ZHCSZF9 December   2025 UCC21751-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全相关认证
    8. 5.8  安全限值
    9. 5.9  电气特性
    10. 5.10 开关特性
    11. 5.11 绝缘特性曲线
    12. 5.12 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟
      1. 6.1.1 定期关断
    2. 6.2 输入抗尖峰脉冲滤波器
    3. 6.3 有源米勒钳位
      1. 6.3.1 内部片上有源米勒钳位
    4. 6.4 欠压锁定 (UVLO)
      1. 6.4.1 VCC UVLO
      2. 6.4.2 VDD UVLO
    5. 6.5 去饱和 (DESAT) 保护
      1. 6.5.1 具有软关断功能的 DESAT 保护
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  电源
      2. 7.3.2  驱动器级
      3. 7.3.3  VCC 和 VDD 欠压锁定 (UVLO)
      4. 7.3.4  有源下拉
      5. 7.3.5  短路钳位
      6. 7.3.6  内部有源米勒钳位
      7. 7.3.7  去饱和 (DESAT) 保护
      8. 7.3.8  软关断
      9. 7.3.9  故障（FLT、复位和启用 (RST/EN）
      10. 7.3.10 隔离式模拟至 PWM 信号功能
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 IN+、IN– 和 RST/EN 的输入滤波器
        2. 8.2.2.2 IN+ 和 IN– 的 PWM 互锁
        3. 8.2.2.3 FLT、RDY 和 RST/EN 引脚电路
        4. 8.2.2.4 RST/EN 引脚控制
        5. 8.2.2.5 导通和关断栅极电阻器
        6. 8.2.2.6 过流和短路保护
        7. 8.2.2.7 隔离式模拟信号感测
          1. 8.2.2.7.1 隔离式温度感测
          2. 8.2.2.7.2 隔离式直流母线电压感测
        8. 8.2.2.8 使用外部电流缓冲器实现更高的输出电流
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

8.1 应用信息

UCC21751-Q1 器件凭借强大的驱动能力、宽范围输出电源、高隔离等级、高 CMTI 以及卓越的保护和检测功能，展现出极高的多功能性。1.5kVRMS 工作电压和 12.8kVPK 浪涌抗扰度可支持直流母线电压高达 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 模块。该器件适用于低功率和高功率应用场景，例如 HEV/EV 牵引逆变器、车载充电器及充电桩、电机驱动器、太阳能逆变器、工业电源等。该器件采用图腾柱结构的 NPN/PNP 双极晶体管，可直接驱动大功率 SiC MOSFET 模块、IGBT 模块或并联分立器件，无需外部缓冲驱动电路，从而增强对功率半导体的控制能力，并节省电路板设计成本与空间。UCC21751-Q1 亦可通过外置缓冲级驱动超高功率模块或并联模块。输入侧支持 3.3V 至 5V 电源及微控制器信号，该器件通过增强型隔离栅将信号电平转换至输出端。该器件具有 13V 至 33V 宽输出电源范围，并支持宽范围的负电源。该特性使该驱动器可用于 SiC MOSFET、IGBT 及其他多种应用场景。12V UVLO 可降低功率半导体的导通损耗，提升系统效率。作为增强型隔离单通道驱动器，该器件可驱动低侧或高侧驱动器。

UCC21751-Q1 器件具备全面的保护与监控功能，可监测、报告并保护系统免受各类故障影响。

  • 快速检测和保护过流和短路故障。当检测到故障时，半导体关断，并将 FLT 引脚下拉，指示故障检测状态。除非从 RST/EN 引脚接收到复位信号，否则器件会被锁存。
  • 软关断功能可保护功率半导体在过流和短路故障期间免受灾难性击穿影响。关断能量可控，同时限制功率半导体的过冲幅度。
  • UVLO 检测能保护半导体免受过多导通损耗的影响。检测到器件处于 UVLO 模式后，将输出拉低，RDY 引脚指示电源丢失。在电源脱离 UVLO 状态后，器件自动回归常规工作模式。电源正常状态可通过 RDY 引脚进行监测。
  • 模拟信号检测功能，具备隔离式模拟转 PWM 信号的特性。此特性使器件能够通过热敏二极管或温度检测电阻器，检测半导体温度，或通过电阻分压器检测直流母线电压。在低压侧生成 PWM 信号，并实现与高压侧的强化隔离。信号可以反馈到微控制器以进行温度监控和电压监控等。
  • 有源米勒钳位功能可保护功率半导体免受误导通的影响。
  • 通过 RST/EN 引脚启用和禁用功能。
  • 短路钳位。
  • 有源下拉。