ZHCSY74 May   2023 DRV8334-Q1

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
    1. 4.1 引脚功能 48 引脚 DRV8334-Q1 器件
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级 - 汽车
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 SPI 时序图
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 三相 BLDC 栅极驱动器
        1. 6.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 6.3.1.1.1 6x PWM 模式
          2. 6.3.1.1.2 带 INLx 启用控制的 3x PWM 模式
          3. 6.3.1.1.3 带 SPI 启用控制的 3x PWM 模式
          4. 6.3.1.1.4 1x PWM 模式
          5. 6.3.1.1.5 SPI 栅极驱动模式
        2. 6.3.1.2 栅极驱动架构
          1. 6.3.1.2.1 自举二极管
          2. 6.3.1.2.2 GVDD 电荷泵/LDO
          3. 6.3.1.2.3 VCP 涓流电荷泵
          4. 6.3.1.2.4 栅极驱动器输出
          5. 6.3.1.2.5 无源和半有源下拉电阻器
          6. 6.3.1.2.6 TDRIVE 栅极驱动时序控制
          7. 6.3.1.2.7 传播延迟
          8. 6.3.1.2.8 死区时间和跨导保护
      2. 6.3.2 低侧电流检测放大器
        1. 6.3.2.1 单向电流检测操作
        2. 6.3.2.2 双向电流检测操作
      3. 6.3.3 栅极驱动器关断
        1. 6.3.3.1 DRVOFF 栅极驱动器关断
        2. 6.3.3.2 栅极驱动器关断时序
      4. 6.3.4 栅极驱动器保护电路
        1. 6.3.4.1  PVDD 电源欠压警告 (PVDD_UVW)
        2. 6.3.4.2  PVDD 电源欠压锁定 (PVDD_UV)
        3. 6.3.4.3  PVDD 电源过压故障 (PVDD_OV)
        4. 6.3.4.4  GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        5. 6.3.4.5  GVDD 过压故障 (GVDD_OV)
        6. 6.3.4.6  BST 欠压锁定 (BST_UV)
        7. 6.3.4.7  BST 过压故障 (BST_OV)
        8. 6.3.4.8  VCP 欠压故障 (CP_OV)
        9. 6.3.4.9  VCP 过压故障 (CP_OV)
        10. 6.3.4.10 VDRAIN 欠压故障 (VDRAIN_UV)
        11. 6.3.4.11 VDRAIN 过压故障 (VDRAIN_OV)
        12. 6.3.4.12 MOSFET VGS 监测保护
        13. 6.3.4.13 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        14. 6.3.4.14 VSENSE 过流保护 (SEN_OCP)
        15. 6.3.4.15 相位比较器
        16. 6.3.4.16 热关断 (OTSD)
        17. 6.3.4.17 热警告 (OTW)
        18. 6.3.4.18 OTP CRC
        19. 6.3.4.19 SPI 看门狗计时器
        20. 6.3.4.20 相位诊断
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 栅极驱动器功能模式
        1. 6.4.1.1 睡眠模式
        2. 6.4.1.2 运行模式
      2. 6.4.2 器件上电序列
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 SPI
      2. 6.5.2 SPI 格式
      3. 6.5.3 SPI 格式图
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1 状态寄存器
    2. 7.2 控制寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 48 引脚封装的典型应用
        1. 8.2.1.1 外部组件
      2. 8.2.2 应用曲线
    3. 8.3 布局
      1. 8.3.1 布局指南
      2. 8.3.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 社区资源
    4. 9.4 商标
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

5.5 电气特性

4.5V ≤ VPVDD ≤ 60V，–40°C ≤ TJ ≤  （除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源 (PVDD)
IPVDDQ PVDD 睡眠模式电流 VPVDD = 12V，nSLEEP = 0，TA = 25°C，IPVDDQ = PVDD + VDRAIN


 7 10 µA
IPVDDQ PVDD 睡眠模式电流 VPVDD = 24V，nSLEEP = 0，TA = 25°C，IPVDDQ = PVDD + VDRAIN
 8 12 µA
IPVDDQ PVDD 睡眠模式电流 VPVDD =< 36V，nSLEEP = 0，IPVDDQ = PVDD + VDRAIN
 9 30 µA
IPVDD PVDD 活动模式电流 VPVDD = 24V；nSLEEP = 高电平，INHx = INLX = 低电平。未连接 FET，IPVDD = PVDD + VDRAIN，VDRAIN = 24V

 25 38 mA
IPVDD PVDD 活动模式电流 VPVDD = 60V；nSLEEP = 高电平，INHx = INLX = 低电平。未连接 FET，IPVDD = PVDD + VDRAIN，VDRAIN = 60V，VCP_MODE = 00b、01b、11b
 		 26 40 mA
IPVDD PVDD 活动模式电流 VPVDD = 24V，nSLEEP =高电平，INHx = INLX = 开关频率 20kHz，未连接 FET，IPVDD = PVDD + VDRAIN


