ZHCSZF9 December   2025 UCC21751-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全相关认证
    8. 5.8  安全限值
    9. 5.9  电气特性
    10. 5.10 开关特性
    11. 5.11 绝缘特性曲线
    12. 5.12 典型特性
  7. 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟
      1. 6.1.1 定期关断
    2. 6.2 输入抗尖峰脉冲滤波器
    3. 6.3 有源米勒钳位
      1. 6.3.1 内部片上有源米勒钳位
    4. 6.4 欠压锁定 (UVLO)
      1. 6.4.1 VCC UVLO
      2. 6.4.2 VDD UVLO
    5. 6.5 去饱和 (DESAT) 保护
      1. 6.5.1 具有软关断功能的 DESAT 保护
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  电源
      2. 7.3.2  驱动器级
      3. 7.3.3  VCC 和 VDD 欠压锁定 (UVLO)
      4. 7.3.4  有源下拉
      5. 7.3.5  短路钳位
      6. 7.3.6  内部有源米勒钳位
      7. 7.3.7  去饱和 (DESAT) 保护
      8. 7.3.8  软关断
      9. 7.3.9  故障(FLT、复位和启用 (RST/EN)
      10. 7.3.10 隔离式模拟至 PWM 信号功能
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 IN+、IN– 和 RST/EN 的输入滤波器
        2. 8.2.2.2 IN+ 和 IN– 的 PWM 互锁
        3. 8.2.2.3 FLT、RDY 和 RST/EN 引脚电路
        4. 8.2.2.4 RST/EN 引脚控制
        5. 8.2.2.5 导通和关断栅极电阻器
        6. 8.2.2.6 过流和短路保护
        7. 8.2.2.7 隔离式模拟信号感测
          1. 8.2.2.7.1 隔离式温度感测
          2. 8.2.2.7.2 隔离式直流母线电压感测
        8. 8.2.2.8 使用外部电流缓冲器实现更高的输出电流
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

去饱和 (DESAT) 保护

UCC21751-Q1 实现了快速过流和短路保护功能,可保护 IGBT 在故障期间免受灾难性击穿影响。器件的 DESAT 引脚相对于 COM、功率半导体的源极或发射极具有典型的 9V 阈值。当输入处于悬空状态或输出保持在低电平状态时,DESAT 引脚由内部 MOSFET 下拉并保持在低电平状态,从而防止误触发过流和短路故障。仅在驱动器导通状态期间激活 DESAT 引脚的内部电流源,这意味着仅在功率半导体处于导通状态时过流和短路保护功能才有效。当功率半导体关断时,内部下拉 MOSFET 有助于使 DESAT 引脚的电压放电。UCC21751-Q1 在 OUTH 切换至高电平状态后具有 200ns 的内部前沿消隐时间。在内部前沿消隐时间之后激活内部电流源,为外部消隐电容器充电。内部电流源的典型值为 500µA。

UCC21751-Q1 DESAT 保护图 7-5 DESAT 保护