ZHCT926 April   2025 LM5066I

 

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  2. 1 简介
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  4. 3 设计 48V AI 服务器热插拔电路的挑战
  5. 4 挑战 1：输出短路期间的关断延迟
  6. 5 挑战 2：在负载瞬态期间出现错误的栅极关断
  7. 6 挑战 3：受控（慢速）导通期间的并联谐振
  8. 7 建议的电路增强
  9. 8 改善关断响应
  10. 9 克服动态负载的关断错误
  11. 10阻尼寄生振荡
  12. 11设计指南和器件选择
  13. 12Cdv/dt 放电电路
  14. 13结语
  15. 14参考资料
  16. 15相关网站

11 设计指南和器件选择

参考文献 [1] 重复执行了设计热插拔电路以保护系统和 MOSFET 的过程。我们建议您查看参考文献 [1] 以熟悉该设计。

将表 1 中所示的系统规格馈入 LM5066I 设计计算器将获得并联的所选 MOSFET 的电流感应电阻器 (RSNS)、功率限制电阻器 (RPWR)、故障计时器电容器 (CTIMER)、软启动电容器 (Cdv/dt) 和数量 (N) 的值。在适用于 48V 人工智能服务器的 8kW 热插拔参考设计 [2] 中，RSNS = 330µΩ、RPWR = 28.7kΩ、CTIMER = 10nF、Cdv/dt = 47nF 且 N = 8。

查看图 8，使用方程式 1 择 RPD 电阻器：

方程式 1. R P D > V B E s a t I G A T E C B

其中，VBE(sat) 是 QPD PNP 晶体管的基极-发射极饱和电压，而 IGATE(CB) 是 LM5066I 热插拔控制器中的上电复位断路器灌电流。8kW 热插拔参考设计使用的 RPD 值 = 20Ω。