 25 38 mA
IPVDD PVDD 活动模式电流 VPVDD = 60V，nSLEEP = 高电平，INHx = INLX = 开关频率 20kHz。未连接 FET，IPVDD = PVDD + VDRAIN，VDRAIN = 60V，VCP_MODE = 00b、01b、11b  26 40 mA
tWAKE 导通时间 nSLEEP = 低电平到高电平；nFAULT 变为高电平。

 
 1 5 ms
逻辑电平输入（INHx、INLx、nSLEEP 等）
VIL 输入逻辑低电平电压 0.8 V
VIH 输入逻辑高电平电压 2.1 V
VHYS 输入迟滞 200 330 450 mV
VIL DRVOFF 输入逻辑低电压 DRVOFF

 		 0.8 V
VIH DRVOFF 输入逻辑高电压 DRVOFF 2.1 V
VHYS DRVOFF 输入迟滞 DRVOFF 190 350 600 mV
RPD 输入下拉电阻 至 GND；INHx、INLx、SCLK、SDI 50 100 150 kΩ
RPD 输入下拉电阻 nSLEEP、DRVOFF 460 800 1700 kΩ
IIL 输入逻辑低电平电流 VI = 0V；nSCS（内部上拉）；VIO = 3.3V 11 33 66 µA
IIL 输入逻辑低电平电流 VI = 0V；nSCS（内部上拉）；VIO = 5V 25 50 100 µA
IIH 输入逻辑高电流 VI = 5V，INHx/INLx/SDI/SCLK 30 50 70 µA
VIH nSleep 输入逻辑高电压 2.1 V
VIL nSleep 输入逻辑低电压 0.8 V
VHYST nSLEEP 输入逻辑磁滞 0.1 V
逻辑电平输出（nFAULT、SDO、PHCx）
VOL 输出逻辑低电平电压 IDOUT = 1mA，PHCOMP 0.5 V
VOL 输出逻辑低电平电压 IDOUT = 1mA，SDO 0.5 V
VOH 输出逻辑高电压 IDOUT = 1mA，SDO，3.3V 模式 2.7 3.3 3.6 V
VOH 输出逻辑高电压 IDOUT = 1mA，PHCOMP，5V 模式；VPVDD ≥ 4.5V 4.0 5 5.5 V
VOH 输出逻辑高电压 IDOUT = 1mA，SDO，5V 模式；VPVDD ≥ 4.5V 4.0 5 5.5 V
VOH 输出逻辑高电压 IDOUT = 1mA，SDO，5V 模式；4V ≤ VPVDD < 4.5V 3.6 3.8 4.5 V
IOZ 输出逻辑高电平电流 nFAULT：强制 nFAULT = 5V，无故障事件，nSLEEP = 高电平
SDO：强制 VSDO = 5V，nSCS = 高电平或 nSLEEP = 低电平		 -12 25 µA
IOZ 输出逻辑高电平电流 SDO：强制 VSDO = 0V，nSCS = 高电平或 nSLEEP = 低电平 -12 10 µA
电荷泵（GVDD、VCP）
VGVDD GVDD 栅极驱动器稳压器电压（LDO 模式） 22V ≤ V PVDD；IGS ≤ 50mA 11.5 13.5 V
18V ≤ VPVDD ≤ 22V；IGS ≤ 50mA 11.5 13.5 V
GVDD 栅极驱动器稳压器电压（电荷泵模式） 7.2V ≤ VPVDD ≤ 18V；IGS = 50mA；IVCP = 5mV 11.5 13.5 V
6.5V ≤ VPVDD ≤ 7.2V；IGS ≤ 20mA；IVCP = 3mA
 11.5 13.5 V
5V ≤ VPVDD ≤ 6.5V；IGS ≤ 20mA；IVCP = 3mA
 9 13 V
4.5V ≤ VPVDD ≤ 5V；IGS ≤ 20 mA，IVCP = 3mA；
 8 10 V
VVCP VCP 电荷泵电压（参考 VDRAIN） VVCP = V(VCP - VDRAIN)；13.5 ≥ GVDD ≥ 11V；VDRAIN > 4.5V；IVCP 5mA；

