支持资源
    5. 6.5 商标
  13. 7关于作者

3.5.1.2 双电容器轨

1.2V RF LDO、1.2V SRAM LDO 和 1.0V RF LDO 需要两个典型值为 10μF 和 2.2μF 的去耦电容器。


TIDEP-01033 输出路径不同部分提供的寄生效应（对于两个电容器）

图 3-28 输出路径不同部分提供的寄生效应（对于两个电容器）

输出路径不同部分提供的寄生效应如图 3-28 所示。如图所示，输出路径可分为四个部分：

  • 焊球到第一个电容器：RT1 和 LT1 是焊球到第一个电容器引线提供的寄生电阻和电感。
  • 沿第一个电容器：ESL1 和 ESR1 是第一个去耦电容器的有效串联电感和电阻。RT2 和 LT2 分别是第一个电容器接地布线的接地布线电阻和电感。
  • 第一个电容器引线连接到第二个电容器引线：RTC2C 和 LTC2C 是两个电容器之间布线的电阻和电感。
  • 沿第二个电容器：ESL2 和 ESR2 是第二个去耦电容器的有效串联电感和电阻。RT3 和 LT3 分别是第二个电容器接地布线的接地布线电阻和电感。
注： 建议将这两个电容器靠近各自的焊球放置。