ZHCSZF9 December   2025 UCC21751-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全相关认证
    8. 5.8  安全限值
    9. 5.9  电气特性
    10. 5.10 开关特性
    11. 5.11 绝缘特性曲线
    12. 5.12 典型特性
  7. 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟
      1. 6.1.1 定期关断
    2. 6.2 输入抗尖峰脉冲滤波器
    3. 6.3 有源米勒钳位
      1. 6.3.1 内部片上有源米勒钳位
    4. 6.4 欠压锁定 (UVLO)
      1. 6.4.1 VCC UVLO
      2. 6.4.2 VDD UVLO
    5. 6.5 去饱和 (DESAT) 保护
      1. 6.5.1 具有软关断功能的 DESAT 保护
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  电源
      2. 7.3.2  驱动器级
      3. 7.3.3  VCC 和 VDD 欠压锁定 (UVLO)
      4. 7.3.4  有源下拉
      5. 7.3.5  短路钳位
      6. 7.3.6  内部有源米勒钳位
      7. 7.3.7  去饱和 (DESAT) 保护
      8. 7.3.8  软关断
      9. 7.3.9  故障(FLT、复位和启用 (RST/EN)
      10. 7.3.10 隔离式模拟至 PWM 信号功能
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 IN+、IN– 和 RST/EN 的输入滤波器
        2. 8.2.2.2 IN+ 和 IN– 的 PWM 互锁
        3. 8.2.2.3 FLT、RDY 和 RST/EN 引脚电路
        4. 8.2.2.4 RST/EN 引脚控制
        5. 8.2.2.5 导通和关断栅极电阻器
        6. 8.2.2.6 过流和短路保护
        7. 8.2.2.7 隔离式模拟信号感测
          1. 8.2.2.7.1 隔离式温度感测
          2. 8.2.2.7.2 隔离式直流母线电压感测
        8. 8.2.2.8 使用外部电流缓冲器实现更高的输出电流
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

IN+、IN– 和 RST/EN 的输入滤波器

在牵引逆变器或电机驱动器的应用中,功率半导体处于硬开关模式。凭借 UCC21751-Q1 的强驱动强度,dV/dt 可能很高,在 SiC MOSFET 中更是如此。噪声不仅会因寄生电感耦合至栅极电压,还会因非理想 PCB 布局及耦合电容耦合至输入端。

UCC21751-Q1 配置了一个能用于 IN+、IN– 和 RST/EN 引脚的 40ns 内部抗尖峰脉冲滤波器。任何小于 40ns 的信号都可以从输入引脚滤除。在有噪声的系统中,可以在外部将外部低通滤波器添加到输入引脚上。在 IN+、IN–和 RST/EN 引脚上添加低通滤波器可以有效地提高抗噪性并提高信号完整性。在不使用时,IN+、IN–和 RST/EN 引脚不得悬空。若仅使用 IN+ 端作为非反相输入至输出的配置,IN– 端必须与 GND 连接。低通滤波器的用途是滤除布局寄生效应产生的高频噪声。在选择低通滤波电阻器和电容器时,必须根据系统要求考虑抗噪效应和延迟时间。