ZHCSZ01 August 2025 DRV8002-Q1
PRODUCTION DATA
使用低 ESR 陶瓷旁路电容器 CPVDD1 将 PVDD 引脚旁路至 GND 引脚。将该电容器放置在尽可能靠近 PVDD 引脚的位置，并通过较宽的引线或通过接地平面连接到 GND 引脚。此外，使用额定电压为 PVDD 的大容量电容器 CPVDD2 旁路 PVDD 引脚。该元件可以是电解电容器。其容值必须至少为 10µF。可以接受该电容与外部功率 MOSFET 的大容量电容共享。
在 CPL1/CPH1 和 CPL2/CP2H 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器 CFLY1 和 CFLY2。此外，在 VCP 和 PVDD 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器 CVCP。
需要额外的大容量电容来旁路掉 H 桥驱动器外部功率 MOSFET 上的大电流路径。放置此大容量电容时应做到尽可能缩短通过外部 MOSFET 的大电流路径的长度。连接金属走线尽可能宽，并具有许多连接 PCB 层的过孔。这些做法可更大限度地减少电感并允许大容量电容器提供大电流。
对于 H 桥驱动器外部 MOSFET，请使用具有适当额定电压的低 ESR 陶瓷旁路电容器将漏极引脚旁路至 GND 平面。将该电容器放置在尽可能靠近 MOSFET 漏极和源极引脚的位置，并通过粗走线或通过平面连接与 GND 平面相连。将串联栅极电阻器尽可能靠近 MOSFET 栅极引脚放置。
对于电流分流放大器，为尽可能减小走线阻抗，检测电阻的放置与功率级的元件一致。为降低耦合到电路板上其他布线的可能性，分流电阻也尽可能放置在靠近 CSA 连接件的位置。
对于高侧电流检测，分流电阻靠近电源与高侧 MOSFET 源极之间的星点。对于低侧电流检测，分流电阻位于低侧 MOSFET 源极与功率级星点接地连接件之间。其余元件放置在离器件最近的位置。
使用差分对来完成感测信号的布线。在一个差分对中，两个信号在布局中紧密耦合，布线必须从分流电阻或感测电阻并联到 IC 输入端的 CSA。
使用 CDVDD 将 DVDD 引脚旁路至 DGND 引脚。将此电容器尽可能靠近引脚放置，并尽量缩短从电容器到 DGND 引脚的路径。如果这些电源上已经存在靠近器件的本地旁路电容器以更大限度地减少噪声，则无需为 DVDD 使用这些额外元件。
不要将 SL 引脚直接连接到 GND 平面。而是应该使用专用迹线将这些引脚连接到低侧外部 MOSFET 的源极。遵循这些建议有助于更准确地感测外部 MOSFET 的 VDS 以实现过流检测。
尽可能地缩短高侧和低侧栅极驱动器的回路长度。高侧环路是从器件的 GHx 引脚到高侧功率 MOSFET 栅极，然后沿着高侧 MOSFET 源极返回到 SHx 引脚。低侧环路是从器件的 GLx 引脚到低侧功率 MOSFET 栅极，然后沿着低侧 MOSFET 源极返回到 SL 引脚。