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ZHCSZ01 August 2025 DRV8002-Q1

PRODUCTION DATA

7.4.3.2.1 智能栅极驱动器

DRV8002-Q1 采用先进的可调节浮动智能栅极驱动器架构，可实现出色的 MOSFET 控制和强大的开关性能。智能栅极驱动器架构提供用于压摆率控制的驱动器功能，并具有驱动器状态机，可用于死区时间握手，dV/dt 栅极寄生耦合预防和 MOSFET 栅极故障检测。

提供高级自适应驱动功能，以降低传播延迟，减少占空比失真和闭环可编程压摆时间。高级智能栅极驱动器功能可用于任何桥模式，每次只能用于一个半桥。高级功能不会干扰栅极驱动器的标准运行，并可根据系统要求使用。

以下总结了智能栅极驱动架构的不同功能，并在后续部分提供了更多详细信息。

智能栅极驱动器核心功能：

注：器件的正常运行无需高级自适应驱动功能和寄存器，它们专为满足特定的系统要求而设计。

表 7-31 智能栅极驱动器术语说明

核心功能	术语	说明
IDRIVE/TDRIVE	I_DRVP	用于可调 MOSFET 压摆率控制的可编程栅极驱动拉电流。使用 IDRVP_x 控制寄存器进行配置。
	I_DRVN	用于可调 MOSFET 压摆率控制的可编程栅极驱动灌电流。使用 IDRVN_x 控制寄存器进行配置。
	I_HOLD	非开关期间的固定栅极驱动器保持上拉电流。
	I_STRONG	非开关期间的固定栅极驱动器强下拉电流。这包括半桥中相反方向的 MOSFET 正在开关或 Hi-Z 时的情况。
	t_DRIVE	I_HOLD 或 I_STRONG 之前的 I_DRVP/N 驱动电流持续时间。还提供 V_GS 和 V_DS 故障监控消隐周期。使用 VGS_TDRV 控制寄存器进行配置。
	t_PD	从逻辑控制信号到栅极驱动器输出变化的传播延迟。
	t_DEAD	高侧和低侧开关转换之间的体二极管导通周期。使用 VGS_TDEAD 控制寄存器进行配置。
PDR （预充电）	I_{CHR_INIT}	充电控制环路的栅极驱动拉电流初始值。使用 PRE_CHR_INIT 控制寄存器进行配置。
	I_{PRE_CHR}	控制环路锁定后预充电期间的栅极驱动拉电流。使用 KP_PDR 控制寄存器进行配置的调整率。使用 PRE_MAX 控制寄存器配置的最大电流钳位。
	t_{PRE_CHR}	栅极驱动拉电流预充电期间持续时间。使用 T_PRE_CHR 控制寄存器进行配置。
	t_DON	从预充电期间开始到 V_SH 上升超过 V_{SH_L} 阈值的延迟时间。使用 T_DON_DOFF 控制寄存器进行配置。
	I_{DCHR_INIT}	放电期间控制环路的栅极驱动灌电流初始值。使用 PRE_DCHR_INIT 控制寄存器进行配置。
	I_{PRE_DCHR}	控制环路锁定后预放电期间的栅极驱动灌电流。使用 KP_PDR 控制寄存器进行配置的调整率。使用 PRE_MAX 控制寄存器配置的最大电流钳位。
	t_{PRE_DCHR}	栅极驱动灌电流预放电周期持续时间。使用 T_PRE_DCHR 控制寄存器进行配置。
	t_DOFF	从预放电周期开始到 V_SH 下降超过 V_{SH_H} 阈值的延迟时间。使用 T_DON_DOFF 控制寄存器进行配置。
	V_{SH_L}	V_SH 开关节点的低电压阈值。使用 AGD_THR 控制寄存器进行配置。
	V_{SH_H}	V_SH 开关节点的高电压阈值。使用 AGD_THR 控制寄存器进行配置。
PDR （后充电）	I_{PST_CHR}	后充电期间的栅极驱动拉电流。使用 KP_PST 控制寄存器配置调整速率。
	t_{PST_CHR}	栅极驱动拉电流后充电周期持续时间。
	I_{PST_DCHR}	后放电期间的栅极驱动灌电流。使用 KP_PST 控制寄存器配置调整速率。
	t_{PST_DCHR}	栅极驱动拉电流后充电周期持续时间。
	I_{FW_CHR}	续流充电电流。使用 FW_MAX 控制寄存器进行配置。
	I_{FW_DCHR}	续流放电电流。使用 FW_MAX 控制寄存器进行配置。
STC	t_RISE	V_SHx 从 V_{SHx_L} 超过 V_{SHx_H} 阈值的持续时间。使用 T_RISE_FALL 控制寄存器进行配置。
STC	t_FALL	V_SHx 从 V_{SHx_H} 超过 V_{SHx_L} 阈值的持续时间。使用 T_RISE_FALL 控制寄存器进行配置。