 9.5 13.5 V
VVCP = V(VCP - VDRAIN)；9V ≤ GVDD < 11V；VDRAIN > 4.5V；IVCP = 3mA；

 8.3 11
VVCP = V(VCP - VDRAIN)；8V ≤ GVDD < 9V；VDRAIN > 4.5V；IVCP = 3mA；

 7.36 9
tBST_PRECHG VCP 电荷泵自举电容预充电时间 VBST-SHX = 5V；INHx = INLx = 低电平。Tj = 150°C，IVCP = 3mA；CVCP = 1.5μF；CBST = 1.5μF（每个相位），CVCP_FLY = 1μF；VPVDD = 4.5V
 1.7 3 ms
VBST_TCPOFF VCP 停止对 BST 电容充电的 BST 监控电压（上升电压） INLx = 0；SHx = 0、VDRAIN；VDRAIN = PVDD = 12V、60V； 12.0 13.2 14.6 V
自举二极管
VBOOTD 自举二极管正向电压 IBOOT = 100µA 0.55 0.85 V
IBOOT = 10mA 0.85 1.1
VBOOTD 自举二极管正向电压 IBOOT = 100mA。TJ < 150℃ 1.6 V
RBOOTD 自举动态电阻 (ΔVBOOTD/ΔIBOOT) IBOOT = 100mA 和 50mA。TJ < 150°C 6.6 9.1 Ω
栅极驱动器（GHx、GLx、SHx、SLx）
VGL_L 低侧低电平输出电压 IGLx = 10mA，GLx - SLx；IDRVN = 100100b：IHOLD_SEL = 0b，VGVDD = 12V； 0 0.2 V
VGL_H 低侧高电平输出电压 IGLx = 10mA，GVDD - GLx；IDRVP = 100100b；IHOLD_SEL = 0b；VGVDD = 12V； 0 0.2 V
VGH_L 高侧低电平输出电压 IGHx = 10mA，GHx - SHx；IDRVN = 100100b；IHOLD_SEL = 0b；VGVDD = 12V； 0 0.2 V
VGH_H 高侧高电平输出电压 IGHx = 10mA，BSTx - GHx；IDRVP = 100100b；IHOLD_SEL = 0b；VGVDD = 12V； 0 0.2 V
RPDSA_LS 低侧半有源下拉电阻 GLx 至 SLx；nSLEEP = 低电平，VGLx - VSLx = 2V，GVDD (BSTx-SHx) > 2V 2 3 4.3 kΩ
RPDSA_HS 高侧半有源下拉电阻 GHx 至 SHx；nSLEEP = 低电平，VGHx - VSHx = 2V，GVDD (BSTx-SHx) > 2V 7 9 12 kΩ
IDRVN 峰值栅极灌电流 IDRVN=000000b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 0.85 mA
IDRVN=000001b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 1.2
IDRVN=000010b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 1.6
IDRVN=000011b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 2.0
IDRVN=000100b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 2.4
IDRVN=000101b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 3.0
IDRVN=000110b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 3.6
IDRVN=000111b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 4.2
IDRVN=001000b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 4.7
IDRVN=001001b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 5.7
IDRVN=001010b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 6.7
IDRVN=001011b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 7.8
IDRVN=001100b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 8.8
IDRVN=001101b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 10
IDRVN=001110b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 11.5
IDRVN=001111b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 13
IDRVN=010000b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 14
IDRVN=010001b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 17
IDRVN=010010b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 19
IDRVN=010011b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 26
IDRVN=010100b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 29
IDRVN=010101b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 32
IDRVN 峰值栅极灌电流 IDRVN=010110b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 37 mA
IDRVN=010111b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 43
IDRVN=011000b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 49
IDRVN=011001b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 58
IDRVN=011010b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 77
IDRVN= 011011b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V

 92
IDRVN= 011100b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V

 100
IDRVN=011101b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 120
IDRVN=011110b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 140
IDRVN=011111b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 155
IDRVN=100000b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 175
IDRVN=100001b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 210
IDRVN=100010b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 240
IDRVN=100011b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V 270
IDRVP 峰值栅极拉电流  IDRV_CFG = 0b；IDRV_RATIO = 00b；IDRVN = 00000b 至 100011b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V
 		 1*IDRVN mA
IDRV_CFG = 0b；IDRV_RATIO = 01b；IDRVN = 00000b 至 100011b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V
  		 0.75*IDRVN mA
IDRV_CFG = 0b；IDRV_RATIO = 10b；IDRVN = 00000b 至 100011b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V
 		 0.5*IDRVN mA
IDRV_CFG = 0b；IDRV_RATIO = 11b；IDRVN = 00000b 至 100011b；VGSx = 5V；BST-SHx = GVDD = 12V
 		 0.25*IDRVN mA
IDRVN_VAR 峰值栅极灌电流变化 IDRVN = 000000b - 010011b，以典型值为基准 -55 +55 %
IDRVN = 010011b - 100011b，以典型值为基准 -45 +45 %
IDRVN 峰值栅极灌电流 - 开关模式  IDRVN = 100100b；VGSx (GHx-SHx, GLx-SLx) = 12V；BST-SHx = GVDD = 12V。 SGD_TMP_EN = 1b 370 600 980 mA
IDRVN = 100101b；VGSx (GHx-SHx, GLx-SLx) = 12V；BST-SHx = GVDD = 12V。SGD_TMP_EN = 1b 440 700 1050 mA
IDRVN = 100110b；VGSx (GHx-SHx, GLx-SLx)= 12V；BST-SHx = GVDD = 12V。SGD_TMP_EN = 1b 500 795 1250 mA
IDRVN = 100111b；VGSx (GHx-SHx, GLx-SLx)= 12V；BST-SHx = GVDD = 12V。SGD_TMP_EN = 1b 580 910 1365 mA
IDRVN = 101000b；VGSx (GHx-SHx, GLx-SLx)= 12V；BST-SHx = GVDD = 12V。SGD_TMP_EN = 1b 720 1090 1600 mA
IDRVN = 101001b；VGSx (GHx-SHx, GLx-SLx)= 12V；BST-SHx = GVDD = 12V。SGD_TMP_EN = 1b 820 1255 1820 mA
IDRVN = 101010b；VGSx (GHx-SHx, GLx-SLx)= 12V；BST-SHx = GVDD = 12V。SGD_TMP_EN = 1b 910 1455 2200 mA
IDRVN = 101011b；VGSx (GHx-SHx, GLx-SLx)= 12V；BST-SHx = GVDD = 12V。SGD_TMP_EN = 1b 1000 1685 2500 mA
IDRVN = 101100b；VGSx (GHx-SHx, GLx-SLx)= 12V；BST-SHx = GVDD = 12V。SGD_TMP_EN = 1b 1080 2000 2600 mA

