ZHCT926 April   2025 LM5066I

 

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  2. 1 简介
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  4. 3 设计 48V AI 服务器热插拔电路的挑战
  5. 4 挑战 1：输出短路期间的关断延迟
  6. 5 挑战 2：在负载瞬态期间出现错误的栅极关断
  7. 6 挑战 3：受控（慢速）导通期间的并联谐振
  8. 7 建议的电路增强
  9. 8 改善关断响应
  10. 9 克服动态负载的关断错误
  11. 10阻尼寄生振荡
  12. 11设计指南和器件选择
  13. 12Cdv/dt 放电电路
  14. 13结语
  15. 14参考资料
  16. 15相关网站

4 挑战 1：输出短路期间的关断延迟

随着负载电流的增加，需要并联更多的 MOSFET，以将最高稳态 MOSFET 结温限制为安全值（100°C 至 125°C）。例如，为了在 70°C 环境温度下支持 150A 的稳态负载电流，需要并联八个德州仪器 (TI) CSD19536KTT MOSFET，以将稳态 MOSFET 结温限制在 100°C 范围内。并联 MOSFET 有助于散热，但会增加热插拔控制器栅极引脚上的有效电容并影响关断响应。

在输出短路期间，MOSFET 需要足够快地关断，以防止故障电流进一步累积，并避免损坏 MOSFET、输入电源或印刷电路板 (PCB)。TI LM5066I 热插拔控制器的栅极下拉强度限制为 160mA，这不足以在短路事件期间完全关断所有八个 MOSFET，如图 5 所示。

LM5066I 控制器采用八个 MOSFET 时的短路响应。图 5 LM5066I 控制器采用八个 MOSFET 时的短路响应。