ZHCU523C July   2018  – March 2021 TPS274160

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 主要系统规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 重点产品
      1. 2.2.1 LM5165
      2. 2.2.2 TLC59282
      3. 2.2.3 TPS4H160-Q1
      4. 2.2.4 INA253
      5. 2.2.5 TIOL111
    3. 2.3 系统设计原理
      1. 2.3.1 IO-Link PHY
      2. 2.3.2 电流吸收器
      3. 2.3.3 L+ 电源
      4. 2.3.4 电源
      5. 2.3.5 引脚排列
    4. 2.4 软件帧处理程序
      1. 2.4.1 PRU-ICSS IO-Link 帧处理程序
        1. 2.4.1.1 性能优势和优点
        2. 2.4.1.2 操作原理
  9. 3硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 所需的硬件和软件
      1. 3.1.1 硬件
      2. 3.1.2 软件
    2. 3.2 测试和结果
      1. 3.2.1 测试设置
      2. 3.2.2 测试结果
        1. 3.2.2.1 IO-Link 唤醒脉冲
        2. 3.2.2.2 L+ 导通行为
        3. 3.2.2.3 CQ 端口电流吸收器
        4. 3.2.2.4 残余电压
        5. 3.2.2.5 IO-Link 物理层测试汇总
        6. 3.2.2.6 各端口电流检测
        7. 3.2.2.7 TPS4H160 热特性
  10. 4设计文件
    1. 4.1 原理图
    2. 4.2 物料清单
    3. 4.3 PCB 布局建议
      1. 4.3.1 布局图
    4. 4.4 Altium 工程
    5. 4.5 Gerber 文件
    6. 4.6 装配图
  11. 5软件文件
  12. 6相关文档
    1. 6.1 商标
  13. 7作者简介
  14. 8修订历史记录

3.2.2.4 残余电压

测试用例 TCM_PHYL_INTF_IQPKHM 用于测试 IO-Link PHY 高侧在唤醒脉冲期间的压降。因此，将 CQ 线加载 26Ω，并产生唤醒脉冲。CQ 线上的电压需超过 13V 才能通过该测试。该测试在 L+ 电压为 20V 和 30V 的条件下进行。

TIDA-010016 测试用例 TCM_PHYL_INTF_IQPKHM：20V L+ 条件下的高侧唤醒电流，结果为 17.4V图 3-8 测试用例 TCM_PHYL_INTF_IQPKHM：20V L+ 条件下的高侧唤醒电流，结果为 17.4V
TIDA-010016 测试用例 TCM_PHYL_INTF_IQPKHM：30V L+ 条件下的高侧唤醒电流，结果为 26.4V图 3-9 测试用例 TCM_PHYL_INTF_IQPKHM：30V L+ 条件下的高侧唤醒电流，结果为 26.4V

如 图 3-8 和 图 3-9 所示，电压均高于 13V，因此高侧驱动测试通过。

下一个相关测试用例为 TCM_PHYL_INTF_IQPKLM。该测试与前一个类似，但用于测试低侧开关。因此，在 L+ 电压为 20V 时，负载为 24Ω；在 30V 时，负载为 44Ω。为测试低侧，电阻需连接在 L+ 与 CQ 之间。电压必须低于 8V 才能通过该测试。

TIDA-010016 测试用例 TCM_PHYL_INTF_IQPKLM：20V L+ 条件下的低侧唤醒电流，结果为 2V图 3-10 测试用例 TCM_PHYL_INTF_IQPKLM：20V L+ 条件下的低侧唤醒电流，结果为 2V
TIDA-010016 测试用例 TCM_PHYL_INTF_IQPKLM：30V L+ 条件下的低侧唤醒电流，结果为 2V图 3-11 测试用例 TCM_PHYL_INTF_IQPKLM：30V L+ 条件下的低侧唤醒电流，结果为 2V

因此，所有唤醒脉冲期间的电流能力测试均已通过。