IDRVP
 		 峰值栅极拉电流 - 开关模式   IDRVP= 100100b；VGSx (GHx-SHx, GLx-SLx)= 0V；GVDD = 12V 160 300 450 mA
IDRVP= 100101b；VGSx (GHx-SHx, GLx-SLx)= 0V；GVDD = 12V 160 320 480 mA
IDRVP= 100110b；VGSx (GHx-SHx, GLx-SLx)= 0V；GVDD = 12V 200 380 570 mA
IDRVP= 100111b；VGSx (GHx-SHx, GLx-SLx)= 0V；GVDD = 12V 215 430 645 mA
IDRVP= 101000b；VGSx (GHx-SHx, GLx-SLx)= 0V；GVDD = 12V 250 500 750 mA
IDRVP= 101001b；VGSx (GHx-SHx, GLx-SLx)= 0V；GVDD = 12V 300 600 850 mA
IDRVP= 101010b；VGSx (GHx-SHx, GLx-SLx)= 0V；GVDD = 12V 360 700 970 mA
IDRVP= 101011b；VGSx (GHx-SHx, GLx-SLx)= 0V；GVDD = 12V 400 800 1150 mA
IDRVP= 101100b；VGSx (GHx-SHx, GLx-SLx)= 0V；GVDD = 12V 500 1000 1300 mA
IHOLD_PU 栅极上拉保持电流  IHOLD_SEL = 1b；BST-SHx = GVDD = 12V。 150 250 400 mA
IHOLD_PU 栅极上拉保持电流  IHOLD_SEL = 0b；BST-SHx = GVDD = 12V。 330 560 900 mA
IHOLD_PD 栅极下拉保持电流  IHOLD_SEL = 1b；BST-SHx = GVDD = 12V。 140 267 480 mA
IHOLD_PD 栅极下拉保持电流  IHOLD_SEL = 0b；BST-SHx = GVDD = 12V。 580 1100 1500 mA
ISTRONG 栅极下拉强电流  GHx-SHx = 12V（高侧）或 GLx = 12V （低侧）；BST-SHx = GVDD = 12V。 1000 2000 2800 mA
栅极驱动器时序（GHx，GLx）
tPD 输入到输出传播延迟 GHx/GLx 下降
INHx、INLx 至 GHx、GLx。IDRVN = IDRVP = 101000b；在 INHx/INLx 下降沿至 VGS = VGHS/VGLS – 1V 后；VGVDD = VBSTx-SHx ≥ 8V		 90 150 ns
tPD 输入到输出传播延迟 GHx/GLx 下降
INHx、INLx 至 GHx、GLx。IDRVN = IDRVP = 011101b；在 INHx/INLx 下降沿至 VGS = VGHS/VGLS – 1V 后；VGVDD = VBSTx-SHx ≥ 8V		 110 150 ns
tPD 输入到输出传播延迟 GHx/GLx 上升
INHx、INLx 至 GHx、GLx。IDRVN = IDRVP = 101000b；INHx/INLx 上升沿至 VGS = 1V 后；VGVDD = VBSTx-SHx ≥8 V		 90 152 ns
tPD 输入到输出传播延迟 GHx/GLx 上升
INHx、INLx 至 GHx、GLx。IDRVN = IDRVP = 011101b；在 INHx/INLx 上升沿至 VGS = 1V 后；VGVDD = VBSTx-SHx ≥ 8V		 100 150 ns
tPD 输入到输出传播延迟 GHx/GLx 上升 Rev2p0 新
DRV_BIAS_MODE = 01b
INHx、INLx 至 GHx、GLx。IDRVN = IDRVP = 101000b；INHx/INLx 上升沿至 VGS = 1V 后；VGVDD = VBSTx-SHx ≥8 V		 60 170 ns
tPD 输入到输出传播延迟 GHx/GLx 上升 Rev2p0 新
DRV_BIAS_MODE = 10b、11b
INHx、INLx 至 GHx、GLx。IDRVN = IDRVP = 101000b；INHx/INLx 上升沿至 VGS = 1V 后；VGVDD = VBSTx-SHx ≥8 V		 100 220 ns
tPD_match 每相位的匹配传播延迟 GHx 关闭至 GLx 开启，GLx 关闭至 GHx 开启；VGVDD = VBSTx-SHx ≥ 8V -150 10 150 ns
tPD_match 相间匹配传播延迟 GHx/GLx 开启至 GHy/GLy 开启，GHx/GLx 关闭至 GHy/GLy 关闭；VGVDD = VBSTx-SHx ≥ 8V -50 10 50 ns
tDRIVE 峰值电流栅极驱动时间  典型值。TDRVP (TDRVN) = 0000b - 1111b。请参阅寄存器映射 TDRNP 和 TDRVN。 140 3821 ns
tDRIVE_V 峰值电流栅极驱动时间变化 以典型值为基准。TDRVP (TDRVN) = 0000b - 1111b -20 20 %
tDEAD 数字栅极驱动死区时间  DEADTIME = 000b； 30 70 130 ns
DEADTIME = 001b； 170 214 300 ns
DEADTIME = 010b 230 286 380 ns
DEADTIME = 011b 420 500 640 ns
DEADTIME = 100b 640 750 930 ns
DEADTIME = 101b 880 1000 1280 ns
DEADTIME = 110b 1270 1500 1820 ns
DEADTIME = 111b 1700 2000 2400 ns
电流分流放大器（SNx、SOx、SPx、VREF）
ACSA 检测放大器增益 CSAGAIN = 0000b 5 V/V
CSAGAIN = 0001b； 10 V/V
CSAGAIN = 0010b 12 V/V
CSAGAIN = 0011b 16 V/V
CSAGAIN = 0100b 20 V/V
CSAGAIN = 0101b 23 V/V
CSAGAIN = 0110b 25 V/V
CSAGAIN = 0111b 30 V/V
CSAGAIN = 1000b 40 V/V
EACSA 检测放大器增益误差 所有 CSAGAIN 设置
VGVDD > 7.2V （此 GVDD 条件适用于所有 CSA 项目）		 -0.55 0.55 %
tSET 精度达 ±1% 的稳定时间 VSTEP = 1.6V，ACSA = 5V/V，RSO = 160Ω，CSO = 470pF ；VREF = 5V/3V
 0.6 1.6 µs
tSET 精度达 ±1% 的稳定时间 VSTEP = 1.6V，ACSA = 10V/V，CLOAD = 470pF 
 0.65 1.5 µs
tSET 精度达 ±1% 的稳定时间 VSTEP = 1.6V，ACSA = 20V/V，RSO = 160Ω，CSO = 470pF VREF = 5V/3V
 0.7 1.55 µs
tSET 精度达 ±1% 的稳定时间 VSTEP = 1.6V，ACSA = 30V/V，RSO = 160Ω，CSO = 470pF VREF = 5V 0.7 1.5 µs
tSET 精度达 ±1% 的稳定时间 VSTEP = 1.6V，ACSA = 30V/V，RSO = 160Ω，CSO = 470pF VREF = 3V 0.7 1.6 µs
tSET 精度达 ±1% 的稳定时间 VSTEP = 1.6V，ACSA = 40V/V，RSO = 160Ω，CSO = 470pF VREF = 5V 0.7 1.7 µs
tSET 精度达 ±1% 的稳定时间 VSTEP = 1.6V，ACSA = 40V/V，RSO = 160Ω，CSO = 470pF VREF = 3V 0.7 1.75 µs
UGB 单位带宽增益积 CLOAD = 470pF；闭环，单位增益带宽

