ZHCSZF9 December 2025 UCC21751-Q1
PRODUCTION DATA
在导通和关断开关瞬态期间,VDD 和 VEE 电源提供峰值拉电流和灌电流。较大的峰值电流可能会漏极 VDD 和 VEE 电压电平并导致电源上出现压降。为了使电源保持稳定并确保可靠运行,TI 建议在电源上使用一组去耦电容器。考虑到 UCC21751-Q1 具有 ±10A 的峰值驱动强度并可以产生高 dV/dt,TI 建议在 VDD 和 COM,VEE 和 COM 之间使用 10µF 旁路电容器。与输出侧电源相比,电流较小,因此 TI 建议在 VCC 和 GND 之间使用 1μF 旁路电容器。还建议在每个电源中配置一个 0.1μF 去耦电容器来滤除高频噪声。去耦电容器必须具有低 ESR 和 ESL,以避免高频噪声,并且必须靠近 VCC、VDD 和 VEE 引脚放置,以防止 PCB 布局的系统寄生效应产生噪声耦合。