ZHCT926 April 2025 LM5066I
在图 8 所示的建议解决方案中,使用 PNP 晶体管(QPD 和 RPD)引入外部快速下拉电路将提高关断速度。在输出短路事件期间,160mA 的栅极下拉电流会在 RPD 电阻器上产生较大的压降,并启用 PNP 晶体管的快速下拉 (QPD)。这进而会使所有并联 MOSFET 的栅极至源极短路,立即关断 MOSFET 以快速断开电源路径。图 9 展示了快速下拉电路中短路事件的实验结果。