 10 MHz
BW 带宽 闭环，-3db，无输出负载 1 MHz
VSWING 输出电压范围 VVREF = 3V 至 5.5V

 0.25 VVREF - 0.25 V
VCOM 共模输入范围 VCOM = (VSP + VSN)/2 -2 2 V
tcom_rec 共模瞬态抗恢复时间 VCOM = -15V 至 0V

 2.9 µs
VDIFF 差分模式输入范围 -0.3 0.3 V
VOFF 输入总偏移电压 VSP = VSN = GND；CSAGAIN = 0000b（增益 5）
初始偏移 + 温漂，增益 = 5

 		 -0.6 0.5 mV
VOFF 输入总偏移电压 VSP = VSN = GND；CSAGAIN = 0001b - 1000b（增益 10 - 增益 40）
初始偏移 + 温漂

 		 -0.5 0.5 mV
VOFF_DRIFT 输入漂移失调电压 VSP = VSN = GND；温度漂移 + 老化
 		 ±0.1 mV
IBIAS 输入偏置电流 VSP = VSN = GND。  CSA 和 SENSE_OCP 总计  20 100 µA
IBIAS_OFF 输入偏置电流失调  ISP – ISN。CSA 和 SENSE_OCP 总计  -1.5 1.5 µA
IVREF 基准输入电流 VCSAREF = 3.3V 3 6 9.25 mA
VCSAREF = 5V 4 7 9.5 mA
CMRR 直流共模抑制比 SN/SP =-2V 至 2V 60 90 dB
CMRR 瞬态共模抑制比 20KHz 60 90 dB
PSRR 电源抑制比 100 dB
tCSAAZ_INIT 初始 CSA 自动置零  从 CSA_EN = 1b 到初始 CSA 自动置零结束功能

