ZHCSY74 May   2023 DRV8334-Q1

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
    1. 4.1 引脚功能 48 引脚 DRV8334-Q1 器件
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级 - 汽车
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 SPI 时序图
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 三相 BLDC 栅极驱动器
        1. 6.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 6.3.1.1.1 6x PWM 模式
          2. 6.3.1.1.2 带 INLx 启用控制的 3x PWM 模式
          3. 6.3.1.1.3 带 SPI 启用控制的 3x PWM 模式
          4. 6.3.1.1.4 1x PWM 模式
          5. 6.3.1.1.5 SPI 栅极驱动模式
        2. 6.3.1.2 栅极驱动架构
          1. 6.3.1.2.1 自举二极管
          2. 6.3.1.2.2 GVDD 电荷泵/LDO
          3. 6.3.1.2.3 VCP 涓流电荷泵
          4. 6.3.1.2.4 栅极驱动器输出
          5. 6.3.1.2.5 无源和半有源下拉电阻器
          6. 6.3.1.2.6 TDRIVE 栅极驱动时序控制
          7. 6.3.1.2.7 传播延迟
          8. 6.3.1.2.8 死区时间和跨导保护
      2. 6.3.2 低侧电流检测放大器
        1. 6.3.2.1 单向电流检测操作
        2. 6.3.2.2 双向电流检测操作
      3. 6.3.3 栅极驱动器关断
        1. 6.3.3.1 DRVOFF 栅极驱动器关断
        2. 6.3.3.2 栅极驱动器关断时序
      4. 6.3.4 栅极驱动器保护电路
        1. 6.3.4.1  PVDD 电源欠压警告 (PVDD_UVW)
        2. 6.3.4.2  PVDD 电源欠压锁定 (PVDD_UV)
        3. 6.3.4.3  PVDD 电源过压故障 (PVDD_OV)
        4. 6.3.4.4  GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        5. 6.3.4.5  GVDD 过压故障 (GVDD_OV)
        6. 6.3.4.6  BST 欠压锁定 (BST_UV)
        7. 6.3.4.7  BST 过压故障 (BST_OV)
        8. 6.3.4.8  VCP 欠压故障 (CP_OV)
        9. 6.3.4.9  VCP 过压故障 (CP_OV)
        10. 6.3.4.10 VDRAIN 欠压故障 (VDRAIN_UV)
        11. 6.3.4.11 VDRAIN 过压故障 (VDRAIN_OV)
        12. 6.3.4.12 MOSFET VGS 监测保护
        13. 6.3.4.13 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        14. 6.3.4.14 VSENSE 过流保护 (SEN_OCP)
        15. 6.3.4.15 相位比较器
        16. 6.3.4.16 热关断 (OTSD)
        17. 6.3.4.17 热警告 (OTW)
        18. 6.3.4.18 OTP CRC
        19. 6.3.4.19 SPI 看门狗计时器
        20. 6.3.4.20 相位诊断
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 栅极驱动器功能模式
        1. 6.4.1.1 睡眠模式
        2. 6.4.1.2 运行模式
      2. 6.4.2 器件上电序列
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 SPI
      2. 6.5.2 SPI 格式
      3. 6.5.3 SPI 格式图
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1 状态寄存器
    2. 7.2 控制寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 48 引脚封装的典型应用
        1. 8.2.1.1 外部组件
      2. 8.2.2 应用曲线
    3. 8.3 布局
      1. 8.3.1 布局指南
      2. 8.3.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 社区资源
    4. 9.4 商标
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

6.3.4.12 MOSFET VGS 监测保护

DRV8334-Q1 采用集成式栅源电压 (VGS) 监测器来监测外部 MOSFET 的状态。当命令 MOSFET 的输出状态为关闭（INxx = 低电平）时，监测器会确保输出保持关断状态。如果在任何时候，VGS 电压超过 VGS 阈值的持续时间超过 tvgs_dg，则 nFAULT 引脚会被驱动为低电平，并为相应的输出通道设置 VGS_XX 标志。当 MOSFET 的输出状态被命令为开启（INxx = 高电平）时，监视器会验证输出是否开启，以及 MOSFET 是否在足够的 VGS 驱动下以实现强增强。如果在任何时候，VGS 降至 VGS 阈值以下的持续时间超过 tvgs_dg，则 nFAULT 引脚会被驱动为低电平，并为相应的输出通道设置 VGS_XX 标志。VGS 监测消隐时间可以通过 VGS_BLK 寄存器字段进行调整。TI 建议根据外部 MOSFET 的预期开关时间设置该参数值。VGS 检测抗尖峰脉冲时间可以通过 VGS_DEG 寄存器字段进行调整。在 PWM 上升/下降信号之后经过 VGS 消隐时间后，抗尖峰脉冲计时器才会启动。TI 建议根据系统噪声级别和可接受的容错时序设置该参数值。

DRV8334-Q1 DRV8334-Q1VGS 监测器图 6-16 DRV8334-Q1VGS 监测器
DRV8334-Q1 DRV8334-Q1VGS 监测时序（输出高电平）图 6-17 DRV8334-Q1VGS 监测时序（输出高电平）
DRV8334-Q1 DRV8334-Q1VGS 监测时序（输出低电平）图 6-18 DRV8334-Q1VGS 监测时序（输出低电平）