ZHCSZF9 December   2025 UCC21751-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全相关认证
    8. 5.8  安全限值
    9. 5.9  电气特性
    10. 5.10 开关特性
    11. 5.11 绝缘特性曲线
    12. 5.12 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟
      1. 6.1.1 定期关断
    2. 6.2 输入抗尖峰脉冲滤波器
    3. 6.3 有源米勒钳位
      1. 6.3.1 内部片上有源米勒钳位
    4. 6.4 欠压锁定 (UVLO)
      1. 6.4.1 VCC UVLO
      2. 6.4.2 VDD UVLO
    5. 6.5 去饱和 (DESAT) 保护
      1. 6.5.1 具有软关断功能的 DESAT 保护
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  电源
      2. 7.3.2  驱动器级
      3. 7.3.3  VCC 和 VDD 欠压锁定 (UVLO)
      4. 7.3.4  有源下拉
      5. 7.3.5  短路钳位
      6. 7.3.6  内部有源米勒钳位
      7. 7.3.7  去饱和 (DESAT) 保护
      8. 7.3.8  软关断
      9. 7.3.9  故障（FLT、复位和启用 (RST/EN）
      10. 7.3.10 隔离式模拟至 PWM 信号功能
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 IN+、IN– 和 RST/EN 的输入滤波器
        2. 8.2.2.2 IN+ 和 IN– 的 PWM 互锁
        3. 8.2.2.3 FLT、RDY 和 RST/EN 引脚电路
        4. 8.2.2.4 RST/EN 引脚控制
        5. 8.2.2.5 导通和关断栅极电阻器
        6. 8.2.2.6 过流和短路保护
        7. 8.2.2.7 隔离式模拟信号感测
          1. 8.2.2.7.1 隔离式温度感测
          2. 8.2.2.7.2 隔离式直流母线电压感测
        8. 8.2.2.8 使用外部电流缓冲器实现更高的输出电流
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

7.1 概述

UCC21751-Q1 器件是一款先进的隔离式栅极驱动器，具备尖端的保护和检测功能，适用于 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件基于 SiC MOSFET 和 IGBT，可支持高达 2121V 的直流工作电压，适用于 10kW 以上的应用，如 HEV/EV 牵引逆变器、电机驱动、车载和车外电池充电器、太阳能逆变器等。电隔离采用电容隔离技术实现，可在低压 DSP/MCU 与高压侧之间建立可靠的强化隔离。

UCC21751-Q1 的 ±10A 峰值灌电流和拉电流可以直接驱动 SiC MOSFET 模块和 IGBT 模块，而无需额外的缓冲器。该驱动器亦可配合外部缓冲级驱动更高功率模块或并联模块。输入侧与输出侧通过基于电容隔离技术的强化隔离屏障实现隔离。该器件可支持高达 1.5kVRMS 的工作电压和 12.8kVPK 的浪涌抗扰度，隔离栅寿命超过 40 年。强驱动强度有助于快速开关器件并减少开关损耗，而 150V/ns 的最小 CMTI 确保系统在高速切换时仍保持可靠性。该器件具有较小的传播延迟和器件间时序偏差，可最大限度缩短死区时间设置，从而降低导通损耗。

该器件包含全面的保护和监控功能，可提升基于 SiC MOSFET 和 IGBT 系统的可靠性与稳健性。12V 输出侧电源 UVLO 适用于栅极电压 ≥15V 的开关。有源米勒钳位功能可防止在快速开关期间由米勒电容引起的误导通。该器件具有先进的 DESAT 检测时间和故障报告功能，可以向低压侧 DSP/MCU 报告。当检测到 DESAT 故障时触发软关断，从而更大限度地减少短路能量，同时降低开关上的过冲电压。

隔离式模拟转换成 PWM 的传感器可用于开关温度检测、直流母线电压检测和辅助电源检测等场景。PWM 信号可以直接馈送到 DSP/MCU，或经低通滤波器转换为模拟信号输出。