 26 32 38 µS
tCSAAZ_MIN CSA 自动置零超时周期 CSA_EN = 1b。INHx 和 INLx 切换。

 170 µS
tCSAAZ_MAX CSA 自动置零超时周期 CSA_EN = 1b。INHx = INLx = 低电平

 260 µS
温度报告
电源电压监测
VPVDD_UV PVDD 欠压锁定阈值 VPVDD 上升 4.5 4.65 4.8 V
VPVDD 下降 4.05 4.2 4.35
VPVDD_UV_HYS PVDD 欠压锁定磁滞 上升至下降阈值 400 450 500 mV
tPVDD_UV_DG PVDD 欠压抗尖峰脉冲时间 上升沿和下降沿 8 12 16 µs
VPVDD_UVW PVDD 欠压警告阈值 VPVDD 上升；PVDD_UVW_LVL = 0b； 6.0 7 V
VPVDD 下降；PVDD_ULW_LVL = 0b； 5.8 6.8 V
VPVDD 上升；PVDD_UVW_LVL = 1b； 7.3 8.3 V
VPVDD 下降；PVDD_UVW_LVL = 1b； 7.1 8.1 V
VPVDD_UVW_HYS PVDD 欠压警告迟滞 上升至下降阈值 140 200 260 mV
tPVDD_UVW_DG PVDD 欠压警告抗尖峰脉冲时间 上升沿和下降沿 8 12 16 µs
VPVDD_OV PVDD 过压阈值 VPVDD 上升，PVDD_OV_LVL = 00b 28 31 V
VPVDD 下降，PVDD_OV_LVL = 00b 27 30
VPVDD 上升，PVDD_OV_LVL = 01b 33 36
VPVDD 下降，PVDD_OV_LVL = 01b 32 35
VPVDD 上升，PVDD_OV_LVL = 10b 50 55
VPVDD 下降，PVDD_OV_LVL = 10b 47 52
VPVDD_OV_HYS PVDD 过压迟滞 上升至下降阈值 PVDD_OV_LVL = 00b、01b 0.6 0.9 1.2 V
VPVDD_OV_HYS PVDD 过压迟滞 上升至下降阈值 PVDD_OV_LVL = 10b 2.0 2.2 2.4 V
tPVDD_OV_DG PVDD 过压抗尖峰脉冲时间 上升沿和下降沿 8 12 16 µs
VGVDD_UV GVDD 欠压阈值 VGVDD 上升 - 上电后 7.0 7.8 V
VGVDD 上升 - 仅上电 7.5 8.1 V
VGVDD 下降  6.8 7.6 V
VGVDD_UV_HYS GVDD 欠压迟滞 上升至下降阈值 185 215 245 mV
tGVDD_UV_DG GVDD 欠压抗尖峰脉冲时间 上升沿和下降沿 8 12 16 µs
VGVDD_OV GVDD 过压阈值 VGVDD 上升 15 17 V
VGVDD 下降 14.5 16.5
VGVDD_OV_HYS GVDD 过压迟滞 上升至下降阈值 490 560 630 mV
tGVDD_OV_DG GVDD 过压抗尖峰脉冲时间 上升沿和下降沿 8 12 16 µs
VBST_UV 自举欠压阈值 VBSTx - VSHx；VBSTx 上升；BST_UV_LVL = 1b 6.3 7.4 8.5 V
VBSTx - VSHx；VBSTx 下降；BST_UV_LVL = 1b 6.1 7.2 8.3
VBST_UV 自举欠压阈值 VBSTx - VSHx；VBSTx 上升；BST_UV_LVL = 0b 3.8 4.4 5 V
VBSTx - VSHx；VBSTx 下降；BST_UV_LVL = 0b 3.60 4.2 4.8 V
VBST_UV_HYS 自举欠压迟滞 上升至下降阈值
BST_UV_LVL = 0b 和 1b		 120 200 280 mV
tBST_UV_DG 自举欠压抗尖峰脉冲时间 上升沿和下降沿 4 6 8 µs
VBST_OV 自举过压阈值 VBSTx - VSHx，VBSTx 上升 15.2 18 V
VBSTx - VSHx，VBSTx 下降 15 17.8
VBST_OV_HYS 自举过压磁滞 110 200 260 mV
tBST_OV_DG 自举过压抗尖峰脉冲时间 上升沿和下降沿 8 12 16 µs
VCP_UV VCP 欠压阈值 VCP - VDRAIN；上升 6 6.7 7.36 V
VCP - VDRAIN；下降 5.9 6.6 7.25
tCP_UV_DG VCP 欠压抗尖峰脉冲时间 上升沿和下降沿 8 12 16 µs
VCP_OV VCP 过压阈值 VCP - VDRAIN；上升 14.1 17.1 V
VCP - VDRAIN；下降 13.8 16.7
tCP_OV_DG VCP 过压抗尖峰脉冲时间 上升沿和下降沿 8 12 16 µs
VDRAIN_UV VDRAIN 欠压阈值 VVDRAIN 上升 4.25 4.35 4.45 V
VDRAIN_UV VDRAIN 欠压阈值 VVDRAIN 下降 4.05 4.15 4.25 V
