ZHCT926 April 2025 LM5066I
5 挑战 2：在负载瞬态期间出现错误的栅极关断
尽管基于 PNP 的局部 Cdv/dt 放电电路有助于在输出短路事件期间可靠地关断 MOSFET，但会在存在高频、高压摆率负载瞬态的情况下导致栅极错误关断。在负载升压期间，由于热插拔电路的输入和输出阻抗有限，MOSFET 源极节点会下降。源极节点上的压降通过 MOSFET 的 CGS 电容耦合到 MOSFET 栅极节点，并导致栅极节点也下降。MOSFET 源节点在负载降压期间恢复。由于 LM5066I 热插拔控制器的栅极电流有限（典型值为 20µA），栅极节点无法完全恢复到之前的水平。因此，热插拔控制器栅极在后续负载瞬态周期中继续进一步下降，从而为 Q1 产生基极-发射极电压。最后，PNP 双极结晶体管 Q1 导通，导致错误地关断系统。图 6 展示了整个过程，而图 7 展示了相应的测试结果。
图 6 动态负载的热插拔电路图示。
图 7 热插拔电路对动态负载的响应。