ZHCSZ00A May 2024 – September 2025 DRV8000-Q1
PRODUCTION DATA
表 7-1 列出了推荐用于此器件的外部元件。请参阅 节 9.2 有关元件放置的示例。
| 元件 | 引脚 1 | 引脚 2 | 推荐 |
|---|---|---|---|
| CPVDD1 | PVDD | GND | 0.1µF、低 ESR 陶瓷电容器、额定电压为 PVDD。 |
| CPVDD2 | PVDD | GND | 大于或等于 10µF、额定电压为 PVDD 的局部大容量电容器。 |
| CDVDD | DVDD | GND | 1μF、6.3V、低 ESR 陶瓷电容器 |
| CVCP | VCP | PVDD | 1μF、16V、低 ESR 陶瓷电容器 |
| CFLY1 | CP1H | CP1L | 0.1µF、100V、低 ESR 陶瓷电容器 |
| CFLY2 | CP2H | CP2L | 0.1µF、100V、低 ESR 陶瓷电容器 |
| RIPROPI | IPROPI | GND | 通常为高达 2.35kΩ 0.063W 电阻器,容差为 1%,具体取决于控制器电源电压轨。 |
| RFILT | RIPROPI | CFILT | RC 滤波器的可选电阻器部分,具体取决于控制器输入。 |
| CFILT | RFILT | GND | RC 滤波器的可选低 ESR 陶瓷电容器部分,具体取决于控制器输入。 |
| RECDRV | ECDRV | GND | 通常在 ECDRV 引脚和外部 MOSFET 的栅极之间串联 220Ω 电阻,以稳定控制环路(仅出于 ESD 目的)。 RECDRV 在 CECDRV 之后靠近外部 MOSFET 的栅极放置。 |
| CECDRV | ECDRV | GND | 4.7nF、低 ESR 陶瓷电容器。CECDRV 放置在串联电阻 RECDRV 的 ECDRV 引脚侧。 注: 该电容器的额定电压基于 ECFB 的电池短路假设。 |
| CECFB | ECFB | GND | 220nF、低 ESR 陶瓷电容器 注: 该电容器的额定电压基于 ECFB 的电池短路假设。 |
| CSO1 | SO | GND | 100nF、16V、低 ESR 陶瓷电容器。 分流放大器输出滤波器的一部分。 |
| CSO2 | SO | GND | 0.01μF、16V、低 ESR 陶瓷电容器。 分流放大器输出滤波器的一部分。 |
| RSO | CSO1 | CSO2 | 通常为 0Ω,分流放大器输出滤波器的一部分。 |
| RGH_HS | GH_SH | MOSFET 栅极 | 可选 0Ω,可用于加热器压摆率控制。 |
| RSH_HS | SH_SH | MOSFET 源极 | 可选 0Ω,可用于加热器对电池短路假设。 注: 在电感短路情况下,建议使用具有适当额定电流的外部二极管。 |