VDRAIN_UV_HYS VDRAIN 欠压迟滞 160 190 210 mV
tVDRAIN_UV_DG VDRAIN 欠压抗尖峰脉冲时间 上升沿和下降沿 8 12 16 µs
VDRAIN_OV VDRAIN 过压阈值 VVDRAIN 上升，VDRAIN_OV_LVL = 00b 28 31 V
VVDRAIN 下降，VDRAIN_OV_LVL = 00b 27 30 V
VVDRAIN 上升，VDRAIN_OV_LVL = 01b 33 36 V
VVDRAIN 下降，VDRAIN_OV_LVL = 01b 32 35 V
VVDRAIN 上升，VDRAIN_OV_LVL = 10b、11b 50 55 V
VVDRAIN 下降，VDRAIN_OV_LVL = 10b、11b 48 353 V
VDRAIN_OV_HYS VDRAIN 过压迟滞 上升至下降阈值，VDRAIN_OV_LVL = 00b、01b 0.7 1.0 1.3 V
VDRAIN_OV_HYS VDRAIN 过压迟滞 上升至下降阈值，VDRAIN_OV_LVL = 10b，11b 1.9 2.3 2.6 V
tVDRAIN_OV_DG VDRAIN 过压抗尖峰脉冲时间 上升沿和下降沿 8 12 16 µs
保护电路
VGS_LVL_H 栅极电压监控阈值 VGHx – VSHx，VGLx – VSLx，INLx/INHx = H；VGS_LVL = 1'b1
 6.9 8.5 V
VGS_LVL_H 栅极电压监控阈值 VGHx – VSHx，VGLx – VSLx，INLx/INHx = H；VGS_LVL = 1'b0
 5 6.3 V
VGS_LVL_L 栅极电压监控阈值 VGHx – VSHx，VGLx – VSLx，INLx/INHx = L 1.3 2 V
tGS_DG VGS 栅极电压监控抗尖峰脉冲时间 VGS_DG = 000b
 0.3 0.6 0.8 µs
VGS_DG = 001b 0.6 1.0 1.3 µs
VGS_DG = 010b， 1.1 1.5 1.9 µs
VGS_DG = 011b，VGS_DG = 1xxb 1.6 2.0 2.5 µs
tGS_BLK VGS 栅极电压监控消隐时间 VGS_BLK = 000b 1.7 2.25 2.9 µs
VGS_BLK = 001b 2.4 3 3.6 µs
VGS_BLK = 010b 4.0 5 5.8 µs
VGS_BLK = 011b 5.9 7 8.2 µs
VGS_BLK = 100b、101b、110b、111b 8.6 10 11.9 µs
VDS_LVL VDS 过流保护阈值 VDS_LVL = 0000b；SLx = -0.2V 至+2.0V。 VDS_CM = 0b 0.036 0.06 0.085 V
VDS_LVL VDS 过流保护阈值 VDS_LVL = 0001b；SLx = -0.2V 至+2.0V。VDS_CM = 0b 0.059 0.08 0.11 V
VDS_LVL VDS 过流保护阈值 VDS_LVL = 0010b；SLx = -0.2V 至+2.0V。VDS_CM = 0b，
 		 0.064 0.10 0.13 V
VDS_LVL VDS 过流保护阈值 VDS_LVL = 0011b；SLx = -0.3V 至+2.0V。 0.082 0.12 0.16 V
VDS_LVL VDS 过流保护阈值 VDS_LVL = 0100b；SLx = -0.3V 至+2.0V。 0.13 0.16 0.20 V
VDS_LVL = 0101b；SLx = -0.3V 至+2.0V。 0.2 0.24 0.29
VDS_LVL = 0110b；SLx = -0.3V 至+2.0V。 0.27 0.32 0.385
VDS_LVL = 0111b；SLx = -0.3V 至+2.0V。 0.34 0.4 0.47
VDS_LVL = 1000b；SLx = -0.3V 至+2.0V。 0.44 0.5 0.58
VDS_LVL = 1001b；SLx = -0.3V 至+2.0V。 0.59 0.67 0.77
VDS_LVL = 1010b；SLx = -0.3V 至+2.0V。 0.75 0.83 0.96
VDS_LVL = 1011b；SLx = -0.3V 至+2.0V。 0.90 1 1.15
VDS_LVL = 1100b；SLx = -0.3V 至+2.0V。 1.12 1.27 1.43
VDS_LVL = 1101b；SLx = -0.3V 至+2.0V。 1.35 1.53 1.71
VDS_LVL = 1110b；SLx = -0.3V 至 +2.0V。 1.57 1.78 1.99
VDS_LVL = 1111b；SLx = -0.3V 至 +2.0V。 1.79 2 2.27
tDS_CMP VDS 比较器延迟 VDS（比较器输入电压）从 0V 到 VDS_LVL 的最大值（比较器输出上升），内部比较器的延迟时间。
 		 0.5 1.0 µs
VDS（比较器输入电压）从 VDRAIN 到 VDS_LVL 的最小值（比较器输出下降），内部比较器的延迟时间。
 		 1.0 1.6
tDS_DG VDS 过流抗尖峰脉冲  VDS_DG = 000b
 0.4 0.6 0.8 µs
VDS_DG = 001b 0.7 1 1.3
VDS_DG = 010b 1.2 1.5 2.0
VDS_DG = 011b 1.5 2 2.5
VDS_DG = 100b 3.3 4 4.8
VDS_DG = 101b 5.2 6 7.35
VDS_DG = 110b、111b 6.8 8 9.2
tDS_BLK VDS 过流保护消隐时间 VDS_BLK = 000b 0 0.2 µs
VDS_BLK = 001b 0.4 0.5 0.7
VDS_BLK = 010b 0.7 1 1.5
VDS_BLK = 011b 1.4 2 2.6
VDS_BLK = 100b 5.0 6 7.2
VDS_BLK = 101b 6.8 8 9.4
VDS_BLK = 110b 8.4 10 11.9
VDS_BLK = 111b 10.1 12 13.9
VSENSE_LVL VSENSE 过流阈值 SNS_OCP_LVL = 000b：输入共模电压 +/-2V 34 50 64 mV
SNS_OCP_LVL = 001b：输入共模电压 +/-2V 60 75 87
SNS_OCP_LVL = 010b：输入共模电压 +/-2V 84 100 112
SNS_OCP_LVL = 011b：输入共模电压 +/-2V 110 125 138
SNS_OCP_LVL = 100b：输入共模电压 +/-2V 134 150 165
SNS_OCP_LVL = 101b：输入共模电压 +/-2V 183 200 214
SNS_OCP_LVL = 110b：输入共模电压 +/-2V 280 300 320
SNS_OCP_LVL = 111b：输入共模电压 +/-2V 474 500 525
tSENSE_DG VSENSE 过流抗尖峰脉冲时间 SNS_OCP_DG = 00b 1.5 2.0 2.5 µs
SNS_OCP_DG = 01b 3.0 4.0 5.0
SNS_OCP_DG = 10b 4.5 6.0 7.5
SNS_OCP_DG = 11b 8 10.0 12
IPHD_SRC 相位诊断拉电流 SHx 的拉电流；PHDEN_Hx = 1b；VGVDD ≥ 8V，VDRAIN ≥ 4.5V。VDRAIN - SHx = 4V 4.3 7.3 12 mA
IPHD_SINK 相位诊断灌电流  SHx 的灌电流；PHDEN_Lx = 1b；VGVDD ≥ 8V，VDRAIN ≥ 4.5V。 SHx-GND = 4V 4.0 4.8 5.5
VPHC_H 相对于 VDRAIN 的相位比较器高电平阈值（这是与 VDRAIN 电压的比率） PHC_THR = 0b 0.6 0.75 0.9 V/V
VPHC_H 相对于 VDRAIN 的相位比较器高电平阈值（这是与 VDRAIN 电压的比率） PHC_THR = 1b 0.37 0.52 0.67 V/V
VPHC_L 相对于 VDRAIN 的相位比较器低电平阈值（这是与 VDRAIN 电压的比率） PHC_THR = 0b 0.10 0.25 0.40 V/V
VPHC_L 相对于 VDRAIN 的相位比较器低电平阈值（这是与 VDRAIN 电压的比率） PHC_THR = 1b 0.33 0.48 0.63 V/V
tPHC_PD_HL 相位比较器传播延迟 相位比较器从高电平到低电平的传播延迟从 SHx 到 PHCx，Cload = 20pF；SHx 输入测试条件 60V – 0V，从 SHx = VDRAIN 的 88% 到 15% 1.5 µs
tPHC_PD_LH 相位比较器传播延迟 相位比较器从低电平到高电平的传播延迟从 SHx 到 PHCx，Cload = 20pF；SHx 输入测试条件 0V – 60V，从 SHx = VDRAIN 的 15% 到 88% 1.5 µs
tPHC_OUT_DEG 相位比较器输出抗尖峰脉冲时间 PHCOUT_DG_SEL = 1 0.8 1.0 1.4 µs
TOTW 热警告温度 TJ 上升，OT_LVL = 0b； 125 150 °C
TOTW 热警告温度（0 级） TJ 上升，OT_LVL = 1b； 150 175 °C
TOTW_HYS 热警告迟滞 15 22 25 °C
tOTW_DEG 热警告抗尖峰脉冲 8 12 16 µs
TOTSD 热关断温度 TJ 上升；OT_LVL = 0b 155 180 °C
热关断温度（0 级器件） TJ 上升；OT_LVL = 1b； 180 205 °C
TOTSD_HYS 热关断迟滞 16 23 27 °C
tOTSD_DEG 热关断抗尖峰脉冲 8 12 16 µs
tDRVN_SD 栅极驱动关断序列时间 20 µs